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HS-82C08RH
1996年2月
抗辐射
8位总线收发器
工作原理图
特点
依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
详细的电气和筛选要求是
包含在SMD # 5962-95714和Intersil公司的质量管理计划
抗辐射
- 总剂量1 ×10
5
RAD (SI )
- 闭锁免疫EPI - CMOS > 1 ×10
12
RAD (SI ) / S
双向三态输入/输出
低传播延迟时间
低功耗
单电源+ 5V
电相当于桑迪亚SA2997
军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
A0
B0
A1
A2
A3
端口A4
A
A5
A6
A7
B1
B2
B3
B4港
B
B5
B6
B7
T / R
描述
Intersil的HS- 82C08RH是一种抗辐射八路总线
收发器与三态输出。它是利用制造
自对准,结隔离的CMOS工艺,是
设计用于HS- 80C08RH抗辐射应用
微处理器。该HS- 82C08RH允许异步
数据总线之间的双向通信。方向
数据的溢流是通过在发送的逻辑电平来确定/
接收(T / R)输入。逻辑高电平的T / R输入特定网络上课
数据溢流从端口A的设备的端口B 。相反,一个
逻辑低的T / R输入特定网络连接ES数据溢流从B口至
端口A的输出使能输入的禁用这两个端口
将它们置于高阻抗状态。
在HS- 82C08RH非常适合于各种
在抗辐射微电脑缓冲应用
系统。
OE
真值表
输入
产量
启用
0
0
1
X =无关
发送
/接收
0
1
X
手术
端口A
OUT
In
高Z
端口B
In
OUT
高Z
订购信息
产品型号
5962R9571401QRC
5962R9571401QXC
5962R9571401VRC
5962R9571401VXC
HS1-82C08RH/SAMPLE
HS9-82C08RH/SAMPLE
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF - 38535等级V
样品
样品
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518057
3040.2
HS-82C08RH
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
METAL-密封组件( SBDIP ) MIL -STD- 1835 , CDIP2 -T20
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VDD
19 B0
18 B1
17 B2
16 B3
15 B4
14 B5
13 B6
12 B7
11 T / R
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK ) MIL -STD- 1835 , CDFP4 -F20
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VDD
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
T / R
GND 10
A0-A7
B0-B7
描述
本地总线数据I / O引脚
系统总线数据I / O引脚
T / R
OE
描述
发送/接收输入
低电平有效输出使能
逻辑图
A0
1
TSB
TSB
A1
2
TSB
TSB
A2
3
TSB
TSB
A3
4
TSB
TSB
5
TSB
TSB
A5
OE 9
6
B启用
A6
T/R11
A7
8
7
a启用
TSB
TSB
TSB
TSB
12
B7
TSB
TSB
13
B6
14
B5
15
16
B3
17
B2
18
B1
19
B0
A4
B4
注:一个重要的警告是适用于一般的CMOS器件是未使用的输入不应该离开浮动。此规则适用
以连接到一个三态总线输入。在期间三态总线条件无需外部上拉电阻被淘汰
存在以下HS- 82C08RH引脚再生锁存器。 A0-7和B0-7的功能框图描述了一个
这些引脚与再生锁存器。当CMOS驱动器呈高阻抗状态时,锁存器保持在任何的总线
逻辑状态(高或低),它是三态条件之前。的瞬时驱动电流
±1.5mA
在VDD / 2
±0.5V
为10ns的要求
转的闩锁。因此,连接到总线的CMOS器件输入未在三态条件允许佛罗里达州燕麦。
规格编号
2
518057
特定网络阳离子HS- 82C08RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
20铅SBDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
71
17
o
C / W
20引脚陶瓷扁平封装。 。 。 。
85
o
C / W
25
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
20铅SBDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70W
20引脚陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.59W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
20铅SBDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .14.1mW / C
20引脚陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11.8mW / C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至+ 1V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD - 1V至VDD
表1. DC电性能等特点
所有设备在最差情况下的限值和条件保障。
A组
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
7,图8A ,8B
范围
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-1.0
-
4.25
-
-
-
最大
-
1.0
-
0.5
100
-
单位
A
A
V
V
A
-
参数
输入漏电流
符号
IIL
IIH
条件
VDD = 5.25V , VIN = VDD
被测= 0V引脚
VDD = 5.25V , VIN = 0V
被测= 5.25V引脚
VDD = 4.75V , IOH = -2.0mA
VDD = 5.25V , IOL = 2.0毫安
VDD = 5.25V , VIN = GND
VDD = 4.75V至5.25V
VIH = VDD -1.0V , VIL = 1.0V
高电平输出
电压
低电平输出
电压
静态电流
功能测试
VOH
VOL
经济自立灌排区
FT
表2. AC电性能等特点
A组
范围
温度
最大
单位
参数
端口数据/模式规范
传播延迟为逻辑“ 1 ”,从港口
A,B到端口B ,A
传播延迟为逻辑“ 0 ”距离Port
A,B到端口B ,A
从高阻抗传输延迟
为逻辑“ 1 ”,从T / R港
从高阻抗传输延迟
为逻辑“0” T / R港
从高阻抗传输延迟
为逻辑“1” OE港
从高阻抗传输延迟
为逻辑“0” OE港
符号
TPDLH
tPDHL
TPRTH
TPRTL
tpZH
tPZL
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
-
-
-
-
-
65
80
75
130
70
130
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
3
518057
特定网络阳离子HS- 82C08RH
表3.电气性能特性
(注)
条件
VDD =开, F = 1MHz的
所有的测量参考
到GND 。
范围
温度
+25
o
C
-
最大
10
单位
pF
参数
输入/输出电容
符号
CI / O
传输/接收模式规范( AC参数)
传播延迟的逻辑“ 1 ”来
高阻抗从T / R港
传播延迟从逻辑“0”
高阻抗从T / R港
传播延迟的逻辑“ 1 ”来
高阻抗从OE港
传播延迟从逻辑“0”
高阻抗从OE港
注意:
1.列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初设计的释放和在其上可影响这些特性的设计变更。
TPHZTR
TPLZTR
tPHZ
tPLZ
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
35
35
35
35
ns
ns
ns
ns
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注意:
邮政辐照试验条件和限制是相同于表1和表2中列出。
表5. BURN -IN DELTA参数( +25
o
℃;建立符合SMD )
开关时间波形
TR
输入
一个或Bn的
VDD
0V
VDD
0.5VDD
0V
0.5VDD
TR = TF
20ns
10 %至90%
0.5VDD
TPLH
0.5VDD
的TPH1
TF
设备
TEST
测试点
CL (注)
产量
BN或
注: CL包括杂散电容和夹具电容。
图2. AC测试负载电路
图1 PORT TO PORT
VDD
输入OE
0V
PORT
VOH
产量
tPHZ
tPLZ
PORT
VOL
产量
0.5VDD
TR
0.1VDD
TR = TF
20ns
10 %至90%
TF
0.5VDD
tpZH
0.5VDD
0V
VDD
0.5VDD
tPZL
0.1VDD
图3. OE为高阻抗, OE到端口输出
规格编号
4
518057
HS-82C08RH
金属化拓扑
DIE尺寸:
76.0密耳X 89.4密耳×14密耳
±1
米尔
金属化:
类型:硅 - 铝
厚度: 11K
±2k
玻璃钝化:
类型:二氧化硅
2
厚度: 8K
±1k
金属掩模布局
HS-82C08RH
( 20 ) VDD
A1 (2)
(19) B0
(1) A0
(18) B1
A2 (3)
(17) B2
A3 (4)
(16) B3
A4 (5)
(15) B4
A5 (6)
(14) B5
A6 (7)
(13) B6
A7 (8)
GND (10)
T / R ( 9 )
OE ( 9 )
(12) B7
规格编号
5
518057
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HS1-82C08RH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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