HS-6617RH-T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4608.1
抗辐射2K ×8 CMOS PROM
Intersil的卫星应用流程
TM
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的HS - 6617RH -T是一种抗辐射16K
CMOS PROM ， 8位格式组织在2K字。该
芯片是使用辐射加固的CMOS制造
过程，并且被设计为在功能上等同于
HM- 6617 。同步电路设计技术相结合
与CMOS工艺来给这个设备高速
性能具有非常低的功耗。
在提供芯片的地址锁存器，可以方便
与使用最近的代微处理器接口
复用地址/数据总线结构，如
HS- 80C86RH 。输出使能控制（G ），简化网络连接的ES
微处理器系统允许输出数据接口
总线控制，此外，在芯片使能控制。
在HS - 6617RH -T的同步操作非常适合高
速度的流水线架构和系统也
同步逻辑的替代函数。
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- SEU LET 16MeV /毫克/平方厘米
2
- SEL LET 100MeV /毫克/平方厘米
2
现场可编程Nicrome熔断器
低待机功率1.1MW最大
低工作功耗137.5mW / MHz的最大
快速存取时间为100ns最大
TTL兼容输入/输出
同步操作
在芯片地址锁存器，三态输出
引脚配置
HS1-6617RH -T （ SBDIP ） ， CDIP2 - T24
顶视图
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
DD
23 A8
22 A9
21 P
20 G
19 A10
18 E
17 Q7
16 Q6
15 Q5
14 Q4
13 Q3
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 6617RH -T
载于SMD 5962-95708 。
“热链接”提供
从我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
Q1 10
Q2 11
GND 12
HS9-6617RH -T （ FLATPACK ） ， CDFP4 - F24
顶视图
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD
A8
A9
P
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
订购信息
订购
数
5962R9570801TJC
HS1-6617RH/Proto
5962R9570801TXC
HS9-6617RH/Proto
产品型号
HS1-6617RH-T
HS1-6617RH/Proto
HS9-6617RH-T
HS9-6617RH/Proto
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
P必须在任何时候，以V硬连线
DD
，除了在
编程。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HS-6617RH-T
模具特点
DIE尺寸：
（ 4166μm X 6350μm X 483μm
±25.4m)
164 ×250 X 19mils
±1mil
金属化：
类型：硅 - 铝
厚度： 13.0k
±2k
衬底电位：
V
DD
背面表面处理：
硅
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 8.0k
±1k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
过程：
SSAJIIV -RH
金属掩模布局
HS-6617RH-T
(24)V
DD
(23) A8
(22) A9
(5) A3
(4) A4
(3)A5
(2) A6
(1) A7
(21) P
(20) G
A2 (6)
(19) A10
A1 (7)
A0 (8)
GND （12）
Q1 (10)
Q2 (11)
Q3 (13)
Q4 (14)
Q5 (15)
Q6 (16)
Q7 (17)
Q0 (9)
(18) E
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
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3
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