HS-508BRH
数据表
2009年8月11日
FN4824.2
抗辐射8通道CMOS
模拟多路复用器具有过压
保护
在HS- 508BRH是一个介电隔离，辐射
硬化， CMOS模拟多路复用器集成的
重要的特点;它承受的模拟输入电压多少
比供应大。这是在任何系统中必不可少
当该模拟输入源自的设备以外。
它们可承受连续输入高达10V大于
无论是供应，从而消除损害时的可能性
电源是关闭的，但输入信号都存在。一样
重要的是，它可以承受短暂的输入瞬态尖峰
几百伏;否则将需要复杂的
外部保护网络。必要地，导通电阻是
比同类未受保护的设备稍高，但很
低漏电流结合起来，以产生低的错误。
参考应用笔记520和521进一步
在HS- 508BRH多路复用器中的一般信息。
该HS- 508BRH一直具体来说，旨在满足
暴露于辐射的环境中。经营范围从-55 ° C到
+ 125 ° C的保证。
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96742
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
RAD （SI ）
- 介质隔离设备群岛
- SEP >100兆电子伏毫克/平方厘米
2
模拟/数字过压保护
ESD额定值为3KV
故障安全与功率损失（不闭锁）
??先开后合式开关
（典型值） DTL / TTL和CMOS兼容阈值
模拟信号范围。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V
快速存取时间
电源电流在1MHz地址切换。 。 。 。 。 0.4毫安（典型值）
待机功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .7.5mW （典型值）
无铅（符合RoHS ）
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96742 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
订购信息
订购数量
（注）
5962F9674202QEC
5962F9674202QXC
5962F9674202VEC
5962F9674202VXC
HS1-508BRH/PROTO
HS9-508BRH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-508BRH-8
HS9-508BRH-8
HS1-508BRH-Q
HS9-508BRH-Q
HS1-508BRH/PROTO
HS9-508BRH/PROTO
最热
Q 5962F96 74202QEC
Q 5962F96 74202QXC
Q 5962F96 74202VEC
Q 5962F96 74202VXC
HS1- 508BRH / PROTO
HS9- 508BRH / PROTO
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
包
（无铅）
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
PKG 。 DWG 。
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
注意：这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2001年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产
HS-508BRH
引脚配置
HS-508BRH
（ 16 LD SIDEBRAZE DIP ）
MIL- STD- 1835 ， CDIP2 -T16
顶视图
AO 1
EN 2
-VSUP 3
IN 1 4
在2 5
在3 6
在4 7
OUT 8
16 A1
15 A2
14 GND
13 + VSUP
12年5
11 6
10年7
9 8
A0
EN
-VSUP
IN1
IN2
IN3
IN4
OUT
HS9-508BRH
（ 16 LD FLATPACK ）
MIL- STD- 1835 ， CDFP4 -F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
A1
A2
GND
+ VSUP
IN5
IN6
IN7
IN8
工作原理图
A0
1
数字
地址
P
IN 1
N
A1
OUT
A2
8
EN
P
地址输入
缓冲区和
电平转换器
解码器
N
在8
多工
开关
表1.真值表
A2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
A1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
EN
L
H
H
H
H
H
H
H
H
“ON”的频道
无
1
2
3
4
5
6
7
8
2
FN4824.2
2009年8月11日
HS-508BRH
表2 HS- 508BRH PAD坐标（续）
相对于针脚1
引脚数
9
10
11
12
13
14
15
16
注：尺寸在微米
垫名称
IN8
IN7
IN6
-IN5
V+
GND
A2
A1
X坐标
314
724
1066
1066
1100
1038
684
342
Y坐标
-2579
-2579
-2579
-761
-287
0
0
0
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
4
FN4824.2
2009年8月11日
HS-508BRH
数据表
2001年1月
FN4824.1
抗辐射8通道CMOS
模拟多路复用器具有过压
保护
在HS- 508BRH是一个介电隔离，辐射
硬化， CMOS模拟多路复用器集成的
重要的特点;它承受的模拟输入电压多少
比供应大。这是在任何系统中必不可少
当该模拟输入源自的设备以外。
它们可承受连续输入高达10V大于
无论是供应，从而消除损害时的可能性
电源是关闭的，但输入信号都存在。一样
重要的是，它可以承受短暂的输入瞬态尖峰
几百伏;否则将需要复杂的
外部保护网络。必要地，导通电阻是
比同类未受保护的设备稍高，但很
低漏电流结合起来，以产生低的错误。
参考应用笔记520和521进一步
在HS- 508BRH多路复用器中的一般信息。
该HS- 508BRH一直具体来说，旨在满足
暴露于辐射的环境中。经营范围：-55
o
C到
125
o
C的保证。
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96742
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
RAD （SI ）
- 介质隔离设备群岛
- SEP >100兆电子伏毫克/平方厘米
2
模拟/数字过压保护
ESD额定值为3KV
故障安全与功率损失（不闭锁）
??先开后合式开关
（典型值） DTL / TTL和CMOS兼容阈值
模拟信号范围。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V
快速存取时间
电源电流在1MHz地址切换。 。 。 。 。 0.4毫安（典型值）
待机功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .7.5mW （典型值）
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96742 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
订购信息
订购数量
5962F9674202QEC
5962F9674202QXC
5962F9674202VEC
5962F9674202VXC
HS1-508BRH/PROTO
HS9-508BRH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-508BRH-8
HS9-508BRH-8
HS1-508BRH-Q
HS9-508BRH-Q
HS1-508BRH/PROTO
HS9-508BRH/PROTO
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
引脚配置
HS1-508BRH 16引脚DIP SIDEBRAZE
MIL- STD- 1835 ， CDIP2 -T16
顶视图
AO
1
16 A1
15 A2
14 GND
13 + VSUP
12年5
11 6
10年7
9 8
A0
EN
-VSUP
IN1
IN2
IN3
IN4
OUT
HS9-508BRH 16 LEAD FLATPACK
MIL- STD- 1835 ， CDFP4 -F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
A1
A2
GND
+ VSUP
IN5
IN6
IN7
IN8
EN 2
-VSUP 3
IN 1 4
在2 5
在3 6
在4 7
OUT 8
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2001.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS-508BRH
模具特点
模具尺寸
120密耳X 93密耳×19密耳
界面材料
玻璃熔封
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 8K
±1k
顶级金属化
类型： AlSiCu
厚度： 16K
±2k
基板
抗辐射硅栅
介质隔离
背面完成
硅
大会相关信息
衬底电位
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度
6.68e04 A /厘米
2
晶体管数量
506
金属掩模布局
HS-508BRH
IN2
IN1
-V
IN3
EN
IN4
OUT
A0
IN8
A1
IN7
A2
IN6
IN5
+V
GND
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
3
FN4824.1
2001年1月
QQ：2881677436 复制
