HS-26C32RH-T
TM
数据表
1999年7月
FN4592.1
抗辐射
四路差动线路接收器
Intersil的卫星应用流量 （ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的HS - 26C32RH -T是一款四通道差分线
接收器设计用于在数字数据传输
平衡线和符合EIA标准的要求
RS - 422 。抗辐射CMOS工艺，保证低
功耗，高速度，并且在可靠的操作
最严重的辐射的环境中。
该HS - 26C32RH -T具有200mV的（典型值）的输入灵敏度。
以上的共模输入电压范围
±7V.
该
接收器还配备了输入故障安全电路，
这会导致输出变为逻辑“1”的输入时
是开放的。启用和禁用功能，适用于所有
四个接收器。
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
5
Rad公司（SI ）
- SEU和SEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。免疫100MeV /毫克/平方厘米
2
EIA RS - 422兼容输入
CMOS兼容的使能输入
输入故障安全电路
高阻抗输入时，禁用或断电
低功耗138mW待机（最大）
单5V电源
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26C32RH -T （ SBDIP ） ， CDIP2 -T16
顶视图
AIN 1
AIN 2
AOUT 3
ENABLE 4
COUT 5
CIN 6
CIN 7
GND 8
16 V
DD
15 BIN
14 BIN
13 BOUT
12 ENABLE
11 DOUT
10 DIN
9 DIN
特定网络阳离子
规格为抗辐射QML装置通过控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气规格的HS- 26C32RH -T
载于SMD 5962-95689 。
“热链接”提供
从我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
HS9-26C32RH -T （ FLATPACK ） ， CDFP4 -F16
顶视图
艾因
艾因
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
箱子
箱子
布特
启用
DOUT
DIN
DIN
订购信息
订购
数
5962R9568901TEC
HS1-26C32RH/Proto
5962R9568901TXC
HS9-26C32RH/Proto
部分
数
HS1-26C32RH-T
HS1-26C32RH/Proto
HS9-26C32RH-T
HS9-26C32RH/Proto
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
AOUT
启用
COUT
CIN
CIN
GND
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HS-26C32RH-T
模具特点
DIE尺寸：
2140μm X 3290μm X 533μm
±25.4m
（ 85× 130 X 21mils
±1mil)
金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
M2 ：铝/硅/铜
厚度： 10K
±1k
衬底电位：
内部连接到V
DD
。可留浮动。
背面表面处理：
硅
钝化：
类型：二氧化硅
2
厚度： 8K
±1k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
315
过程：
抗辐射CMOS ， AVLSI
金属掩模布局
HS-26C32RH
艾因
(1)
V
DD
(16)
箱子
(15)
AIN（ 2）
（ 14 ） BIN
AOUT （3）
（ 13 ）布特
ENAB （4）
（ 12 ） ENAB
COUT （ 5 ）
（ 11 ） DOUT
CIN （6）
（ 10 ） DIN
(7)
CIN
(8)
GND
(9)
DIN
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