HS-201HSRH
数据表
2006年3月24日
FN4874.1
抗辐射高速，四
SPST ， CMOS模拟开关
该HS- 201HSRH是一个单片CMOS模拟开关
具有电源切断输入阻抗高，非常快速的切换
速度和低导通电阻。制造我们的DI RSG
流程保证SEL免疫力，只有很轻微的
灵敏度低剂量率（ ELDRS ） 。这些类V / Q
设备经过测试，保证了300krad （ Si）的总
剂量性能。
断电高输入阻抗使得能够使用本
设备冗余电路，而不会造成数据总线信号
退化。 ESD保护，过压保护，速度快
开关时间，低导通电阻，并且保证
抗辐射，使得HS- 201HSRH适用于任何
空间应用中改进的开关性能
所需。
规格为抗辐射QML装置通过控制
美国国防供应中心（ DSCC ） 。在SMD号
这里列出订货飞行单位时必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子此设备是
载于SMD 5962-99618 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选， DSCC SMD 5962-99618
符合MIL -PRF- 38535 QML资格
辐射性能
- 保证总剂量性能。 。 。 。 。 300krad （SI ）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .DI RSG过程
过压保护（开机，关机） 。 。 。 。 。 。
±30V
关机高阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±17V
快速开关时间
- t
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110ns的（最大）
- t
关闭
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80ns的（最大）
低“ON”电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50Ω （最大）
引脚兼容行业标准201型
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10V
to
±15V
宽模拟电压范围（ ±15V电源） 。 。 。 。 。 。 。
±15V
TTL兼容
应用
高速多路复用
采样和保持电路
数字滤波器
引脚
HS1-201HSRH ， SBDIP （ CDIP2 - T16 ）
HS9-201HSRH ， FLATPACK （ CDFP4 - F16 ）
顶视图
A1 1
OUT1 2
IN1 3
V- 4
GND 5
IN4 6
OUT4 7
A4 8
16 A2
15输出2
14 IN2
13 V+
12 NC
11 IN3
10 OUT3
9 A3
运算放大器增益切换网络
积分器复位电路
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000 ， 2006.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS-201HSRH
订购信息
订购数量
5962F9961801VEC
5962F9961801QEC
5962F9961801VXC
5962F9961801QXC
5962F9961801V9A
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-201HSRH-Q
HS1-201HSRH-8
HS9-201HSRH-Q
HS9-201HSRH-8
HS0-201HSRH-Q
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
最热
Q 5962F9961801VEC
Q 5962F9961801QEC
Q 5962F9961801VXC
Q 5962F9961801QXC
-
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的SBDIP
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的扁平
-
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
PKG 。 DWG 。 ＃
D16.3
D16.3
K16.A
K16.A
-
D16.3
K16.A
模具特点
模具尺寸
2790μm X 4950μm （ 110密耳X 195密耳）
厚度： 483μm
±25.4m
（ 19密耳
±1
MIL ）
界面材料
玻璃熔封
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 8.0k
+/-1.0k
金属化
类型：钛/铝铜
厚度： 16.0k
+/- 2k
基板
抗辐射硅栅，介质隔离
背面完成
硅
大会相关信息
衬底电位
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量
328
金属掩模布局
HS-201HSRH
OUT4
IN4
GND
V-
IN1
OUT1
A4
A1
A3
A2
OUT3
IN3
V+
IN2
OUT2
2
FN4874.1
2006年3月24日
HS-201HSRH
陶瓷金属密封扁平封装（扁平）
A
K16.A
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 （F - 5A ，配置B ）
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
英寸
符号
民
0.045
0.015
0.015
0.004
0.004
-
0.245
-
0.130
0.030
最大
0.115
0.022
0.019
0.009
0.006
0.440
0.285
0.315
-
-
A
b
b1
c
c1
MILLIMETERS
民
1.14
0.38
0.38
0.10
0.10
-
6.22
-
3.30
0.76
1.27 BSC
0.20
6.35
0.66
0.13
-
16
0.38
9.40
1.14
-
0.04
最大
2.92
0.56
0.48
0.23
0.15
11.18
7.24
8.00
-
-
笔记
-
-
-
-
-
3
-
3
-
7
-
2
-
8
6
-
-
第1版95年2月20日
e
PIN NO 。 1
ID区域
A
-A-
-B-
D
S1
b
E1
0.004 M
Q
A
-C-
-H-
L
E3
座位及
基面
c1
无铅封装
E2
E3
L
H A - B·S
S
E
0.036 M
H A - B·S
C
-D-
S
D
E
E1
E2
E3
e
k
L
Q
S1
M
N
0.050 BSC
0.008
0.250
0.026
0.005
-
16
0.015
0.370
0.045
-
0.0015
BASE
金属
b1
M
M
(b)
截面A-A
(c)
注意事项：
1.索引区：一个槽口或针一个识别标志应当接收双相指令
ED毗邻针之一，应位于内阴影
显示区域。制造商的身份，不得使用
作为一个引脚1 identi网络阳离子大关。另外，标签（维K）
可用于识别针1 。
2.如果一个引脚1 identi网络阳离子标记用于除标签的lim-
维数k ，其并不适用。
3.该尺寸允许偏离中心盖，半月板和玻璃
超限。
4.尺寸B1和C1仅适用于引领基本金属。维
M适用于镀铅和网络光洁度厚度。最大lim-
其铅尺寸B和C或M应在岑来衡量
troid的科幻nished铅的表面，当浸焊或锡板
铅科幻光洁度应用。
5. N是端子位置的最大数目。
四角6.测量尺寸S1 。
7.对于底部焊引脚封装，无器质性或聚合mate-
里亚尔应被模制到包装，以覆盖底部
导致。
8.尺寸Q应在出口点进行测量（超越
半月板）从体内铅。尺寸Q最低
由0.0015英寸（ 0.038毫米）最大时，溶胶减少
德浸铅科幻光洁度应用。
9.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982年。
10.控制尺寸：英寸
3
FN4874.1
2006年3月24日
HS-201HSRH
陶瓷双列直插式金属密封封装（ SBDIP ）
c1
-A-
-D-
BASE
金属
M
-B-
BBB S·C A - B·S
BASE
飞机
座位
飞机
S1
b2
b
A A
D
S2
-C-
Q
A
L
S
b1
M
(b)
截面A-A
(c)
无铅封装
D16.3
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T16 （ D- 2 ，配置C）
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
英寸
符号
A
b
b1
b2
b3
c
c1
D
E
e
eA
eA/2
L
Q
S1
S2
民
-
0.014
0.014
0.045
0.023
0.008
0.008
-
0.220
最大
0.200
0.026
0.023
0.065
0.045
0.018
0.015
0.840
0.310
MILLIMETERS
民
-
0.36
0.36
1.14
0.58
0.20
0.20
-
5.59
最大
5.08
0.66
0.58
1.65
1.14
0.46
0.38
21.34
7.87
2.54 BSC
7.62 BSC
3.81 BSC
3.18
0.38
0.13
0.13
90
o
-
-
-
-
16
5.08
1.52
-
-
105
o
0.38
0.76
0.25
0.038
笔记
-
2
3
-
4
2
3
-
-
-
-
-
-
5
6
7
-
-
-
-
2
8
第0 4/94
E
e
A
e
e
A/2
c
0.100 BSC
0.300 BSC
0.150 BSC
0.125
0.015
0.005
0.005
90
o
-
-
-
-
16
0.200
0.060
-
-
105
o
0.015
0.030
0.010
0.0015
CCC M C A - B·S S
aaa
M C A - B·S S
注意事项：
1.索引区：一个槽口或针一个识别标志应当接收双相指令
ED毗邻针之一，应位于内阴影
显示区域。制造商的身份，不得使用
作为一个销一个识别标志。
2.铅尺寸B和C或M的最高限额应为
当在成品引线表面的质心测量
浸焊或锡板引线末端应用。
3.尺寸B1和C1仅适用于引领基本金属。维
M适用于铅镀层和涂层厚度。
4.角信息（ 1 ，N / 2和N / 2 + 1）的可以与配置
部分铅桨。对于此配置方面B3替换
维B2 。
5.尺寸Q应从座位平面到被测量
基面。
四角6.测量尺寸S1 。
从陶瓷体的顶部向7.测量尺寸S2中
最近的金属或铅。
8. N是端子位置的最大数目。
9.钎焊圆角应是凹的。
10.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982年。
11.控制尺寸：英寸。
α
aaa
bbb
ccc
M
N
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
4
FN4874.1
2006年3月24日
抗辐射高速，四路SPST ， CMOS
模拟开关
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
该HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH是单片CMOS模拟
开关具有断电输入阻抗高，速度非常快
开关速度和低导通电阻。制造我们
DI RSG过程中确保SEL免疫力，只有很轻微的
灵敏度低剂量率（ ELDRS ） 。这些类V / Q设备
经过测试，保证了300krad （ Si）的总剂量
性能。
断电高输入阻抗使得能够使用该装置的
在不会造成数据总线信号冗余电路
退化。 ESD保护，过压保护，速度快
开关时间，低导通电阻，并且保证辐射
硬度，使得HS- 201HSRH非常适合任何空间
应用中改进的开关性能
所需。
规格为抗辐射QML设备由控制
国防后勤局陆地和海洋（ DLA ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
包含在SMD
5962-99618.
“热链路”被设置在我们的
主页下载。
特点
电筛选， DLA SMD ＃
5962-99618
符合MIL -PRF- 38535 QML资格
辐射性能
- 高剂量率（ 50-300rad （Si）的/秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （SI ）
- 低剂量率（ 0.01rad （SI ） /秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50krad （SI ）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DI RSG过程
过压保护（开机，关机） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 30V
关机高阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 17V
快速开关时间
- t
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110ns的（最大）
- t
关闭
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80ns的（最大）
低“ON”的阻力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50Ω （最大）
引脚兼容行业标准201型
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ， ± 10V到± 15V
宽的模拟电压范围（ ±15V电源） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 15V
TTL兼容
应用
高速多路复用
采样和保持电路
数字滤波器
运算放大器增益切换网络
积分器复位电路
引脚配置
HS1-201HSRH ， HS1-201HSEH SBDIP （ CDIP2 - T16 ）
HS9-201HSRH ， HS9-201HSEH FLATPACK （ CDFP4 - F16 ）
顶视图
A1 1
OUT1 2
IN1 3
V- 4
GND 5
IN4 6
OUT4 7
A4 8
16 A2
15输出2
14 IN2
13 V+
12 NC
11 IN3
10 OUT3
9 A3
2013年6月24日
FN4874.2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil的美洲有限责任公司2000年， 2006年， 2013年版权所有
Intersil公司（设计）是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
订购信息
订购
SMD数量
（注3）
5962F9961801VEC
5962F9961802VEC
5962F9961801QEC
5962F9961801VXC
5962F9961802VXC
5962F9961801QXC
5962F9961801V9A
5962F9961802V9A
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
HS0-201HSRH/SAMPLE
国内
MKT 。 NUMBER
（注1,2 ）
HS1-201HSRH-Q
HS1-201HSEH-Q
HS1-201HSRH-8
HS9-201HSRH-Q
HS9-201HSEH-Q
HS9-201HSRH-8
HS0-201HSRH-Q
HS0-201HSEH-Q
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
HS0-201HSRH/SAMPLE
HS1-201HSRH/PROTO
HS9-201HSRH/PROTO
部分
记号
Q 5962F99 61801VEC
Q 5962F99 61802VEC
Q 5962F99 61801QEC
Q 5962F99 61801VXC
Q 5962F99 61802VXC
Q 5962F99 61801QXC
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
包
（符合RoHS ）
16 Ld的SBDIP
16 Ld的SBDIP
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的扁平
16 Ld的扁平
DIE
DIE
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
DIE
D16.3
K16.A
PKG 。
DWG 。 ＃
D16.3
D16.3
D16.3
K16.A
K16.A
K16.A
注意：
1.这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作。
2.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
。有关MSL的更多信息，请参阅
技术简介
TB363.
3.规范抗辐射QML设备由国防后勤局陆地和海洋（ DLA ）的控制。在列出的SMD数字
第2页“订购信息”表必须在订购时使用
2
FN4874.2
2013年6月24日
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
模具特点
模具尺寸
2790μm X 4950μm （ 110密耳X 195密耳）
厚度： 483μm ± 25.4μm （ 19密耳± 1密耳）
大会相关信息
衬底电位
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量
328
界面材料
玻璃熔封
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 8.0k
±1.0k
金属化
类型：钛/铝铜
厚度： 16.0k
± 2k
基板
抗辐射硅栅，介质隔离
背面完成
硅
金属掩模布局
OUT4
IN4
GND
V-
IN1
OUT1
A4
A1
A3
A2
OUT3
IN3
V+
IN2
OUT2
3
FN4874.2
2013年6月24日
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
封装外形图
K16.A
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
第2版， 1/10
0.015 (0.38)
0.008 (0.20)
PIN NO 。 1
id可选
1
2
0.050 （ 1.27 BSC ）
PIN NO 。 1
ID区域
0.440 (11.18)
最大
0.005 (0.13)
民
4
0.022 (0.56)
0.015 (0.38)
顶视图
0.115 (2.92)
0.045 (1.14)
0.045 (1.14)
0.026 (0.66)
6
0.285 (7.24)
0.245 (6.22)
0.009 (0.23)
0.004 (0.10)
-D-
-H-
-C-
0.13 (3.30)
民
0.370 (9.40)
0.250 (6.35)
座位及
基面
0.03 （ 0.76 ）， MIN
无铅封装
SIDE VIEW
注意事项：
1.索引区：一个槽口或针一个识别标志应设
毗邻针之一，应位于所示的阴影区域内。
制造商的标识不应被用作销1
识别标志。交替地，一个标签可以用于识别针1 。
2.一个引脚1标识标记被用在除了一个标签，该限制
的标签尺寸的不适用。
3.铅尺寸的最大限制（部分AA）应
在完成引线表面的质心测量中，当焊料
畅游或镀锡板引线末端应用。
4.测量尺寸四角。
5.对于底部焊引脚封装，无有机或高分子材料
应模到包以覆盖引线的底部。
3
截面A-A
6.尺寸应在出口点进行测量（超越
半月板）从体内铅。尺寸最小应
由0.0015英寸（ 0.038毫米）最大时，浸焊减少
铅科幻光洁度应用。
7.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982年。
8.控制尺寸：英寸。
0.006 (0.15)
0.004 (0.10)
无铅封装
BASE
金属
0.019 (0.48)
0.015 (0.38)
0.0015 (0.04)
最大
0.009 (0.23)
0.004 (0.10)
0.022 (0.56)
0.015 (0.38)
4
FN4874.2
2013年6月24日
HS- 201HSRH ， HS- 201HSEH
陶瓷双列直插式金属密封封装（ SBDIP ）
c1
-A-
-D-
BASE
金属
b1
M
(b)
截面A-A
(c)
无铅封装
D16.3
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T16 （ D- 2 ，配置C）
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
英寸
符号
A
b
b1
b2
b3
民
-
0.014
0.014
0.045
0.023
0.008
0.008
-
0.220
最大
0.200
0.026
0.023
0.065
0.045
0.018
0.015
0.840
0.310
MILLIMETERS
民
-
0.36
0.36
1.14
0.58
0.20
0.20
-
5.59
最大
5.08
0.66
0.58
1.65
1.14
0.46
0.38
21.34
7.87
2.54 BSC
7.62 BSC
3.81 BSC
3.18
0.38
0.13
0.13
90
o
-
-
-
-
16
5.08
1.52
-
-
105
o
0.38
0.76
0.25
0.038
笔记
-
2
3
-
4
2
3
-
-
-
-
-
-
5
6
7
-
-
-
-
2
8
第0 4/94
E
M
-B-
BBB S·C A - B·S
BASE
飞机
座位
飞机
S1
b2
b
A A
D
S2
-C-
Q
A
L
S
c
c1
e
A
D
E
e
eA
eA/2
L
Q
S1
S2
e
e
A/2
c
0.100 BSC
0.300 BSC
0.150 BSC
0.125
0.015
0.005
0.005
90
o
-
-
-
-
16
0.200
0.060
-
-
105
o
0.015
0.030
0.010
0.0015
CCC M C A - B·S S
aaa
M C A - B·S S
注意事项：
1.索引区：一个槽口或针一个识别标志应当接收双相指令
ED毗邻针之一，应位于内阴影
显示区域。制造商的身份，不得使用
作为一个销一个识别标志。
2.铅尺寸B和C或M的最高限额应为
当在成品引线表面的质心测量
浸焊或锡板引线末端应用。
3.尺寸B1和C1仅适用于引领基本金属。维
M适用于铅镀层和涂层厚度。
4.角信息（ 1 ，N / 2和N / 2 + 1）的可以与配置
部分铅桨。对于此配置方面B3替换
维B2 。
5.尺寸Q应从座位平面到被测量
基面。
四角6.测量尺寸S1 。
从陶瓷体的顶部向7.测量尺寸S2中
最近的金属或铅。
8. N是端子位置的最大数目。
9.钎焊圆角应是凹的。
10.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982年。
11.控制尺寸：英寸。
α
aaa
bbb
ccc
M
N
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FN4874.2
2013年6月24日
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