HS-1825ARH
数据表
2008年9月25日
FN4561.8
抗辐射高速，双
PWM输出
该抗辐射HS- 1825ARH脉宽
调制器被设计在高频率使用
开关模式电源，可以在使用任一
电流模式或电压模式。它非常适合用于
单端升压转换器应用。
设备特征包括一个精密电压基准，低
电源启动电路，高频振荡器，宽带
误差放大器ER ，和快速电流限制比较。利用
专有的工艺能力和独特的设计
技术的应用导致在快速传播延迟时间和高
输出电流在很宽范围的输出电压。
构建了Intersil的抗辐射硅栅（ RSG ）
介质隔离BiCMOS工艺制造， HS- 1825ARH有
经过特别设计，提供高度可靠
性能在暴露于苛刻的辐射
环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时下列SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 1825ARH
载于SMD 5962-99558 。则该文件可
可以很容易地从我们的网站下载。
www.intersil.com/
特点
电筛选， DESC SMD ＃ 5962-99558
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 最大总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（ SI ）
- 垂直架构提供低剂量率免疫
- DI RSG过程提供闭锁抗扰度
低启动电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （典型值）
快速传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80ns的（典型值）
12V至30V工作
1A （峰值）的双输出驱动能力
5.1V参考
欠压闭锁
可编程软启动
开关频率为500kHz的
锁存过流比较器，带有完整的周期重启
可编程前沿消隐电路
应用
电流或电压模式开关电源
电机速度和方向控制
引脚
HS-1825ARH
SBDIP （ CDIP2 - T16 ）和FLATPACK （ CDFP4 - F16 ）
顶视图
INV 1
NON- INV 2
E / A OUT 3
时钟4
RT 5
CT 6
RAMP 7
软启动8
16 VREF 5.1V
15 V
CC
14输出B
13 VC
12电源GND
11 OUTPUT A
10 GND
9 ILIM / SD
注：接地的软启动销不抑制该输出。该
输出可以通过应用>1.26V到ILIM / SD引脚被禁止。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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HS-1825ARH
模具特点
模具尺寸
4710μm X 3570μm （ 185密耳X 140密耳）
厚度： 483μm ± 25.4μm （ 19密耳± 1密耳）
界面材料
玻璃熔封
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8.0k
±1.0k
顶级金属化
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±2k
基板
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面完成
硅
大会相关信息
衬底电位
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量
225
HS-1825ARH
金属掩模布局
室温（5）
（4） CLK / LEB
（3） EAOUT
CT （6）
（2） IN +
RAMP （ 7 ）
（1） IN-
SS (8)
(16) V
REF
ILIM （ 9 ）
OSCGND
（注1 ）
GND （10）
（14） OUTB
OUTA （ 11 ）
（ 12 ）保护地
（注2 ）
保护地（ 12）
（注2 ）
VC （ 13 ）
（注2 ）
（ 13 ） VC
（注2 ）
(15) V
CC
注意事项：
1.这是振荡器接地（ OSCGND ）接合焊盘，并且必须
连接到GND 。
2.保护地和VC各需要两个焊盘连接。
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2008年9月25日
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