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HS-81C55RH,
HS-81C56RH
1996年3月
抗辐射
256 ×8 CMOS RAM
描述
该HS- 81C55 / 56RH有抗辐射的内存和I / O
芯片采用Intersil的抗辐射自我制造
排列结隔离(佐治)硅栅技术。
闩锁释放操作是通过使用外延的实现
起始材料,以消除寄生可控硅效应见于
传统的批量CMOS器件。
在HS- 81C55 / 56RH用于与使用
HS- 80C85RH抗辐射的微处理器系统。该
内存部分被设计成组织为256 2048的静态细胞
X 8.为500ns的最大照射后访问时间允许
在HS- 81C55 / 56RH与HS- 80C85RH CPU使用
没有任何等待状态。该HS- 81C55RH需要一个活跃的
小芯片使能,而HS- 81C56RH需要一个高电平有效
芯片使能。这些芯片被设计用于操作利用
单5V电源供电。
特点
依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
详细的电气和筛选要求是
包含在SMD # 5962-95818和Intersil公司的质量管理计划
抗辐射EPI -CMOS
- 需要技术保证1 ×10
5
Rad公司(SI )
- 瞬态翻转> 1 ×10
8
RAD (SI ) / S
- 闭锁免费> 1 ×10
12
RAD (SI ) / S
电相当于桑迪亚SA 3001
引脚兼容英特尔五十六分之八千一百五十五
总线兼容HS- 80C85RH
单5V电源
低待机电流最大200μA
低工作电流2毫安/ MHz的
完全静态设计
内部地址锁存器
两个可编程的8位I / O端口
一个可编程的6位I / O端口
可编程的14位二进制计数器/定时器
复用的地址和数据总线
自对准结隔离(佐治)流程
军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
工作原理图
IO / M
AD0 - AD7
CE或CE
ALE
RD
WR
RESET
定时器CLK
定时器输出
81C55RH
= CE
81C56RH = CE
定时器
C
端口C
8
PC0 - PC5
VDD ( 10V )
GND
256 x 8
STATIC
内存
A
端口A
8
PA0 - PA7
端口B
B
8
PB0 - PB7
订购信息
产品型号
5962R9XXXX01QRC
5962R9XXXX01VRC
5962R9XXXX01QXC
5962R9XXXX01VXC
5962R9XXXX02QRC
5962R9XXXX02VRC
5962R9XXXX02QXC
5962R9XXXX02VXC
HS1-81C55RH/Sample
HS9-81C55RH/Sample
HS1-81C56RH/Sample
HS9-81C56RH/Sample
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
样品
样品
样品
样品
40铅SBDIP
40铅SBDIP
42铅陶瓷扁平
42铅陶瓷扁平
40铅SBDIP
40铅SBDIP
42铅陶瓷扁平
42铅陶瓷扁平
40铅SBDIP
42铅陶瓷扁平
40铅SBDIP
42铅陶瓷扁平
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518056
3039.1
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
引脚配置
40引脚双列直插式金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T40
顶视图
PC3
PC4
计时器
RESET
PC5
定时器输出
IO / M
CE或CE *
1
2
3
4
5
6
7
8
40 VDD
39 PC2
38 PC1
37 PC0
36 PB7
35 PB6
34 PB5
33 PB4
32 PB3
31 PB2
30 PB1
29 PB0
28 PA7
27 PA6
26 PA5
25 PA4
24 PA3
23 PA2
22 PA1
21 PA0
RD 9
WR 10
* 81C55RH = CE
81C56RH = CE
ALE 11
AD0 12
AD1 13
AD2 14
AD3 15
AD4 16
AD5 17
AD6 18
AD7 19
GND 20
42引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
INTERSIL外形K42.A
顶视图
PC3
PC4
计时器
RESET
PC5
定时器输出
IO / M
CE或CE
RD
WR
ALE
AD0
AD1
AD2
AD3
NC
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VDD
PC2
PC1
PC0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PB2
PB1
PB0
PA7
PA6
PA5
NC
PA4
PA3
PA2
PA1
PA0
规格编号
2
518056
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
引脚说明
符号
RESET
TYPE
I
名称和功能
RESET :
所提供的HS- 80C85RH初始化系统脉冲(连接到HS- 80C85RH复位
OUT)。高投入这一行复位芯片并初始化三个I / O端口为输入模式。宽度
复位脉冲的通常应该是2的HS- 80C85RH时钟周期时间。
地址/数据:
三态地址/数据线,与CPU的低8位地址/数据总线的接口。
的8位的地址被锁存到所述HS- 81C55和HS- 81C56RH上落下内部地址锁存
ALE的边缘。该地址可以为内存部分,或根据IO的I / O部分/
M个输入。的8位数据被写入任一到芯片或读取从芯片,这取决于在WR或RD
输入信号。
CHIP ENABLE :
在HS- 81C55RH ,该引脚为CE ,低电平有效。在HS- 81C56RH ,该引脚
CE和为高电平有效。
阅读控制:
低投入该线路上的芯片使能有效实现和AD0 - AD7缓冲区。如果IO /
M引脚为低电平时, RAM的内容将被读出到AD总线。选择我的,否则内容/ O
端口或命令/状态寄存器将被读取到AD总线。
写控制:
低投入该线路上的芯片使能有效引起的地址/数据数据
总线将被写入到RAM或I / O端口和命令/状态寄存器,这取决于IO / M期。
地址锁存使能:
这个控制信号锁存器都在AD0的地址 - AD7线和
芯片的使能状态和IO / M到芯片在ALE的下降沿。
I / O存储器:
选择内存,如果低, I / O和命令/状态寄存器,如果高。
端口A :
这8个引脚是通用I / O引脚。输入/输出方向选择通过编程
命令寄存器。
端口B :
这8个引脚是通用I / O引脚。输入/输出方向选择通过编程
命令寄存器。
端口C :
这6个引脚可以用作任一输入端口,输出端口,或作为用于PA和PB的控制信号。
程序通过命令寄存器完成的。当PC0 - PC5被用作控制信号,它们
将提供以下内容:
PC0 - 一个INTR (端口中断)
PC1 - ABF ( A口缓冲器满)
PC2 - 机顶盒(端口A选通)
PC3 - B INTR ( B端口中断)
PC4 - B BF ( B口缓冲器满)
PC5 - B STB ( B口选通)
定时器输入:
输入到计数器定时器。
定时器输出:
该输出可以是方波或脉冲,根据定时器模式。
电压:
+5V.
地面:
接地参考。
AD0 - AD7
I / O
CE或CE
RD
I
I
WR
ALE
IO / M
PA0 - PA7 ( 8 )
PB0 - PB7 ( 8 )
PC0 - PC7 ( 8 )
I
I
I
I / O
I / O
I / O
计时器
定时器输出
VDD
GND
I
O
I
I
规格编号
3
518056
特定网络阳离子HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在IDDOP 2毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W 5.0
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40.0
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45.0
o
C / W 5.0
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.25W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.11W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25.0mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22.2mW /
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD -0.5V到VDD
表1. DC电性能等特点
A组
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
7,图8A ,8B
范围
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
-1
-
4.25
-
-
-
最大
1
-
0.5
-
200
2
-
单位
A
A
V
V
A
mA
-
参数
高输入漏
当前
低输入漏
当前
低输出电压
高输出电压
静态电流
动态电流
功能测试
符号
IIH
IIL
VOL
VOH
IDDSB
IDDOP
FT
条件
VDD = 5.25V , VIN = 0V ,
被测= VDD引脚
VDD = 5.25V , VIN = 5.25V ,
被测= 0V引脚
VDD = 5.25V , IOL = 2毫安
VDD = 4.75V , IOH = 2毫安
VDD = 5.25V
VDD = 5.25V , F = 1MHz的
VDD = 4.75V和5.25V ,
VIH = VDD - 0.5V , VIL = 0.8V
注:所有设备都保证在最坏的情况下,限制和过度辐射。动态电流正比于工作频率( 2毫安/兆赫) 。
表2. AC电性能等特点
A组
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
范围
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
60
60
200
-
-
200
20
250
200
25
最大
-
-
-
250
500
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
地址锁存建立时间
地址保持时间锁存后
锁存器读/写控制
有效的数据从读取控制
解决稳定的数据输出有效
锁存使能宽
读/写控制锁存
启用
读/写控制宽度
数据以撰写建立时间
数据保持时间写后
符号
TAL
TLA
TLC
TRD
TAD
TLL
TCL
TCC
TDW
TWD
条件
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4,7
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
规格编号
4
518056
特定网络阳离子HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
表2. AC电性能等特点
(续)
A组
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
范围
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
100
100
-
-
-
-
-
120
40
115
-
50
15
-
150
-
-
最大
300
-
-
300
-
300
300
360
-
-
300
300
340
300
300
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
写端口输出
端口输入建立时间
端口输入保持时间
选通缓冲器满
选通脉冲宽度
读到缓冲区空
选通关INTR
读到INTR关闭
端口设置时间选通
邮政保持时间选通之后
选通缓冲器空
写缓冲满
写INTR关闭
TIMER -IN定时器输出低
TIMER- IN至TIMER -OUT高
数据总线的读控制启用
定时器,低时间
TIMER-高时间
注意事项:
符号
TWP
TPR
激进党
TSBF
TSS
TRBE
TSI
TRDI
TPSS
TPHS
TSBE
TWBF
TWI
TTL
tTH的
TRDE
T1
T2
条件
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注1 , 4,5
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注意事项1, 4
注1 ,第4 ,第6
注意事项1, 4
1.保证在最坏的情况下,限制和过辐射的所有设备。
2.工作电源电流( IDDOP )正比于工作频率。
3.输出时序测量纯容性负载。
4.对于设计目的的范围给出,如图所示。用于与80C85RH微处理器兼容,此AC参数进行测试
为最大值。
5.参数测试的功能测试的一部分。无读取和记录数据可用。
6.在低温下, T1被测定至10ns的。如果读数小于10ns的,该参数将读为10ns 。
7.读取和记录数据可仅发生故障的数据。
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
I / O容量
输出电容
数据总线浮动后
间的恢复时间
控制
符号
CIN
CI / O
COUT
TRDF
TRV
条件
VDD =开, F = 1MHz时,所有的测量
参考接地装置
VDD =开, F = 1MHz时,所有的测量
参考接地装置
VDD =开, F = 1MHz时,所有的测量
参考接地装置
VDD = 4.75V
VDD = 4.75V
温度
T
A
= +25
o
C
T
A
= +25
o
C
T
A
= +25
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
-
-
10
-
最大
10
12
10
100
220
单位
pF
pF
pF
ns
ns
注:在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
规格编号
5
518056
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
3039.2
抗辐射256 ×8 CMOS RAM
该HS- 81C55 / 56RH有抗辐射的内存和I / O
芯片采用Intersil的抗辐射自我制造
排列结隔离(佐治)硅栅技术。
闩锁释放操作是通过使用外延的实现
起始材料,以消除寄生可控硅效应见于
传统的批量CMOS器件。
在HS- 81C55 / 56RH用于与使用
HS- 80C85RH抗辐射的微处理器系统。
该内存部分设计为2048的静态细胞组织
为256× 8的最大照射后访问时间
为500ns使得HS- 81C55 / 56RH与使用
HS- 80C85RH CPU没有任何等待状态。该
HS- 81C55RH需要一个低电平有效芯片使能,而
HS- 81C56RH需要一个高电平有效芯片使能。这些
芯片是专为操作使用单一5V电源
供应量。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96766 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选,以SMD # 5962-96766
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
抗辐射EPI -CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100拉德(SI )(最大)
- 瞬态心烦意乱。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.>1 ×10
8
RAD (SI ) / S
- 闭锁免费。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
电相当于桑迪亚SA 3001
引脚兼容英特尔五十六分之八千一百五十五
总线兼容HS- 80C85RH
单5V电源
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .200μA最大
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2毫安/ MHz的
完全静态设计
内部地址锁存器
两个可编程的8位I / O端口
一个可编程的6位I / O端口
可编程的14位二进制计数器/定时器
复用的地址和数据总线
自对准结隔离(佐治)流程
军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
订购信息
订购数量
5962R9676601QXC
5962R9676601QYC
5962R9676601VXC
5962R9676601VYC
5962R9676602QXC
5962R9676602QYC
5962R9676602VXC
5962R9676602VYC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-81C55RH-8
HS9-81C55RH-8
HS1-81C55RH-Q
HS9-81C55RH-Q
HS1-81C56RH-8
HS9-81C56RH-8
HS1-81C56RH-Q
HS9-81C56RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
工作原理图
IO / M
AD0 - AD7
CE或CE
ALE
RD
WR
RESET
定时器CLK
定时器输出
定时器
C
端口C
8
PC0 - PC5
VDD ( 10V )
GND
256 x 8
STATIC
内存
A
端口A
8
PA0 - PA7
端口B
B
8
PB0 - PB7
81C55RH = CE
81C56RH = CE
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
引脚配置
40引脚双列直插式金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T40
顶视图
PC3
PC4
计时器
RESET
PC5
定时器输出
IO / M
CE或CE
1
2
3
4
5
6
7
8
40 VDD
39 PC2
38 PC1
37 PC0
36 PB7
35 PB6
34 PB5
33 PB4
32 PB3
31 PB2
30 PB1
29 PB0
28 PA7
27 PA6
26 PA5
25 PA4
24 PA3
23 PA2
22 PA1
21 PA0
PC3
PC4
计时器
RESET
PC5
定时器输出
IO / M
CE或CE
RD
WR
ALE
AD0
AD1
AD2
AD3
NC
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VDD
PC2
PC1
PC0
PB7
PB6
PB5
PB4
PB3
PB2
PB1
PB0
PA7
PA6
PA5
NC
PA4
PA3
PA2
PA1
PA0
42引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
INTERSIL外形K42.A
顶视图
RD 9
WR 10
ALE 11
AD0 12
AD1 13
AD2 14
AD3 15
AD4 16
AD5 17
AD6 18
AD7 19
GND 20
81C55RH = CE
81C56RH = CE
2
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
引脚说明
符号
RESET
TYPE
I
名称和功能
RESET :
所提供的HS- 80C85RH初始化系统脉冲(连接到HS- 80C85RH RESET OUT)。
高投入这一行复位芯片并初始化三个I / O端口为输入模式。 RESET的宽度
脉冲通常应该是2的HS- 80C85RH时钟周期时间。
地址/数据:
三态地址/数据线,与CPU的低8位地址/数据总线的接口。该
8位的地址被锁存到所述HS- 81C55和HS- 81C56RH内部地址锁存器上的下降沿
ALE 。该地址可以是用于存储部分或取决于IO / M个输入的I / O部分。该
8位数据要么是写入到芯片或读取从芯片,这取决于在WR或RD输入信号。
CHIP ENABLE :
在HS- 81C55RH ,该引脚为CE ,低电平有效。在HS- 81C56RH ,该引脚为CE
并为高电平有效。
阅读控制:
低投入该线路上的芯片使能有效实现和AD0 - AD7缓冲区。如果IO / M引脚
低, RAM中的内容将被读出到AD总线。否则,选定的I / O端口的内容或
命令/状态寄存器将被读取到AD总线。
写控制:
低投入该线路上的芯片使能有效使地址/数据总线上的数据
被写入到RAM或I / O端口和命令/状态寄存器,这取决于IO / M期。
地址锁存使能:
该控制信号锁存无论在AD0的地址 - AD7线和状态
在芯片使能和IO / M分割为芯片在ALE的下降沿。
I / O存储器:
选择内存,如果低, I / O和命令/状态寄存器,如果高。
端口A :
这8个引脚是通用I / O引脚。输入/输出方向选择通过编程
命令寄存器。
端口B :
这8个引脚是通用I / O引脚。输入/输出方向选择通过编程
命令寄存器。
端口C :
这6个引脚可以用作任一输入端口,输出端口,或作为用于PA和PB的控制信号。
程序通过命令寄存器完成的。当PC0 - PC5被用作控制信号,他们会
提供以下功能:
PC0 - 一个INTR (端口中断)
PC1 - ABF ( A口缓冲器满)
PC2 - 机顶盒(端口A选通)
PC3 - B INTR ( B端口中断)
PC4 - B BF ( B口缓冲器满)
PC5 - B STB ( B口选通)
定时器输入:
输入到计数器定时器。
定时器输出:
该输出可以是方波或脉冲,根据定时器模式。
电压:
+5V.
地面:
接地参考。
AD0 - AD7
I / O
CE或CE
RD
I
I
WR
ALE
IO / M
PA0 - PA7 ( 8 )
PB0 - PB7 ( 8 )
PC0 - PC7 ( 8 )
I
I
I
I / O
I / O
I / O
计时器
定时器输出
VDD
GND
I
O
I
I
3
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
波形
CE ( 81C55RH )
OR
CE ( 81C56RH )
IO / M
TAD
AD
0-7
TAL
ALE
TLL
RD
TLC
TCC
TRV
tRIDE
TRD
TCL
TRDF
地址
TLA
数据有效
CE ( 81C55RH )
OR
CE ( 81C56RH )
IO / M
AD
0-7
TAL
ALE
TLL
WR
地址
TLA
TDW
数据有效
TCL
TLC
TCL
TCC
TWD
TRV
4
HS- 81C55RH , HS- 81C56RH
波形
(续)
选通输入
BF
TSBF
选通
TSS
INTR
TRDI
TSI
TRBE
RD
TPSS
输入数据
从港
TPHS
选通输出
BF
TSBE
频闪
TWBF
INTR
TWI
WR
TWP
输出数据
TSI
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HS-81C56RH
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HS-81C56RH
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