HS-302RH-T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4603.1
抗辐射
CMOS双DPST模拟开关
Intersil的卫星应用
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
在HS- 302RH -T的模拟开关是一个单片器件
使用抗辐射CMOS技术制造，并
Intersil的电介质隔离工艺闩锁自由
操作。通过改善获得总剂量硬度
布局（薄氧化标签延伸至沟道停止）和
处理（硬化栅极氧化物）。这些交换机提供低
模拟电阻开关性能电压高达
电源轨。 “ON”时的电阻是低的，合理地保持
常在整个工作电压范围和电流。
“ ON”电阻也保持相当稳定的时候
暴露于辐射，一般是30Ω预弧度和35Ω
后100kRAD （SI ） 。该器件提供了突破前先
切换。
溢流
TM
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
无闩锁，介质隔离设备群岛
引脚对引脚兼容Intersil的HI- 302系列模拟
开关
模拟信号范围15V
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，邮政Rad公司）
低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60Ω （最大，邮政Rad公司）
较低的工作功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值，邮政Rad公司）
引脚配置
HS1-302RH -T （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC 1
S3 2
D3 3
D1 4
S1 5
IN1 6
7 GND
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 302RH -T
载于SMD 5962-95812 。
“热链接”提供
从我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
HS9-302RH -T （ FLATPACK ） ， CDFP3 - F14
顶视图
1
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
订购信息
订购
数
5962R9581201TCC
5962R9581201TXC
部分
数
HS1-302RH-T
HS9-302RH-T
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
工作原理图
N
P
D
IN
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
真值表
逻辑
0
1
所有的开关
关闭
ON
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HS-302RH-T
模具特点
DIE尺寸：
（ 2130μm X 1930μm X 279μm
±25.4m)
84 ×76× 11mils
±1mil
金属化：
类型：铝
厚度： 12.5K
±2k
衬底电位：
无偏（ DI ）
背面表面处理：
金
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 8K
±1k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
76
过程：
金属栅CMOS ，介质隔离
金属掩模布局
HS-302RH-T
V+
S3
S4
D3
D4
D1
D2
S1
S2
IN1
IN2
GND
NC
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
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2
V-
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