HRF-AT4511
15.5分贝， DC - 4GHz的， 5位
串行数字衰减器
特点
非常低DC功耗
衰减步0.5 dB至15.5分贝
单电源或双电源电压
串行数据接口
50欧姆阻抗兼容
TM
节省空间LPCC表面贴装包装
包照片进入
这里
产品说明
霍尼韦尔HRF - AT4511是一个5位数字
衰减器，非常适合于宽带应用
需要通信系统的应用
精度，速度和低功耗。该
HRF - AT4511与霍尼韦尔的制造
专利的绝缘体上硅（SOI） CMOS
制造业
技术，它提供了
砷化镓与经济性能和
传统的CMOS的集成能力。
HRF- AT4511的LPCC 封装
RF电气规格@ + 25
o
C
参数
插入损耗
测试条件
频率
DC - 0.5 GHz的
2.0 GHz的
3.0 GHz的
4.0 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
最低
典型
1.60
2.00
2.20
3.60
23.0
21.5
29.0
28.0
35.5
最大
1.80
2.10
2.40
3.80
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
1dB压缩
1dB压缩
输入IP3
VSS = 0V ，输入功率
VSS = - 3，输入功率
VSS = 0V两个音频输入
2.0 GHz的
至+5 dBm的@ 0 dBm的
衰减
输入IP3
V
ss
= - 3
双音输入到+ 5
2.0 GHz的
dBm的@ 0 dBm的衰减
回波损耗*
任何位或组合
DC - 4.0 GHz的
位
1.0 GHz的
衰减精度
所有衰减状态
2.0 GHz的
所有衰减状态
3.0 GHz的
所有衰减状态
4.0 GHz的
所有衰减状态
素养， TFALL *
10 ％至90％
吨， Toff的（ TPD）
50％按住Cntl到90 ％/ 10％的射频
瞬变
带内
牛逼的时钟周期（ Tprd ） *
T high / T low = ½ minimum clock period
t个数据设置（ TSUP ） *
成立于时钟的上升沿
t个数据保持（ THLD ） *
后时钟的上升沿数据保持
牛逼锁存器设置（ Tlsup ） *
数据设置为OE的下降沿
0.01uF的去耦电容需要在电源轨。
* BY DESIGN
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第1页
37.0
-11
-15
+/- （ IL编程0.17 + 3 ％ ）
+/- （ IL编程0.22 + 3 ％ ）
+/- （ IL编程0.33 + 3 ％ ）
+/- （ IL编程0.45 + 3 ％ ）
10
15
30
50
5
2
5
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
nS
nS
mV
nS
nS
nS
nS
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固体电子学研究中心
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HRF-AT4511
功能原理图
DC电气规格@ + 25
o
C
参数
V
DD
V
SS
I
DD
电源电流
CMOS逻辑电平（ 0 ）
0
CMOS逻辑电平（ 1 ）
V
DD
– 0.8
输入漏电流
*请注意，性能曲线是V
DD
= +5.0 +/- 10%
最低
3.3*
典型
5.0
最大
-5.0
2
0.8
V
DD
10
单位
V
V
mA
V
V
uA
绝对最大额定值
2
参数
输入功率
V
DD
V
SS
ESD电压
工作温度
储存温度
数字输入
绝对最大
+ 35
+6.0
-5.5
400
-40至+85
-65到+125
V
DD
0.6最高至V
SS
-0.6分
单位
DBM
V
V
V
摄氏度
摄氏度
V
（注2 ）该设备超越了任何这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
闭锁：
与传统的CMOS数字衰减器，霍尼韦尔的HRF- AT4511是免疫闭锁。
ESD保护：
虽然HRF- AT4511包含ESD保护电路的所有开关量输入，传统的预防措施
采取以确保绝对最大额定值不超过。
.
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封装外形图
4.0 mm
该软件包符合LPCC
TM
4 ×4mm的16引脚的车身尺寸。
见反卫星LPCC营销大纲的Dwg 。 ＃ DGMJ00004最新版本的
http://www.asat.com
额外维度的信息。
4.0 mm
引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
VDD
地
RF输入
地
地
地
地
地
针
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
地
RF输出
地
VSS
数字地
OE
CLK
数据
串行数据加载
串行数据移入移位寄存器的时钟， MSB的上升沿第一。的“ OE”的状态也不会影响变速
的数据。的“ OE”信号的上升沿将时钟偏移数据的传送。锁存新的数据出现
后“ OE”的上升沿1丙延迟。请参阅电气规格表AC参数。
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真值表
产量
参考输入
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
15.5分贝
操作方法：在串行输入D数据移入在低时钟信号（ CK ）的高转换内部寄存器。
该
输出使能（ OE）的低状态时的寄存器进行采样，并在读入寄存器的低到高
过渡
S4
0
0
0
0
0
1
1
S3
0
0
0
0
1
0
1
S2
0
0
0
1
0
0
1
S1
0
0
1
0
0
0
1
S0
0
1
0
0
0
0
1
评估电路板
霍尼韦尔的评估板提供了一个
易于使用的评估射频的方法
我们的衰减器的性能。简单地
连接电源， DC和RF信号是
测量衰减较少表现
超过10分钟。
HRF- AT4511评估板
评估电路板布局设计细节
项
PCB
衰减器
贴片电容
射频连接器
DC引脚
描述
阻抗匹配的多层FR4
HRF- AT4511数字衰减器
松下型号ECU - E1C103KBQ电容， .01uf 0402 10 ％ 16V
约翰逊连接器型号142-0701-801 SMA射频同轴连接器
MIL -Max的800-10-064-10-001型排针
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评估电路板的连接
数字
VDD
CLK
GND
GND
数据
OE
VSS
在RF
HRF-AT4511
评估板
顶视图
RF OUT
HRF-AT4511
HONEYWELL
性能曲线
插入损耗
AT4511插入损耗衰减状态与频率
频率（GHz ）
0
0
-2
-4
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
S12(00000)
S12(00001)
S12(00010)
S12(00011)
S12(00100)
S12(00101)
S12(00110)
S12(00111)
S12(01000)
S12(01001)
S12(01010)
S12(01011)
S12(01100)
S12(01101)
S12(01110)
S12(01111)
S12(10000)
S12(10001)
S12(10010)
S12(10011)
S12(10100)
S12(10101)
S12(10110)
S12(10111)
S12(11000)
S12(11001)
S12(11010)
S12(11011)
S12(11100)
S12(11101)
S12(11110)
S12(11111)
插入损耗（dB ）
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
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