TECCOR
品牌晶闸管
25安培高温交变三端双向可控硅
HQ6025xH5系列
描述
25Amp双向交变可控硅是专为AC
需要较高的开关和相位控制应用
高温环境。
交变型器件仅在象限Ⅰ，Ⅱ， &操作
并用于在电路中需要高的dv / dt的能力。
特点&贝内连接TS
温度
至600 V
至300
结
机构认证
AGENCY
代理FILE NUMBER
L＆K型套餐： E71639
应用
在高温环境中，通常使用
可用热沉是最小的，如加热和白色
产品应用。
内部构造的隔离包供
便于散热，最高隔离电压。
主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
25
600
50
单位
A
V
mA
原理图符号
MT2
MT1
G
2010 Littelfuse的，公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
129
修订日期： 2010年5月10日下午9点33分
HQ6025xH5系列
25 A三端双向可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
25安培高温交变三端双向可控硅
绝对最大额定值
符号
参数
HQ6025LH5
I
T（ RMS ）
RMS通态电流
HQ6025RH5
HQ6025NH5
HQ6025KH5
测试条件
T
C
= 95°C
T
C
= 102°C
单半周期; F = 50HZ;
T
J
（初始值） = 25°C
单半周期; F = 60Hz的;
T
J
（初始值） = 25°C
t
p
= 8.3ms的
F = 60Hz的;牛逼
J
=150°C
T
J
= 150°C
T
J
= 150°C
25
A
价值
单位
250
A
300
373
100
2
0.5
-40至150
-40至150
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
°C
I
TSM
峰值不重复浪涌电流
I
2
t
的di / dt
I
GTM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
J
I
2
为融合吨价
爆击率-的高层通态电流
栅极峰值电流
平均门功耗
存储温度范围
工作结温范围
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
dv / dt的
（ dv / dt的）C
t
gt
测试条件
V
D
= 12V ;
L
= 60
V
D
= V
DRM
; R
L
= 3.3 k
I
T
= 400毫安（初始）
V
D
= V
DRM
;门打开;牛逼
J
= 150°C
（ di / dt的）C = 13.3 / MS;牛逼
J
= 150°C
I
G
= 2×我
GT
; PW =为15μs ;我
T
= 35.4 A
; T
J
= 150°C
象限
I – II – III
I – II – III
I – II – III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。
典型值
.
价值
50
1.3
0.2
80
350
20
3
单位
mA
V
V
mA
V / μs的
V / μs的
μs
静态特性
符号
V
TM
I
DRM
/ I
RRM
I
T
= 35.4A ;吨
p
= 380 μs
V
DRM
/ V
RRM
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
测试条件
马克斯。
马克斯。
价值
1.4
5
6000
单位
V
μA
热阻
符号
参数
HQ6025LH5
R
（J -C ）
价值
2.0
0.86
1.35
50
45
单位
结到外壳（ AC）
HQ6025RH5
HQ6025NH5
HQ6025KH5
° C / W
R
第（j-一）
结到环境
HQ6025LH5
HQ6025RH5
° C / W
注： XX =电压
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图1 ：归直流栅极触发电流
- 结温
2.5
图2 ：归直流栅极触发电压
- 结温
2.0
的I比
GT
/ I
GT
(T
J
= 25°C)
V的比值
GT
/ V
GT
(T
J
= 25°C)
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-40
-15
10
35
60
85
110
135
150
0.0
-40
-15
10
35
60
85
110
135
150
结温（T
J
) -- (°C)
结温（T
J
) -- (°C)
图3 ：归DC控股电流
- 结温
2.0
图4 ：通态电流与通态
电压（典型值）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
的I比
H
/ I
H
(T
J
= 25°C)
1.5
1.0
0.5
0.0
-40
-15
10
35
60
85
110
135
150
瞬时通态电流（I
T
） - 安培
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
结温（T
J
) -- (°C)
瞬时通态电压（v
T
） - 伏
图5 ：功耗（典型值）与RMS
通态电流
45
图6 ：最大允许外壳温度
VS. RMS通态电流
最大允许外壳温度（T
C
) - °C
160
150
140
130
120
110
HQ6025LH5
100
90
80
0
5
10
15
20
25
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
通态平均功耗
[P
D（ AV ）
] - 沃茨
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
HQ6025RH5
HQ6025NH5
HQ6025KH5
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
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25 A三端双向可控硅
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图7 ：最大允许外壳温度与平均通态电流
最大允许环境温度
(T
A
) - °C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
免费AIR评级
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图8 ：浪涌峰值通态电流与周期数
1000
峰值浪涌（不重复）
通态电流（I
TSM
） - 安培
电源频率： 60 Hz正弦波
负载：阻性
RMS通态电流： [I
T（ RMS ）
] ：最大额定值时
特定网络版外壳温度
注意事项：
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载，不得重复进行，直到结
温度恢复到稳定状态
额定值。
100
10
1
10
100
1000
浪涌电流持续时间 - 完整的周期
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焊接参数
再溢流条件
- 最低温度（T
秒（分钟）
)
前热火
- 最高温度（T
S（ MAX）的
)
- 时间（最小至最大） （T
s
)
平均倾斜上升率（液相线温度）
(T
L
）峰
T
S（ MAX）的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度（T
L
） （液相）
- 温度（T
L
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
斜升
t
P
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
T
L
T
S（ MAX）的
预热
t
L
斜坡-DO
减速
t
S
25
时间到峰值温度
时间
峰值温度（T
P
)
在5 ℃，实际峰值的时间
温度（T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度（T
P
)
不超过
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
身体特定网络阳离子
终端物料
铜合金
环境特定网络阳离子
TEST
高温
电压闭锁
温度循环
说明和条件
米尔
-STD - 750 ： 1040的方法，条件A
为V
RRM
， 150℃， 1008小时
米尔
-STD - 750 ：方法1051
-40 ° C至150 ° C， 15分钟的停留，
100次
EIA / JEDEC ： JESD22- A101
320VDC ， 85 ℃，85 ％RH下， 1008小时
米尔
-STD - 750 ： 1031的方法
150℃， 1008小时
-40°C ， 1008小时
米尔
-STD - 750 ： 1056的方法
0 ° C至100 ° C， 5分钟的停留，
10秒的转移， 10个循环
终端完成
100 ％雾锡电镀
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
机身材质
偏置温度&
湿度
较高的温度。存储
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75％
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热，
过电压（包括的dv / dt ） ，和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装，
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
EIA / JEDEC ： JESD22- A102
（压力锅测试）
121 ℃，100 ％RH下， 2atm ， 168小时
耐
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
米尔
-STD - 750 ： 2031的方法
260℃ 10秒
ANSI / J- STD- 002 ，类别3 ，试验A
米尔
-STD - 750 ： 2036的方法，条件E
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T
秒（分钟）
