PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
PNP外延达林顿晶体管。高直流电流增益。
单片式结构，具有内置基射极分流电阻。
HP127W
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
TO-263
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………65W
P
C
--Collector
Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-100V
V
E B
② ：辐射源
基极电压连续.................................... -5V
I
C
--Collector
目前DC ）
（
………………………………………-5A
I
C
--Collector
Current（Pulse）……………………………………-8A
IB - 基极电流................................................... -120mA
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
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电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
H
FE
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
*直流电流增益
最小典型最大单位
－１００
－１００
１０００
－２．０
－４．０
－２．５
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
测试条件
I
C
=-1mA,
I
C
=-5mA,
I =0
E
I =0
B
V
CE
= -3V ，我
C
=-0.5A
I
C
= -3A ，我
B
=-12mA
I
C
= -3A ，我
B
=-20mA
V
CE
= -3V ，我
C
=-3A
V
CE(sat1)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
*集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
COB
*基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
－０．５ ½Ａ
V
CB
= -50V ，我
B
=0
－０．２ ½Ａ
V
CB
= -100V ，我
E
=0
－２．０ ½Ａ
V
EB
= -5V ，我
C
=0
３００ ½Ｆ
V
CB
= -10V ，我
E
=0，f=0.1ＭＨ½
*
Pulse Test：PW≤300μ½，Ｄ½½½ ½½½½½≤2%
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HP127W
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