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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第293页 > HN7G02FU
HN7G02FU
东芝多芯片分立器件
HN7G02FU
电源管理开关应用，逆变器电路
应用，应用电路驱动器和接口
电路应用。
单位：mm
Q1 （晶体管） ： RN2110等效
Q2 （ MOS -FET ） ： 2SK1830等效
Q1 （晶体管）最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
-50
-50
-5
-100
单位
V
V
V
mA
Q2 （ MOS -FET ）最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
符号
V
DS
V
GSS
I
D
等级
20
10
50
单位
V
V
mA
JEDEC
JEITA
东芝
重量：
G（典型值）。
―
―
―
记号
Q1 ， Q2共同评分
（大
=
25°C)
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
200
150
-55~150
单位
FT
mW
°C
°C
注：总的评价
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
1
2003-03-12
HN7G02FU
Q1
(
晶体管
)
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
R1
测试条件
V
CB
= -50
V，I
E
=
0
V
EB
= -5
V，I
C
=
0
V
CE
= -5
V，I
C
= -1
mA
I
C
=
5毫安，我
B
= -0.25
mA
民
120
3.29
典型值。
-0.1
4.7
最大
-100
-100
400
-0.3
6.11
V
kW
单位
nA
nA
Q2
（ MOS- FET）的
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0
I
D
=
100
毫安，
V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安V
GS
=
2.5 V
民
20
0.5
20
典型值。
20
最大
1
1
1.5
40
单位
mA
V
mA
V
mS
W
2
2003-03-12
HN7G02FU
Q1 （晶体管）
I
C
– V
我（上）
-3000
-50
I
C
– V
我（关闭）
(A)
IC
-10
-5
-3
Ta
=
100°C
25
-25
-1
共发射极
-0.5
-0.3
-0.1
-0.3
-1
-3
VCE
= -0.2
V
-10
-30
-100
I
C
(A)
-30
-1000
-500
-300
集电极电流
集电极电流
Ta
=
100°C
25
-25
-100
-50
-30
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
共发射极
VCE
= -5
V
-1.2
-1.4
-1.6
输入电压
V
我（上）
(V)
输入电压
V
我（关闭）
(V)
h
FE
– I
C
-3000
-3
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
-1000
-1
-0.5
-0.3
h
FE
-500
-300
Ta
=
100°C
直流电流增益
25
-100
-50
-30
共发射极
VCE
= -5
V
-10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-25
-0.1
-0.05
-0.03
Ta
=
100°C
-25
25
共发射极
IC / IB
=
20
-0.01
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
3
2003-03-12
HN7G02FU
Q2 （ MOS -FET ）
（一）开关时间测试电路
2.5 V
IN
50
9
0
10
mS
V
IN
R
L
I
D
OUT
V
DD
=
3 V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
2.5 V
（二）V
IN
V
GS
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
t
on
90%
t
r
t
关闭
t
f
90%
10%
10%
V
DD
I
D
– V
DS
60
常见的来源
Ta
=
25°C
2.5
2.2
1.2
I
D
– V
DS
(½電圧領域)
常见的来源
1.1
1.2
Ta
=
25°C
50
1.0 2.5
（MA ）
40
（MA ）
I
D
2.0
0.8
1.05
0.6
I
D
30
漏电流
20
漏电流
1.8
1.6
VGS
=
1.4 V
1.2
0.4
VGS
=
1.0 V
0.95
0.9
0.8
10
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0
S
G
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
50
30
10
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
3 V
（MA ）
（MA ）
D
5
3
1
Ta
=
100°C
I
DR
ドレイン逆電流
漏电流
IDR
I
D
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0
25
-25
-0.2 -0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
4
2003-03-12
HN7G02FU
Y
fs
– I
D
100
100
常见的来源
50
30
VDS
=
3 V
Ta
=
25°C
50
30
- V
DS
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
Y
fs
（女士）
正向转移导纳
（PF ）
电容C
10
5
3
西塞
科斯
CRSS
1
0.5
0.3
0.1
10
5
3
0.5
1
3
5
10
30
50
100
0.3
0.5
1
3
5
10
20
漏电流
I
D
（MA ）
漏源电压
V
DS
(V)
V
DS （ ON）
– I
D
3000
常见的来源
1000
VGS
=
2.5 V
1000钽
=
25°C
500
300
吨 - 我
D
漏源导通电阻
V
DS （ ON）
（毫伏）
（纳秒）
花花公子
tf
百吨
tr
ID
2.5 V
0
50
9
VIN
10
ms
VOUT
RL
VDD
=
3 V
10
3
D.U.
＆ LT ;
1%
=
VIN ： TR ， TF
＆ LT ;
5纳秒
（ ZOUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
30
100
100
50
30
10
5
0.5
1
3
5
10
30
50
100
10
0.3
开关时间
t
1
漏电流
I
D
（MA ）
漏电流
I
D
（MA ）
P
D
- TA
200
（ mW）的
功耗P
D
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
5
2003-03-12
HN7G02FU
东芝多芯片分立器件
HN7G02FU
电源管理开关应用，逆变器电路
应用，应用电路驱动器和接口
电路应用。
Q1 （晶体管） ： RN2110等效
Q2 （ MOS -FET ） ： 2SK1830等效
单位：mm
Q1 （晶体管）绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
Q2 （ MOS -FET ）绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
符号
V
DS
V
GSS
I
D
等级
20
10
50
单位
V
V
mA
JEDEC
JEITA
东芝
重量：
G（典型值）。
―
―
―
Q1 ， Q2共同评分
（大
=
25°C)
记号
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
等级
200
150
55~150
单位
mW
°C
°C
FT
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件（即工作
温度/电流/电压等）内的绝对最大
当量
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
6
5
半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
Q1
电路
（ TOP VIEW ）
4
Q2
注1 ：总的评价
1
2
3
1
2007-11-01
HN7G02FU
Q1
(
晶体管
)
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电阻
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
R1
测试条件
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 1
mA
I
C
=
5毫安，我
B
= 0.25
mA
民
120
3.29
典型值。
0.1
4.7
最大
100
100
400
0.3
6.11
V
kΩ
单位
nA
nA
Q2
（ MOS- FET）的
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0
I
D
=
100
μA,
V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安V
GS
=
2.5 V
民
20
0.5
20
典型值。
20
最大
1
1
1.5
40
单位
μA
V
μA
V
mS
Ω
2
2007-11-01
HN7G02FU
Q1 （晶体管）
I
C
– V
我（上）
3000
50
30
I
C
– V
我（关闭）
(A)
集电极电流Ic
10
5
3
Ta
=
100°C
25
25
1
共发射极
0.5
0.3
0.1
0.3
1
3
VCE
= 0.2
V
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
1000
500
Ta
=
100°C
300
25
25
100
50
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
共发射极
VCE
= 5
V
1.2
1.4
1.6
输入电压
V
我（上）
(V)
输入电压
V
我（关闭）
(V)
h
FE
– I
C
3000
3
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
1000
1
0.5
0.3
直流电流增益
FE
500
300
Ta
=
100°C
25
100
50
30
共发射极
VCE
= 5
V
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
25
0.1
0.05
0.03
Ta
=
100°C
25
25
共发射极
IC / IB
=
20
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
3
2007-11-01
HN7G02FU
Q2 （ MOS -FET ）
（一）开关时间测试电路
2.5 V
IN
50
Ω
0
10
μS
V
IN
R
L
I
D
OUT
V
DD
=
3 V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
2.5 V
（二）V
IN
V
GS
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
t
on
90%
t
r
t
关闭
t
f
90%
10%
10%
V
DD
I
D
– V
DS
60
常见的来源
Ta
=
25°C
50
2.5
2.2
1.0 2.5
1.2
1.2
I
D
– V
DS
(½電圧領域)
常见的来源
1.1
Ta
=
25°C
漏电流I
D
（MA ）
40
漏电流I
D
（MA ）
2.0
0.8
1.05
0.6
30
1.8
20
1.6
VGS
=
1.4 V
1.2
0.4
VGS
=
1.0 V
0.95
0.9
0.8
10
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0
S
G
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
50
30
10
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
3 V
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
D
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0
Ta
=
100°C
ドレイン逆電流
I
DR
IDR
25
25
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
4
2007-11-01
HN7G02FU
Y
fs
– I
D
100
100
常见的来源
VDS
=
3 V
50
30
Ta
=
25°C
50
30
- V
DS
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
正向转移导纳
Y
fs
（女士）
（PF ）
电容C
10
5
3
西塞
科斯
CRSS
1
0.5
0.3
0.1
10
5
3
0.5
1
3
5
10
30
50
100
0.3
0.5
1
3
5
10
20
漏电流I
D
（MA ）
漏源电压
V
DS
(V)
V
DS （ ON）
– I
D
3000
常见的来源
1000
VGS
=
2.5 V
1000钽
=
25°C
500
300
吨 - 我
D
漏源导通电阻
V
DS （ ON）
（毫伏）
开关时间t（ NS ）
花花公子
tf
百吨
tr
ID
2.5 V
0
VIN
10
μs
50
Ω
VOUT
RL
VDD
=
3 V
10
3
D.U.
＆ LT ;
1%
=
VIN ： TR ， TF
＆ LT ;
5纳秒
（ ZOUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
30
100
100
50
30
10
5
0.5
1
3
5
10
30
50
100
10
0.3
1
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
P
D
- TA
200
（ mW）的
功耗P
D
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
5
2007-11-01
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