HN58X2532I
HN58X2564I
串行外设接口
32K EEPROM （ 4千字
×
8-bit)
64K EEPROM （ 8千字
×
8-bit)
电可擦除和可编程只读存储器
REJ03C0058-0300
Rev.3.00
Jul.06.2005
描述
HN58X25xxx系列的串行外设接口兼容（ SPI ） EEPROM （电可擦除和
可编程ROM ） 。它实现了高速，低功耗和通过使用高水平的可靠性
先进的MONOS存储技术和CMOS工艺和低电压电路技术。它也有一个32字节
网页编程功能，使其的写操作速度更快。
注意：瑞萨串行EEPROM被授权使用的消费应用，如蜂窝电话，
放像机，音响设备。因此，使用前请联系瑞萨科技销售办事处
工业应用中，如汽车系统，嵌入式控制器，和米。
特点
单电源： 1.8 V至5.5 V
串行外设接口兼容（ SPI总线）
SPI模式0 （0,0）， 3 （1,1）
时钟频率： 5兆赫（ 2.5 V至5.5 V ） ， 3兆赫（ 1.8 V至5.5 V ）
功耗：
待机： 3
A
（最大）
主动（读） ：3.0 MA（最大）
主动（写） ：3.5 MA（最大）
自动页写： 32字节/页
写周期时间： 5毫秒（ 2.5 V分钟） ， 8毫秒（ 1.8 V分钟）
耐力： 10
6
擦/写周期
数据保存： 10年
小尺寸封装： SOP- 8PIN ， TSSOP- 8PIN
装运胶带和卷轴
TSSOP - 8针： 3000 IC /卷
SOP-8pin
： 2500 IC /卷
温度范围：
40
to
+85°C
无铅产品。
Rev.3.00 ， Jul.06.2005 ，第20页1
HN58X2532I/HN58X2564I
订购信息
型号
HN58X2532FPIE
HN58X2564FPIE
HN58X2532TIE
HN58X2564TIE
内设机构
基于32kbit （4096
×
8-bit)
64千比特（ 8192
×
8-bit)
基于32kbit （4096
×
8-bit)
64千比特（ 8192
×
8-bit)
1.8 V至5.5 V
工作电压
1.8 V至5.5 V
频率
5兆赫
（ 2.5 V至5.5 V ）
3兆赫
（ 1.8 V至5.5V ）
5兆赫
（ 2.5 V至5.5 V ）
3兆赫
（ 1.8 V至5.5 V ）
包
150mil 8引脚塑料SOP
PRSP0008DF-B
(FP-8DBV)
无铅
8引脚塑料TSSOP
PTSP0008JC-B
(TTP-8DAV)
无铅
管脚配置
8引脚SOP / TSSOP
S
Q
W
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
C
D
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
C
D
Q
S
W
HOLD
V
CC
V
SS
功能
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
芯片选择
写保护
HOLD
电源电压
地
Rev.3.00 ， Jul.06.2005 ， 20第2页
HN58X2532I/HN58X2564I
框图
高压发生器
V
CC
V
SS
地址发生器
X
解码器
W
C
HOLD
D
Q
控制逻辑
S
存储阵列
Y
解码器
Y型选择&读出放大器。
串行 - 并行转换器
绝对最大额定值
参数
符号
电源电压相对于V
SS
V
CC
输入相对于V电压
SS
V
IN
1
工作温度范围*
TOPR
存储温度范围
TSTG
注：1.包括电气特性和数据保留。
2. V
IN
（分钟） ：
3.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
3.不宜超过V
CC
+
1.0 V.
价值
0.6
到+ 7.0
0.5*
2
到+ 7.0 *
3
40
+85
65
+125
单位
V
V
°C
°C
直流工作条件
参数
电源电压
符号
民
V
CC
1.8
V
SS
0
输入电压
V
IH
V
CC
×
0.7
V
IL
0.3*
1
工作温度范围
TOPR
40
注意事项： 1， V
IN
（分钟） ：
1.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
2. V
IN
（最大值） ： V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
典型值
0
最大
5.5
0
V
CC
+
0.5*
2
V
CC
×
0.3
+85
单位
V
V
V
V
°C
Rev.3.00 ， Jul.06.2005 ， 20第3页
HN58X2532I/HN58X2564I
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
当前
待机
活跃
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
民
最大
2
2
3
2
单位
A
A
A
mA
测试条件
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 0 5.5 V
（S ， D，C ，
HOLD ， W）
V
CC
= 5.5 V, V
OUT
= 0 5.5 V
(Q)
V
IN
= V
SS
或V
CC
,
V
CC
= 5.5 V
V
CC
= 3.6 V ，阅读在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1/V
CC
×
0.9 Q =
开放
V
CC
= 5.5 V ，阅读在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1/V
CC
×
0.9 Q =
开放
V
CC
= 3.6 V ，写在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1/V
CC
×
0.9
V
CC
= 5.5 V ，写在5 MHz
V
IN
= V
CC
×
0.1/V
CC
×
0.9
V
CC
= 5.5 V，I
OL
= 2毫安
V
CC
= 2.5 V，I
OL
= 1.5毫安
V
CC
= 5.5 V，I
OL
=
2
mA
V
CC
= 2.5 V，I
OL
=
0.4
mA
3
mA
I
CC2
2
3.5
0.4
0.4
mA
mA
V
V
V
V
输出电压
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
V
CC
×
0.8
V
CC
×
0.8
Rev.3.00 ， Jul.06.2005 ， 20的第4页
HN58X2532I/HN58X2564I
AC特性
测试条件
输入pules级别：
V
IL
= V
CC
×
0.2
V
IH
= V
CC
×
0.8
输入上升和下降时间：
≤
10纳秒
输入和输出的定时参考水平： V
CC
×
0.3, V
CC
×
0.7
输出参考水平： V
CC
×
0.5
输出负载： 100 pF的
参数
时钟频率
S
积极建立时间
S
不主动设置时间
S
取消选择时间
S
积极的保持时间
S
不主动保持时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
时钟下降时间
数据建立时间
数据保持时间
后低时钟保持时间
HOLD
不活跃
后低时钟保持时间
HOLD
活跃
时钟高电平的建立时间之前
HOLD
活跃
时钟高电平的建立时间之前
HOLD
不
活跃
符号
f
C
t
SLCH
t
SHCH
t
SHSL
t
CHSH
t
CHSL
t
CH
t
CL
t
CLCH
t
CHCl 3
t
DVCH
t
CHDX
t
HHCH
t
HLCH
t
CHHL
t
CHHH
ALT
f
SCK
t
CSS1
t
CSS2
t
CS
t
CSH
t
CLH
t
CLL
t
RC
t
FC
t
DSU
t
DH
民
90
90
90
90
90
90
90
20
30
70
40
60
60
（大=
40
to
+85°C,
V
CC
= 2.5 V至5.5 V ）
最大
5
1
1
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
周期
笔记
1
1
2
2
输出禁止时间
t
SHQZ
t
DIS
100
时钟低到输出有效
t
CLQV
t
V
70
输出保持时间
t
CLQX
t
HO
0
输出上升时间
t
QLQH
t
RO
50
输出下降时间
t
QHQL
t
FO
50
HOLD
高输出低Z
t
HHQX
t
LZ
50
HOLD
低到输出高阻
t
HLQZ
t
HZ
100
发表时间
t
W
t
WC
5
6
擦/写能力
10
注：1。吨
CH
+
t
CL
≥
1/f
C
2.价值由特性保证，而不是100 ％生产测试。
3.值由特性保证，而不是100 ％的产品（ TA = 25 ℃）测试。
2
2
2
2
2
3
Rev.3.00 ， Jul.06.2005 ， 20第5页
QQ：2881677436 复制
