HN58W241000I
两线串行接口
1M的EEPROM （ 128千字
×
8-bit)
REJ03C0138-0300
Rev.3.00
Jul.12.2005
描述
HN58W241000I是两线串行接口的EEPROM （电可擦可编程ROM） 。它实现
高速，低功耗和采用先进的MNOS存储器技术高水平的可靠性
与CMOS工艺和低电压电路技术。它还具有一个256字节的页的编程函数，以使
它的写操作速度更快。
注：瑞萨科技的串行EEPROM被授权使用的消费应用，如蜂窝电话，
摄像机，音响设备。因此，使用前请联系瑞萨科技销售办事处
工业应用中，如汽车系统，嵌入式控制器，和米。
特点
单电源： 2.5 V至3.6 V
两线串行接口（I
2
C
TM
串行总线*
1
)
时钟频率： 1MHz的
功耗：
待机： 1
A
（最大）
主动（读） ： 1毫安（最大值）
主动（写） ：4 MA（最大）
自动页写： 256字节/页
写周期时间： 5.0毫秒（最大值）
耐力： 10
5
周期
数据保存： 10年
小尺寸封装： SOP- 8针（ 200密耳宽）
装运胶带和卷轴： 1500 IC /卷
温度范围：
40
至+ 85°C
无铅产品。
注：1。我
2
C是飞利浦公司的商标。
订购信息
型号
HN58W241000FPIE
内设机构
工作电压
1M位
2.5 V至3.6 V
(131,072
×
8-bit)
频率
1兆赫
包
200万8引脚塑料SOP
PRSP0008DG-B
(FP-8DFV)
无铅
Rev.3.00,
Jul.12.2005,
第18页1
HN58W241000I
两线串行接口
1M的EEPROM （ 128千字
×
8-bit)
REJ03C0138-0200
Rev.2.00
Dec.13.2004
描述
HN58W241000I是两线串行接口的EEPROM （电可擦除可编程
只读存储器） 。它实现了高速，低功耗和通过使用高水平的可靠性
MNOS先进的内存技术和CMOS工艺和低电压电路技术。这也
具有256字节的页的编程函数，以使它的写操作速度更快。
注：瑞萨科技的串行EEPROM被授权使用的消费应用，如
蜂窝电话，摄像机，音响设备。因此，请与瑞萨科技公司
用工业应用，如车载系统，嵌入式控制器之前销售办事处，
和米。
特点
单电源： 2.5 V至3.6 V
两线串行接口（I
2
C
TM
串行总线*
1
)
时钟频率： 1MHz的
功耗：
待机： 1
A
（最大）
主动（读） ： 1毫安（最大值）
主动（写） ：4 MA（最大）
自动页写： 256字节/页
写周期时间： 5.0毫秒（最大值）
耐力： 10
5
周期
数据保存： 10年
小尺寸封装： SOP- 8针（ 200密耳宽）
装运胶带和卷轴： 1500 IC /卷
温度范围：
40
至+ 85°C
无铅产品。
注：1。我
2
C是飞利浦公司的商标。
Rev.2.00 ， Dec.13.2004 ，页19 1
HN58W241000I
订购信息
型号
内设机构工作电压频率
2.5 V至3.6 V
1兆赫
包
200万8引脚塑料SOP
(FP-8DFV)
无铅
HN58W241000FPIE 1M位
(131,072
×
8-bit)
管脚配置
8引脚SOP
NC
A1
A2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
（ TOP VIEW ）
V
CC
WP
SCL
SDA
引脚说明
引脚名称
A1, A2
SCL
SDA
WP
V
CC
V
SS
NC
功能
设备地址
串行时钟输入
串行数据输入/输出
写保护
电源
地
无连接
Rev.2.00 ， Dec.13.2004 ， 19第2页
HN58W241000I
框图
V
CC
V
SS
高压发生器
地址发生器
X解码器
存储阵列
WP
A1, A2
SCL
SDA
控制
逻辑
Y译码
Y型选择&读出放大器。
串行 - 并行转换器
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
存储温度范围
1
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.5*
2
到+ 7.0 *
3
40
+85
65
+125
单位
V
V
°C
°C
注：1.包括电气特性和数据保留。
2. VIN（MIN ） ：
3.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
3.不宜超过V
CC
+ 1.0 V.
直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
TOPR
民
2.5
0
V
CC
×
0.7
0.3*
1
40
典型值
0
最大
3.6
0
V
CC
×
0.3
+85
单位
V
V
V
°C
V
CC
+ 0.5*
2
V
注意事项： 1， V
IL
（分钟） ：
1.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
2. V
IH
（最大值） ： V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
Rev.2.00 ， Dec.13.2004 ， 19 3页
HN58W241000I
DC特性
（大=
40
+ 85℃ ，V
CC
= 2.5 V至3.6 V ）
参数
输入漏电流
符号最小值
I
LI
输出漏电流
待机V
CC
当前
阅读V
CC
当前
写V
CC
当前
输出低电压
I
LO
I
SB
I
CC1
I
CC2
V
OL
典型值
最大
2.0
20
2.0
1.0
1.0
4.0
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
测试条件
V
CC
= 3.6 V ， VIN = 0 3.6 V
（ SCL，SDA ）
V
CC
= 3.6 V ， VIN = 0 3.6 V
（ A1，A2， WP）
V
CC
= 3.6 V ，输出电压= 0 3.6 V
VIN = V
SS
或V
CC
V
CC
= 3.6 V ，阅读在1 MHz
V
CC
= 3.6 V ，写在1 MHz
V
CC
= 2.5 3.6 V，I
OL
- 0.8毫安
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
符号
C
I / O
*
1
民
典型值
最大
6.0
6.0
单位
pF
pF
TEST
条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
输入电容（ A1到A2 ，SCL WP） Cin的*
1
输出电容（ SDA ）
注意：
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
Rev.2.00 ， Dec.13.2004 ， 19第4页
HN58W241000I
AC特性
（大=
40 + 85°C ，V
CC
= 2.5 3.6 V ）
测试条件
输入pules级别：
V
IL
= 0.2
×
V
CC
V
IH
= 0.8
×
V
CC
输入上升和下降时间：
≤
20纳秒
输入和输出的定时参考水平： 0.5
×
V
CC
输出负载： TTL门+ 100 pF的
V
CC
= 2.5 3.6 V
参数
时钟频率
时钟脉冲宽度低
时钟脉冲宽度高
噪声抑制时间
存取时间
总线空闲时间为下一个模式
开始保持时间
启动安装程序时
数据保持时间
数据建立时间
输入上升时间
输入下降时间
停止建立时间
数据输出保持时间
写周期时间
符号
f
SCL
t
低
t
高
t
I
t
AA
t
BUF
t
HD.STA
t
SU.STA
t
HD.DAT
t
SU.DAT
t
R
t
F
t
SU.STO
t
DH
t
WC
民
600
400
100
500
250
250
0
100
250
50
典型值
最大
1000
50
550
300
100
5.0
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
2
1
1
1
笔记
注：1。该参数进行采样，而不是100 ％测试。
2. t
WC
是从停止状态到内部控制的写周期结束的时间。
Rev.2.00 ， Dec.13.2004 ， 19个5页
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