HN58V65AI系列
HN58V66AI系列
HN58V65A -SR系列
HN58V66A -SR系列
64K EEPROM （ 8千字
×
8-bit)
就绪/忙功能，
水库
功能（ HN58V66A ）
工作温度范围宽版
REJ03C0153-0300Z
（上ADE - 203-759B （ Z） Rev.2.0 ）
修订版3.00
Feb.02.2004
描述
瑞萨科技HN58V65A系列和HN58V66A系列电可擦除和
组织为8192字可编程EEPROM的
×
8位。他们已经意识到高速，低功率
消费和高可靠性采用先进的MNOS存储技术和CMOS工艺
和电路技术。他们也有一个64字节的页编程功能，使他们的写
操作更快。
特点
单电源： 2.7 5.5 V
访问时间：
为100 ns （最大值） 2.7 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
70纳秒（最大值） ，在4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
功耗：
主动： 20毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 110
W
（最大）
片内锁存器：地址，数据，
CE， OE ， WE
自动字节写： 10毫秒（最大值）
自动页写入（64字节） ： 10毫秒（最大值）
就绪/忙
数据
轮询和切换位
电源开/关数据保护电路
Rev.3.00 ， Feb.02.2004 ，页26 1
HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
特点
（续）
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10
5
擦除/写周期（以页面模式）
10年的数据保留
软件数据保护
通过写保护
水库
引脚（仅HN58V66A系列）
工作温度范围：
HN58V65AI / HN58V66AI系列：
40
至+ 85°C
HN58V65A - SR / HN58V66A - SR系列：
20
至+ 85°C
也有无铅产品。
订购信息
存取时间
型号
HN58V65API-10
HN58V66API-10
HN58V65AFPI-10
HN58V66AFPI-10
HN58V65ATI-10
HN58V66ATI-10
HN58V65AT-10SR
HN58V66AT-10SR
HN58V65API-10E
HN58V66API-10E
2.7 V
≤
V
CC
< 4.5 V 4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V封装
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
600万28引脚塑料DIP （ DP- 28V ）
无铅
400万28引脚塑料SOP （ FP- 28DV ）
无铅
28引脚塑料TSOP （ TFP- 28DBV ）
无铅
28引脚塑料TSOP （ TFP- 28DB ）
400万28引脚塑料SOP （ FP- 28D ）
600万28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）
HN58V65AFPI - 10E为100 ns
HN58V66AFPI - 10E为100 ns
HN58V65ATI-10E
HN58V66ATI-10E
100纳秒
100纳秒
HN58V65AT - 10SRE 100纳秒
HN58V66AT - 10SRE 100纳秒
Rev.3.00 ， Feb.02.2004 ， 26第2页
HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
管脚配置
HN58V65API系列
HN58V65AFPI系列
RDY / BUSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
HN58V66API系列
HN58V66AFPI系列
RDY / BUSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
水库
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
HN58V65ATI系列
HN58V65AT -SR系列
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A3
A4
A5
A6
A7
A12
RDY / BUSY
V
CC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
（ TOP VIEW ）
HN58V66ATI系列
HN58V66AT -SR系列
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A3
A4
A5
A6
A7
A12
RDY / BUSY
V
CC
WE
水库
A8
A9
A11
OE
（ TOP VIEW ）
Rev.3.00 ， Feb.02.2004 ， 26 3页
HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
引脚说明
引脚名称
A0到A12
I / O0至I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
RES *
1
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
无连接
注：1，该功能支持仅HN58V66A系列。
框图
注：1，该功能支持仅HN58V66A系列。
V
CC
V
SS
水库
*
1
OE
CE
WE
水库
*
1
A0
to
I/O0
to
I/O7
高压发生器
RDY / BUSY
I / O缓冲器
和
输入锁存
控制逻辑和时序
Y译码
地址
缓冲区和
LATCH
门控
A5
A6
to
X解码器
存储阵列
A12
数据锁存器
Rev.3.00 ， Feb.02.2004 ， 26第4页
HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
手术床
手术
读
待机
写
DESELECT
写禁止
数据
轮询
程序复位
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
×
×
V
IL
×
OE
V
IL
×*
2
V
IH
V
IH
×
V
IL
V
IL
×
WE
V
IH
×
V
IL
V
IH
V
IH
×
V
IH
×
RES *
3
V
H
*
1
×
V
H
V
H
×
×
V
H
V
IL
RDY / BUSY
高-Z
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
V
OL
高-Z
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
DOUT （ I / O7 ）
高-Z
注意事项： 1.参考建议的直流工作条件。
2.
×
：无所谓
3.只有HN58V66A系列支持此功能。
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围
*
2
HN58V65AI/HN58V66AI
符号
V
CC
VIN
TOPR
价值
-0.6到+7.0
-0.5 *到
+7.0*
3
-40至+85
-20至+85
-55到+125
1
单位
V
V
°C
°C
°C
HN58V65A - SR / HN58V66A -SR范围Topr
存储温度范围
注意事项： 1，输入电压的最小值： -3.0 V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
2.包括电特性和数据保持。
3.不宜超过V
CC
+ 1 V.
TSTG
Rev.3.00 ， Feb.02.2004 ， 26个5页
QQ：2881677436 复制
