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HN58V1001系列
1M的EEPROM ( 128千字
×
8-bit)
就绪/忙
水库
功能
REJ03C0146-0800Z
(上ADE - 203-314G ( Z)修订版7.0 )
修订版8.00
11月28日2003
描述
瑞萨科技
's
HN58V1001是组织为电可擦除可编程ROM 131072-
×
8位。它已经通过用人高级实现高速,低功耗和高可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个128字节的页
编程函数,以使写操作速度更快。
特点
采用3 V单电源: 2.7 V至5.5 V
访问时间: 250 NS (最大值)
功耗
主动: 20毫瓦/兆赫(典型值)
待机: 110
W
(最大)
片内锁存器:地址,数据,
CE, OE , WE
自动字节写: 15毫秒(最大值)
自动页写( 128字节) : 15毫秒(最大值)
数据
投票和RDY /忙
电源开/关数据保护电路
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10擦除/写周期(以页面模式)
4
10年的数据保留
软件数据保护
通过写保护
水库
也有无铅产品。
Rev.8.00 11月28 2003 ,页21 1
HN58V1001系列
订购信息
型号
HN58V1001FP-25
HN58V1001T-25
HN58V1001FP-25E
HN58V1001T-25E
存取时间
250纳秒
250纳秒
250纳秒
250纳秒
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
32引脚塑料TSOP ( TFP- 32DA )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32DV )
无铅
32引脚塑料TSOP ( TFP- 32DAV )
无铅
管脚配置
HN58V1001FP系列
RDY /
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
HN58V1001T系列
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
( TOP VIEW )
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
RDY /
V
CC
A15
水库
WE
A3
A2
A1
A13
A0
I/O0
A8
I/O1
A9
I/O2
A11 V
SS
OE
I/O3
A10 I / O4
I/O5
CE
I/O6
I / O7 I / O7
I/O6
CE
A10
I/O5
OE
I/O4
I/O3
水库
WE
A13
A8
A9
A11
Rev.8.00 11月28 2003年, 21页2
HN58V1001系列
引脚说明
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
水库
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
准备好忙
RESET
框图
I/O0
to
I/O7
高压发生器
RDY /
V
CC
V
SS
水库
OE
CE
WE
水库
A0
to
I / O缓冲器
输入锁存
控制逻辑和时序
Y译码
门控
A6
地址
缓冲区和
LATCH
A7
to
X解码器
存储阵列
A16
数据锁存器
Rev.8.00 11月28 2003年21 3页
HN58V1001系列
手术床
手术
待机
DESELECT
写禁止
数据
轮询
程序复位
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
×
×
V
IL
×
OE
V
IL
×*
2
WE
V
IH
×
V
IL
V
IH
V
IH
×
V
IH
×
水库
V
H
*
×
V
H
V
H
×
×
V
H
V
IL
1
RDY / BUSY
高-Z
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
V
OL
高-Z
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
DOUT ( I / O7 )
高-Z
V
IH
V
IH
×
V
IL
V
IL
×
注意事项: 1.参考建议的直流工作条件。
2.
×
:无所谓
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
存储温度范围
2
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
0.6
到+7.0
0.5*
到+7.0
1
单位
V
V
0至+70
-55到+125
°
C
°
C
注意事项: 1,输入电压的最小值=
3.0
V的脉冲宽度
50纳秒
2.包括电特性和数据保持
建议的直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IL
V
IH
V
H
工作温度
TOPR
注意事项: 1, V
IL
(分钟) :
1.0
V的脉冲宽度
50纳秒
2. V
IH
(分钟) : 2.2 V的V
CC
= 3.6 5.5 V
2.7
0
0.3*
1.9*
2
1
典型值
3.0
0
最大
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 1.0
+70
单位
V
V
V
V
V
V
CC
0.5
0
°
C
Rev.8.00 11月28 2003年, 21页4
HN58V1001系列
DC特性
(大= 0至+ 70 ° C,V
CC
= 2.7 V至5.5 V )
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
V
CC
×
0.8
典型值
最大
2*
2
20
1
6
15
0.4
1
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 3.6 V , VIN = 3.6 V
V
CC
= 3.6 V ,输出电压= 3.6 / 0.4 V
CE
= V
CC
CE
= V
IH
IOUT = 0 mA时,占空比为100 % ,
周期为1微秒,V
CC
= 3.3 V
IOUT = 0 mA时,占空比为100 % ,
周期= 250纳秒,V
CC
= 3.3 V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
400 A
注:1。我
LI
on
RES :
100
A
(最大)
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容*
注意:
1
1
符号
CIN
COUT
典型值
最大
6
12
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
输出电容*
1.此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
Rev.8.00 11月28 2003年, 21第5页
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HN58V1001T-25E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:358410056 复制
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
HN58V1001T-25E
RENESAS
08+
1003
原厂标准封装
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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