HN58S256A系列
256千EEPROM（ 32千字
×
8-bit)
ADE - 203-692B （ Z）
修订版2.0
1997年11月
描述
日立HN58S256A是一个电可擦可编程的EEPROM的组织如32768-
字
×
8位采用先进的MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
技术。它也有一个64字节的页编程函数，以使写操作速度更快。
特点
单电源： 2.2 3.6 V
访问时间： 150 NS （最大值） / 200毫微秒（最大）
功耗：
主动： 10毫瓦/兆赫（典型值）
待机： 36
W
（最大）
片内锁存器：地址，数据，
CE， OE ， WE
自动字节写： 15毫秒（最大值）
自动页写入（64字节） ： 15毫秒（最大值）
数据
轮询和切换位
电源开/关数据保护电路
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10
5
擦除/写周期（以页面模式）
10年的数据保留
软件数据保护
工业版本（ 。温度范围： -40 85℃ ），也可提供。
HN58S256A系列
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
输入相对于V电压
SS
Operationg温度范围*
2
存储温度范围
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
-0.6到+4.6
–0.5*
1
到+ 4.6 *
3
0至+70
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
注意事项： 1，输入电压的最小值= -3.0 V的脉冲宽度
≤
50纳秒
2.包括电特性和数据保持
3.不宜超过V
CC
+ 1.0 V.
建议的直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IL
V
IH
工作温度
TOPR
注意事项： 1， V
IL
分： -1.0 V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
2. V
IH
最大： V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
≤
50纳秒。
民
2.2
0
–0.3*
1
VCC
×
0.7
0
典型值
3.0
0
—
—
—
最大
3.6
0
0.4
单位
V
V
V
°C
V
CC
+ 0.3*
2
V
70
DC特性
（大= 0至+70
°C,
V
CC
= 2.2 3.6 V ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
工作V
CC
当前
I
CC3
民
—
—
—
—
—
—
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
—
V
CC
×
0.8
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
2
2
10
500
8
12
0.4
—
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 3.6 V ， VIN = 0 3.6 V
V
CC
= 3.6 V ，输出电压= 3.6 / 0.4 V，
CE
= V
IH
， VIN = 0 3.6 V
CE
= V
CC
CE
= V
IH
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期= 1
s
在V
CC
= 3.6 V
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期= 150纳秒在V
CC
= 3.6 V
I
OL
= 1.0毫安
I
OH
= –100
A
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