【HN58C65系列8192-word×8位的电可擦除可编程的CMOS只读存储器ADE - 203-3】,IC型号HN58C65P-25,HN58C65P-25 PDF资料,HN58C65P-25经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN58C65系列

8192-word

8位的电可擦除可编程的CMOS

只读存储器

ADE - 203-374A （ Z）

1.0版

1995年4月12日

描述

日立HN58C65组织为8192字一个电可擦除和可编程只读存储器

8位。它

实现高速，低功耗和可靠性高的水平，采用先进的MNOS

存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个32字节的页编程

功能使其擦除和写入操作速度更快。

特点

5 V单电源

片上闩锁：地址，数据，

CE， OE ， WE

自动字节写入：最大10 ms

自动页写（ 32字节）：最大10 ms

快速存取时间： 250 ns（最大值）

低功耗： 20毫瓦/ MHz的典型值（主动）

2.0 mW的典型值（待机）

数据

投票和就绪/忙

在断电数据保护迂曲开/关机

符合JEDEC字节宽度的标准

可靠的CMOS与MNOS电池技术

擦除/写周期（以页面模式）

10年的数据保存

订购信息

型号

HN58C65P-25

HN58C65FP-25

注意：

存取时间

250纳秒

包

600万28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）

28引脚塑料SOP

(FP-28D/DA)

1. T被添加到该类型的端部没有。为3.0毫米（最大）厚度的SOP 。

HN58C65系列

管脚配置

HN58C65P / FP系列

RDY / BUSY

A12

I/O0

I/O1

I/O2

（ TOP VIEW ）

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

引脚说明

引脚名称

A0 – A12

I / O1 - I / O7

RDY / BUSY

功能

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

芯片使能

写使能

电源（ + 5V）

地

无连接

就绪/忙

HN58C65系列

框图

I/O0

控制逻辑和时序

I/O7

RDY / BUSY

高压发生器

I / O缓冲器

和

输入锁存

地址

缓冲区和

LATCH

A12

Y译码

门控

X解码器

存储阵列

数据锁存器

模式选择

MODE引脚

读

待机

写

DESELECT

写禁止

数据

轮询

注意：

高-Z

—

数据输出（ I / O7 ）

RDY / BUSY

高-Z

高Z到V

高-Z

I / O

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

1， X =不关心

HN58C65系列

绝对最大额定值

参数

电源电压

输入电压

工作温度范围

存储温度范围

符号

VIN

TOPR

TSTG

价值

-0.6到+7.0

–0.5

到+7.0

0至+70

-55到+125

单位

°C

注：1。对于V

2. -3.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒。

3.包含电气特性和数据保持。

建议的直流工作条件

参数

电源电压

输入电压

符号

工作温度

TOPR

民

4.5

–0.3

2.2

典型值

5.0

—

最大

5.5

0.8

+ 1

单位

°C

HN58C65系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V

10%)

参数

输入漏电流

输出漏电流

电流（待机）

当前（活动）

符号

CC1

CC2

民

—

典型值

—

最大

单位

测试条件

= 5.5 V

VIN = 5.5 V

= 5.5 V

VOUT = 5.5 / 0.4 V

= V

IOUT = 0 mA时

占空比= 100 ％

周期= 1

= 5.5 V

IOUT = 0 mA时

占空比= 100 ％

周期= 250纳秒的

= 5.5 V

—

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

注意：

–0.3

2.2

—

2.4

—

0.8

+ 1

0.4

—

= 2.1毫安

= –400

1. -1.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

注意：

符号

CIN

COUT

民

—

典型值

—

最大

单位

测试条件

VIN = 0 V

VOUT = 0 V

1.此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

AC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V

10%)

测试条件

输入脉冲电平： 0.4 V至2.4 V

输入上升和下降时间：

≤

20纳秒

输出负载： 1TTL门+ 100 pF的

参考电平测量时间： 0.8 V和2 V

HN58C65系列

8192-word

8位的电可擦除可编程的CMOS

只读存储器

ADE - 203-374A （ Z）

1.0版

1995年4月12日

描述

日立HN58C65组织为8192字一个电可擦除和可编程只读存储器

8位。它

实现高速，低功耗和可靠性高的水平，采用先进的MNOS

存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个32字节的页编程

功能使其擦除和写入操作速度更快。

特点

5 V单电源

片上闩锁：地址，数据，

CE， OE ， WE

自动字节写入：最大10 ms

自动页写（ 32字节）：最大10 ms

快速存取时间： 250 ns（最大值）

低功耗： 20毫瓦/ MHz的典型值（主动）

2.0 mW的典型值（待机）

数据

投票和就绪/忙

在断电数据保护迂曲开/关机

符合JEDEC字节宽度的标准

可靠的CMOS与MNOS电池技术

擦除/写周期（以页面模式）

10年的数据保存

订购信息

型号

HN58C65P-25

HN58C65FP-25

注意：

存取时间

250纳秒

包

600万28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）

28引脚塑料SOP

(FP-28D/DA)

1. T被添加到该类型的端部没有。为3.0毫米（最大）厚度的SOP 。

HN58C65系列

管脚配置

HN58C65P / FP系列

RDY / BUSY

A12

I/O0

I/O1

I/O2

（ TOP VIEW ）

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

引脚说明

引脚名称

A0 – A12

I / O1 - I / O7

RDY / BUSY

功能

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

芯片使能

写使能

电源（ + 5V）

地

无连接

就绪/忙

HN58C65系列

框图

I/O0

控制逻辑和时序

I/O7

RDY / BUSY

高压发生器

I / O缓冲器

和

输入锁存

地址

缓冲区和

LATCH

A12

Y译码

门控

X解码器

存储阵列

数据锁存器

模式选择

MODE引脚

读

待机

写

DESELECT

写禁止

数据

轮询

注意：

高-Z

—

数据输出（ I / O7 ）

RDY / BUSY

高-Z

高Z到V

高-Z

I / O

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

1， X =不关心

HN58C65系列

绝对最大额定值

参数

电源电压

输入电压

工作温度范围

存储温度范围

符号

VIN

TOPR

TSTG

价值

-0.6到+7.0

–0.5

到+7.0

0至+70

-55到+125

单位

°C

注：1。对于V

2. -3.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒。

3.包含电气特性和数据保持。

建议的直流工作条件

参数

电源电压

输入电压

符号

工作温度

TOPR

民

4.5

–0.3

2.2

典型值

5.0

—

最大

5.5

0.8

+ 1

单位

°C

HN58C65系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V

10%)

参数

输入漏电流

输出漏电流

电流（待机）

当前（活动）

符号

CC1

CC2

民

—

典型值

—

最大

单位

测试条件

= 5.5 V

VIN = 5.5 V

= 5.5 V

VOUT = 5.5 / 0.4 V

= V

IOUT = 0 mA时

占空比= 100 ％

周期= 1

= 5.5 V

IOUT = 0 mA时

占空比= 100 ％

周期= 250纳秒的

= 5.5 V

—

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

注意：

–0.3

2.2

—

2.4

—

0.8

+ 1

0.4

—

= 2.1毫安

= –400

1. -1.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

注意：

符号

CIN

COUT

民

—

典型值

—

最大

单位

测试条件

VIN = 0 V

VOUT = 0 V

1.此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

AC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V

10%)

测试条件

输入脉冲电平： 0.4 V至2.4 V

输入上升和下降时间：

≤

20纳秒

输出负载： 1TTL门+ 100 pF的

参考电平测量时间： 0.8 V和2 V