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HN58C256A系列
HN58C257A系列
256K EEPROM ( 32千字
×
8-bit)
就绪/忙
水库
功能( HN58C257A )
ADE - 203-410D ( Z)
修订版4.0
1997年10月24日
描述
日立HN58C256A和HN58C257A是有组织的电可擦除和可编程ROM的
作为32768字
×
8位。他们已经意识到高速低功耗和高可靠性
采用先进的MNOS存储技术和CMOS工艺和电路技术。他们还
有一个64字节的页编程函数,以使他们的写操作速度更快。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±10%
访问时间: 85纳秒/ 100纳秒(最大)
功耗
主动: 20毫瓦/兆赫(典型值)
待机: 110
W
(最大)
片内锁存器:地址,数据,
CE, OE , WE
自动字节写入:最大10 ms
自动页写( 64字节) :最大10 ms
就绪/忙(只有HN58C257A系列)
数据
轮询和切换位
电源开/关数据保护电路
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10
5
擦除/写周期(以页面模式)
10年的数据保留
软件数据保护
通过写保护
水库
引脚(仅HN58C257A系列)
工业级产品(温度范围: - 20 85℃, - 40 85℃ ),也可提供。
HN58C256A系列, HN58C257A系列
订购信息
型号
HN58C256AP-85
HN58C256AP-10
HN58C256AFP-85
HN58C256AFP-10
HN58C256AT-85
HN58C256AT-10
HN58C257AT-85
HN58C257AT-10
存取时间
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
600万28引脚塑料DIP ( DP- 28 )
400万28引脚塑料SOP ( FP- 28D )
28引脚塑料TSOP ( TFP- 28DB )
8
×
14 mm
2
32引脚塑料TSOP ( TFP- 32DA )
管脚配置
HN58C256AP / AFP系列
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
( TOP VIEW )
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
( TOP VIEW )
HN58C257AT系列
A2
A1
A0
NC
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
CE
A10
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
( TOP VIEW )
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
RDY / BUSY
V
CC
水库
WE
A13
A8
A9
A11
OE
HN58C256AT系列
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
2
HN58C256A系列, HN58C257A系列
引脚说明
引脚名称
A0到A14
I / O0至I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY /忙*
1
RES *
1
NC
注意:
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
准备好忙
RESET
无连接
1.此功能仅由HN58C257A系列支承。
框图
注意:该功能是支持只HN58C257A系列。
I/O0
高压发生器
to
V
CC
V
SS
水库
*
1
OE
CE
WE
水库
*
1
A0
to
I/O7
RDY /忙*
1
I / O缓冲器
输入锁存
控制逻辑和时序
Y译码
门控
A5
地址
缓冲区和
LATCH
A6
to
X解码器
存储阵列
A14
数据锁存器
3
HN58C256A系列, HN58C257A系列
手术床
手术
待机
DESELECT
写禁止
数据
轮询
程序复位
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
×
×
V
IL
×
OE
V
IL
×*
2
V
IH
V
IH
×
V
IL
V
IL
×
WE
V
IH
×
V
IL
V
IH
V
IH
×
V
IH
×
RES *
3
V
H
*
1
×
V
H
V
H
×
×
V
H
V
IL
RDY /忙*
3
高-Z
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
V
OL
高-Z
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
DOUT ( I / O7 )
高-Z
注意事项: 1.参考建议的直流工作条件。
2.
×
:无所谓
3.此功能仅由HN58C257A系列支承。
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
2
存储温度范围
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
-0.6到+7.0
–0.5*
1
到+ 7.0 *
3
0至+70
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
注意事项: 1,输入电压的最小值= -3.0 V的脉冲宽度
50纳秒
2.包括电特性和数据保持
3.不宜超过V
CC
+ 1 V.
4
HN58C256A系列, HN58C257A系列
建议的直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IL
V
IH
V
H
*
3
工作温度
TOPR
4.5
0
–0.3*
1
2.2
V
CC
– 0.5
0
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
0.8
单位
V
V
V
V
CC
+ 0.3*
2
V
V
CC
+ 1.0
70
V
°C
注意事项: 1, V
IL
分: -1.0 V的脉冲宽度
50纳秒。
2. V
IH
最大: V
CC
+ 1.0V的脉冲宽度
50纳秒。
3.此功能仅由HN58C257A系列支承。
DC特性
(大= 0至+ 70 ° C,V
CC
= 5.0 V±10%)
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
工作V
CC
当前
I
CC3
输出低电压
输出高电压
注意:
V
OL
V
OH
2.4
典型值
最大
2*
1
2
20
1
12
30
0.4
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V , VIN = 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ,输出电压= 5.5 / 0.4 V
CE
= V
CC
CE
= V
IH
IOUT = 0 mA时,占空比为100 % ,
周期= 1
s
在V
CC
= 5.5 V
IOUT = 0 mA时,占空比为100 % ,
周期= 85 ns的在V
CC
= 5.5 V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
1. I
LI
on
水库
= 100
A
MAX(只有HN58C257A系列)
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容*
1
输出电容*
1
注意:
符号
CIN
COUT
典型值
最大
6
12
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
1.此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HN58C256AP10
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HN58C256AP10
√ 欧美㊣品
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