【HN58C1001系列131072-word×8位的电可擦除和可编程CMOS ROMADE - 20】,IC型号HN58C1001FP15,HN58C1001FP15 PDF资料,HN58C1001FP15经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN58C1001系列

131072-word

×

8位的电可擦除和

可编程CMOS ROM

ADE - 203-028F （ Z）

修订版6.0

1997年4月8日

描述

日立HN58C1001组织为131072字一个电可擦除和可编程只读存储器

×

8-

位。它通过使用先进的MNOS实现高速，低功耗和高可靠性

存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个128字节的页

编程函数，以使写操作速度更快。

特点

单电源： 5.0 V

±

10%

访问时间： 150 NS （最大值）

功耗

主动： 20毫瓦/兆赫（典型值）

待机： 110

W

（最大）

片内锁存器：地址，数据，

CE， OE ， WE

自动字节写： 10毫秒（最大值）

自动页写（ 128字节）： 10毫秒（最大值）

数据

投票和RDY /忙

电源开/关数据保护电路

符合JEDEC字节宽度的标准

可靠的CMOS与MNOS电池技术

10

4

擦除/写周期（以页面模式）

10年的数据保留

软件数据保护

通过写保护

水库

针

HN58C1001系列

订购信息

型号

HN58C1001P-15

HN58C1001FP-15

HN58C1001T-15

存取时间

150纳秒

包

600万的32引脚塑料DIP （ DP- 32 ）

525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）

8

×

14毫米32引脚塑料TSOP （ TFP- 32DA ）

管脚配置

HN58C1001P / FP系列

RDY / BUSY

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

（ TOP VIEW ）

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

CC

A15

水库

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

HN58C1001T系列

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

V

SS

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

CE

A10

OE

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

16

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

A4

A5

A6

A7

A12

A14

A16

RDY / BUSY

V

CC

A15

水库

WE

A13

A8

A9

A11

（ TOP VIEW ）

引脚说明

引脚名称

A0到A16

I / O0至I / O7

OE

CE

WE

V

CC

V

SS

RDY / BUSY

水库

功能

地址输入

数据输入/输出

OUTPUT ENABLE

芯片使能

写使能

电源

地

准备好忙

RESET

2

HN58C1001系列

框图

I/O0

高压发生器

to

V

CC

V

SS

水库

OE

CE

WE

水库

A0

to

I/O7

RDY / BUSY

I / O缓冲器

和

输入锁存

控制逻辑和时序

Y译码

门控

A6

地址

缓冲区和

LATCH

A7

to

X解码器

存储阵列

A16

数据锁存器

手术床

手术

读

待机

写

DESELECT

写禁止

数据

轮询

程序复位

CE

V

IL

V

IH

V

IL

V

IL

×

V

IL

×

OE

V

IL

×*

2

V

IH

V

IH

×

V

IL

V

IL

×

WE

V

IH

×

V

IL

V

IH

V

IH

×

V

IH

×

水库

V

H

*

1

×

V

H

V

H

×

V

H

V

IL

RDY / BUSY

高-Z

高Z到V

OL

高-Z

—

V

OL

高-Z

I / O

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

—

DOUT （ I / O7 ）

高-Z

注意事项： 1.参考建议的直流工作条件。

2.

×

：无所谓

3

HN58C1001系列

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于V

SS

输入相对于V电压

SS

工作温度范围*

2

存储温度范围

符号

V

CC

VIN

TOPR

TSTG

价值

-0.6到+7.0

–0.5*

1

到+7.0

0到+ 70__

-55到+125

单位

V

°C

注意事项： 1，输入电压的最小值= -3.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒

2.包括电特性和数据保持

建议的直流工作条件

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入电压

V

IL

V

IH

V

H

工作温度

注意：

TOPR

1. V

IL

（分钟）： -1.0 V的脉冲宽度

≤

50纳秒

民

4.5

0

–0.3*

1

2.2

VCC - 0.5

0

典型值

5.0

0

—

最大

5.5

0

0.8

V

CC

+ 0.3

V

CC

+ 1.0

70

单位

V

°C

DC特性

（大= 0 + 70__ ° C，V

CC

= 5.0V

±

10%)

参数

输入漏电流

输出漏电流

待机V

CC

当前

符号

I

LI

I

LO

I

CC1

I

CC2

工作V

CC

当前

I

CC3

民

—

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

—

2.4

典型值

—

最大

2*

1

2

20

1

15

50

0.4

—

单位

A

mA

V

测试条件

V

CC

= 5.5 V ， VIN = 5.5 V

V

CC

= 5.5 V ，输出电压= 5.5 / 0.4 V

CE

= V

CC

CE

= V

IH

IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％，

周期= 1

s

在V

CC

= 5.5 V

IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％，

周期= 150纳秒在V

CC

= 5.5 V

I

OL

= 2.1毫安

I

OH

= –400

A

注：1。我

LI

on

RES ：

100

A

（最大）

4

HN58C1001系列

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容*

1

输出电容*

1

注意：

符号

CIN

COUT

民

—

典型值

—

最大

6

12

单位

pF

测试条件

VIN = 0 V

VOUT = 0 V

1.此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

AC特性

（大= 0 + 70__ ° C，V

CC

= 5.0 V

±

10%)

测试条件

输入脉冲电平： 0.4 V至2.4 V

0 V至V

CC

（ RES引脚）

输入上升和下降时间：

≤

20纳秒

输出负载： 1TTL门100 pF的

参考电平测量时间： 0.8 V， 2.0 V

读周期

HN58C1001-15

参数

地址输出延迟

CE

到输出延迟

OE

到输出延迟

地址输出保持

OE

（ CE ），高输出的浮动*

1

水库

低到输出的浮动

*1

水库

到输出延迟

符号

t

加

t

CE

t

OE

t

OH

t

DF

t

DFR

t

RR

民

—

10

0

最大

150

75

—

50

350

450

单位

ns

测试条件

CE

=

OE

= V

IL

,

WE

= V

IH

OE

= V

IL

,

WE

= V

IH

CE

= V

IL

,

WE

= V

IH

CE

=

OE

= V

IL

,

WE

= V

IH

CE

= V

IL

,

WE

= V

IH

CE

=

OE

= V

IL

,

WE

= V

IH

CE

=

OE

= V

IL

,

WE

= V

IH

5