HN58C1001系列
1M的EEPROM （ 128千字
×
8-bit)
就绪/忙
水库
功能
REJ03C0145-0800Z
（上ADE - 203-028G （ Z） Rev.7.0 ）
修订版8.00
11月27日2003
描述
瑞萨科技
's
HN58C1001是组织为电可擦除可编程ROM 131072-
字
×
8位。它已经通过用人高级实现高速，低功耗和高可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个128字节的页
编程函数，以使写操作速度更快。
特点
单电源： 5.0 V
±
10%
访问时间： 150 NS （最大值）
功耗
主动： 20毫瓦/兆赫（典型值）
待机： 110
W
（最大）
片内锁存器：地址，数据，
CE， OE ， WE
自动字节写： 10毫秒（最大值）
自动页写（ 128字节） ： 10毫秒（最大值）
数据
投票和RDY /忙
电源开/关数据保护电路
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10擦除/写周期（以页面模式）
4
10年的数据保留
软件数据保护
通过写保护
水库
针
也有无铅产品。
Rev.8.00 11月27.2003 ，页21 1
HN58C1001系列
订购信息
型号
HN58C1001FP-15
HN58C1001T-15
HN58C1001FP-15E
HN58C1001T-15E
存取时间
150纳秒
150纳秒
150纳秒
150纳秒
包
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）
32引脚塑料TSOP （ TFP- 32DA ）
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32DV ）
无铅
32引脚塑料TSOP （ TFP- 32DAV ）
无铅
管脚配置
HN58C1001FP系列
RDY /
忙
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
HN58C1001T系列
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
RDY /
忙
V
CC
A15
水库
WE
A3
A2
A1
A13
A0
I/O0
A8
I/O1
A9
I/O2
A11 V
SS
OE
I/O3
A10 I / O4
I/O5
CE
I/O6
I / O7 I / O7
I/O6
CE
A10
I/O5
OE
I/O4
I/O3
水库
WE
A13
A8
A9
A11
Rev.8.00 11月27.2003 ， 21个2页
HN58C1001系列
引脚说明
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
水库
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
框图
I/O0
to
I/O7
高压发生器
RDY /
忙
V
CC
V
SS
水库
OE
CE
WE
水库
A0
to
I / O缓冲器
和
输入锁存
控制逻辑和时序
Y译码
门控
A6
地址
缓冲区和
LATCH
A7
to
X解码器
存储阵列
A16
数据锁存器
Rev.8.00 11月27.2003 ， 21 3页
HN58C1001系列
手术床
手术
读
待机
写
DESELECT
写禁止
数据
轮询
程序复位
CE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
×
×
V
IL
×
OE
V
IL
×*
2
WE
V
IH
×
V
IL
V
IH
V
IH
×
V
IH
×
水库
V
H
*
×
V
H
V
H
×
×
V
H
V
IL
1
RDY / BUSY
忙
高-Z
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
V
OL
高-Z
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
DOUT （ I / O7 ）
高-Z
V
IH
V
IH
×
V
IL
V
IL
×
注意事项： 1.参考建议的直流工作条件。
2.
×
：无所谓
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
2
符号
V
CC
VIN
TOPR
价值
0.6
到+7.0
0.5*
到+7.0
1
单位
V
V
°C
0至+70
存储温度范围
TSTG
55
+125
°C
注意事项： 1，输入电压的最小值=
3.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒
2.包括电特性和数据保持
建议的直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IL
V
IH
V
H
工作温度
注意：
TOPR
1. V
IL
（分钟） ：
1.0
V的脉冲宽度
≤
50纳秒
民
4.5
0
0.3*
2.2
V
CC
– 0.5
0
1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 1.0
+70
单位
V
V
V
V
V
°C
Rev.8.00 11月27.2003 ， 21第4页
HN58C1001系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V ± 10%)
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
民
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
2.4
典型值
最大
2*
2
20
1
15
50
0.4
1
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V ， VIN = 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ，输出电压= 5.5 / 0.4 V
CE
= V
CC
CE
= V
IH
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期为1微秒，V
CC
= 5.5 V
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期= 150纳秒，V
CC
= 5.5 V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
注：1。我
LI
on
RES ：
100
A
（最大）
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容*
注意：
1
1
符号
CIN
COUT
民
典型值
最大
6
12
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
输出电容*
1.此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
Rev.8.00 11月27.2003 ， 21 5页
HN58C1001系列
1M的EEPROM （ 128千字
×
8-bit)
就绪/忙
水库
功能
ADE - 203-028G （ Z）
修订版7.0
1997年10月31日
描述
日立HN58C1001组织为131072字一个电可擦除和可编程只读存储器
×
8-
位。它通过使用先进的MNOS实现高速，低功耗和高可靠性
存储技术和CMOS工艺和电路技术。它也有一个128字节的页编程
起作用，使写入操作速度更快。
特点
单电源： 5.0 V± 10 ％
访问时间： 150 NS （最大值）
功耗
主动： 20毫瓦/兆赫（典型值）
待机： 110 μW （最大值）
片内锁存器：地址，数据，
CE， OE ， WE
自动字节写： 10毫秒（最大值）
自动页写（ 128字节） ： 10毫秒（最大值）
数据
投票和RDY /忙
电源开/关数据保护电路
符合JEDEC字节宽度的标准
可靠的CMOS与MNOS电池技术
10
4
擦除/写周期（以页面模式）
10年的数据保留
软件数据保护
通过写保护
水库
针
HN58C1001系列
订购信息
型号
HN58C1001P-15
HN58C1001FP-15
HN58C1001T-15
存取时间
150纳秒
150纳秒
150纳秒
包
600万的32引脚塑料DIP （ DP- 32 ）
525万的32引脚塑料SOP （ FP- 32D ）
8
×
14毫米32引脚塑料TSOP （ TFP- 32DA ）
管脚配置
HN58C1001P / FP系列
RDY / BUSY
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
水库
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
HN58C1001T系列
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
OE
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
RDY / BUSY
V
CC
A15
水库
WE
A13
A8
A9
A11
引脚说明
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
水库
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
2
HN58C1001系列
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
输入相对于V电压
SS
工作温度范围*
2
存储温度范围
符号
V
CC
VIN
TOPR
TSTG
价值
-0.6到+7.0
–0.5*
1
到+7.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
注意事项： 1，输入电压的最小值= -3.0 V的脉冲宽度
≤
50纳秒
2.包括电特性和数据保持
建议的直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IL
V
IH
V
H
工作温度
注意：
TOPR
1. V
IL
（分钟） ： -1.0 V的脉冲宽度
≤
50纳秒
民
4.5
0
–0.3*
1
2.2
VCC - 0.5
0
典型值
5.0
0
—
—
—
—
最大
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 1.0
70
单位
V
V
V
V
V
°C
DC特性
（大= 0 + 70° C，V
CC
= 5.0V ± 10%)
参数
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
工作V
CC
当前
I
CC3
民
—
—
—
—
—
—
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
—
2.4
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
2*
1
2
20
1
15
50
0.4
—
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
CC
= 5.5 V ， VIN = 5.5 V
V
CC
= 5.5 V ，输出电压= 5.5 / 0.4 V
CE
= V
CC
CE
= V
IH
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期= 1
s
在V
CC
= 5.5 V
IOUT = 0 mA时，占空比为100 ％ ，
周期= 150纳秒在V
CC
= 5.5 V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
注：1。我
LI
on
RES ：
100
A
（最大）
4
QQ：2881677436 复制
