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HN4D02JU
东芝二极管硅外延平面型
HN4D02JU
超高速开关应用
低正向电压
: V
F (3)
= 0.90V (典型值)。
快速反向恢复时间:吨
rr
= 1.6ns (典型值)。
小总电容
: C
T
= 0.9pF (典型值)。
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
等级
85
80
300*
100*
2*
200**
150
55150
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
* :单位等级;总评分=单位等级×1.5
** :总分
1.ANODE1
2 。 C上H 2 O D E
3.ANODE2
4.ANODE3
5.ANODE4
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.0062克(典型值)。
1-2V1C
电气特性
( TA = 25°C )
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
TEST
电路
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 30V
V
R
= 80V
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
= 10毫安,图1
典型值。
0.60
0.72
0.90
最大
单位
1.20
0.1
0.5
V
0.9
1.6
μA
pF
ns
图。 1反向恢复时间(t
rr
)测试电路
1
2007-11-01
HN4D02JU
等效电路
( TOP VIEW )
1号机组
5
2号机组
4
A2
记号
1
2
3
2
2007-11-01
HN4D02JU
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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