【HN4D01JU东芝二极管硅外延平面型HN4D01JU超高速开关应用低正向电压: VF (3)= 0】,IC型号HN4D01JU,HN4D01JU PDF资料,HN4D01JU经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN4D01JU

东芝二极管

硅外延平面型

HN4D01JU

超高速开关应用

低正向电压

: V

F (3)

= 0.92V （典型值）。

快速反向恢复时间：吨

= 1.6ns （典型值）。

小总电容

: C

= 2.2pF （典型值）。

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

最大（峰值）正向电流

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

功耗

结温

储存温度

符号

FSM

英镑

等级

300*

100*

200**

150

55150

单位

°C

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件（即工作

温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝设计相应的可靠性

半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，

等）。

* ：单位等级。总评分=单位等级×1.5

** ：总分

JEDEC

EIAJ

东芝

重量： 0.0062克（典型值）。

―

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

R (1)

R (2)

TEST

电路

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 100毫安

= 30V

= 80V

= 0中，f = 1MHz的

= 10毫安，图1

民

典型值。

0.61

0.74

0.92

最大

单位

―

1.20

0.1

0.5

―

2.2

1.6

μA

图1反向恢复时间（t

）测试电路

2007-11-01

HN4D01JU

等效电路

（ TOP VIEW ）

1号机组

2号机组

记号

2007-11-01

HN4D01JU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

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