【HN2S03T东芝二极管硅外延肖特基型HN2S03T高速开关应用1.2±0.05两个独立的二极管安装】,IC型号HN2S03T,HN2S03T PDF资料,HN2S03T经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN2S03T

东芝二极管

硅外延肖特基型

HN2S03T

高速开关应用

1.2±0.05

两个独立的二极管安装在超薄至尊超迷你四

包适合于更高的安装密度。

低正向电压

低反向电流

小总电容

: V

F (3)

= 0.50V （典型值）。

单位：mm

0.9±0.05

0.2±0.05

单位

1.2±0.05

: I

= 0.5μA （最大）

: C

= 3.9pF （典型值）。

0.8±0.05

最大（峰值）反向电压

反向电压

最大（峰值）正向电流

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

功耗

结温

存储温度范围

工作温度范围

FSM

英镑

OPR

100 *

50 *

70 **

125

55125

40100

°C

0.52±0.05

特征

符号

等级

单位

TESQ

ANODE1

ANODE2

CATHODE2

CATHODE1

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 1.5毫克（典型值）

―

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

* ：单位等级。总评分=单位等级×1.5

** ：总分

电气特性

（ Q1 ， Q2常见，TA = 25 ° C）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

TEST

电路

―

测试条件

= 1毫安

= 5毫安

= 50毫安

= 20V

= 0中，f = 1MH

民

―

典型值。

0.33

0.38

0.50

―

3.9

最大

―

0.55

0.5

―

0.12±0.05

μA

绝对最大额定值

（ Q1 ， Q2常见，TA = 25 ° C）

2007-11-01

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

HN2S03T

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

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的Ta （℃）

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