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HN2E01F

东芝多芯片分立器件

HN2E01F

超高速开关应用

音频放大器应用

通用开关应用

低正向压降

快速反向恢复时间

低总电容

F(3

)=0.98V(typ.)

=1.6ns(typ.)

=0.5pF(typ.)

=600~3600

首席执行官

=50V

=150mA(max.)

1SS352相当于

2SC4666等效

单位：mm

高直流电流增益

高压

高集电极电流

Q1 （二极管）

Q2 （晶体管）

Q1 （二极管）绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

最大（峰值）正向电流

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

符号

FSM

等级

300

100

单位

1.Anode

2.Base

3.Collector

4.Emitter

5.NC

6.Cathode

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3N1D

重量： 0.015克（典型值）。

Q2 （晶体管）绝对最大额定值（

TA = 25°C

)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

150

单位

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

300

125

55~125

单位

°C

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使

的操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

*总评分：每件为200mW不得超过。

2007-11-22

HN2E01F

Q1 （二极管）

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

R (1)

R (2)

TEST

电路

―

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 100毫安

= 30V

= 80V

= 0中，f = 1MHz的

= 10毫安（图1）

民

―

典型值。

0.62

0.75

0.98

―

0.5

1.6

最大

―

1.2

0.1

0.5

―

μA

单位

Q2 （晶体管）

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

TEST

电路

―

测试条件

= 50V ，我

= 0

= 5V ，我

= 0

= 6V ，我

= 2毫安

= 100mA时我

=10mA

= 10V ，我

=10mA

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

民

―

600

―

典型值。

―

0.12

250

3.5

最大

100

3600

0.25

―

单位

CE （ SAT ）

兆赫

* h

A级： 600 1800 ， B： 1200 3600

记号

型号名称

秩

12A

等效电路

（ TOP VIEW ）

图。 1 ：反向恢复时间（t

）测试电路

2007-11-22

HN2E01F

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