HN29W25611T-50H
256M AND型闪存
超过16,057部门( 271299072位)
ADE - 203-1178A ( Z)
1.0版
五月。 10 , 2000
描述
日立HN29W25611T是CMOS闪存和类型多层次的存储单元。它充分
自动编程和擦除功能与3.3 V单电源供电。该功能控制
通过简单的外部命令。为了适应I / O卡的应用,编程的单位和擦除的小
为( 2048 + 64 )字节。 HN29W25611T初始可用扇区超过16,057 ( 98%的部门
地址)和小于16384扇区。
特点
板载单电源(V
CC
): V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
组织
和闪存: ( 2048 + 64 )字节
×
(超过16,057个扇区)
数据寄存器: ( 2048 + 64 )字节
多电平存储器单元
2位/每存储单元
自动编程
部门方案时间: 3.0毫秒(典型值)
免费的系统总线
地址,数据锁存功能
内置自动程序校验功能
状态数据查询功能
自动擦除
单扇区擦除时间: 1.5毫秒(典型值)
免费的系统总线
内部的自动擦除校验功能
状态数据查询功能
HN29W25611T-50H
擦除模式
单扇区擦除( ( 2048 + 64 )字节为单位)
快速串行读取访问时间:
第一次访问时间: 50
s
(最大)
串行存取时间: 50纳秒(最大)
低功耗:
I
CC2
= 50 MA(最大值) (读)
I
SB2
= 50
A
(最大值) (待机)
I
CC3
/I
CC4
= 40 MA(最大) (擦除/编程)
I
SB3
= 5
A
(最大值) (深待机)
下面的体系结构所需的数据的可靠性。
纠错:大于每各扇区3位误差修正的读出
备用扇区:可用行业内的1.8 % ( 290个扇区)
订购信息
型号
HN29W25611T-50H
可用行业
超过16,057领域
包
12.0
×
18.40 mm
2
节距为0.5mm
48引脚塑料TSOP I( TFP- 48D )
2
HN29W25611T-50H
存储器映射和地址
扇区地址
2048字节
3FFFH
3FFEH
3FFDH
2048字节
2048字节
64字节
64字节
64字节
2048字节
0002H
0001H
0000H
000H
2048 + 64字节
2048字节
2048字节
64字节
64字节
64字节
800H
83FH列地址
控制字节
地址
扇区地址
周期
SA ( 1 ) :
SA ( 2 ) :
列地址CA (1) :
的CA (2):
的I / O0- I / O1 I / O2 I / O3
A0 A1 A2 A3
第一个周期
第二个周期A8 A9 A10 A11
A0 A1 A2 A3
第一个周期
第二个周期A8 A9 A10 A11
I/O4
A4
A12
A4
×
I / O5 I / O6 I / O7
A5 A6 A7
A13
×*
2
×
A5 A6 A7
×
×
×
注:1.某些失败的扇区中可能存在的设备。发生故障的扇区可以被识别
通过读取写入在列的一部分的扇区的有效数据处理为800 83F
(具体地址是TBD )。该部门的有效数据必须阅读并挡在外面
扇区擦除之前,该部门。当该扇区被编程,扇区
有效的数据应被写回到扇区。
2.
×
指"Don't care" 。引脚的电平可被设置在V
IL
或V
IH
,简称
直流特性。
16057 - 16384行业*
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