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HN1L03FU
东芝场效应晶体管硅N · P沟道MOS型
HN1L03FU
高速开关应用
模拟开关应用
以毫米单位
Q1 ， Q2通用
低阈值电压
Q1 ： V
th
= 0.8~2.5V
高速
小型封装
Q2 ： V
th
=0.5~1.5V
Q1绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
符号
V
DS
V
GSS
I
D
等级
50
10
50
单位
V
V
mA
Q2绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
符号
V
DS
V
GSS
I
D
等级
20
7
50
单位
V
V
mA
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-2J1C
记号
绝对最大额定值（ Q1 ， Q2公用）
（大
=
25°C)
特征
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
P
D*
T
ch
T
英镑
等级
200
150
55~150
单位
mW
°C
°C
等效电路
（ TOP VIEW ）
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件（即工作
温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
*
总评分
1
2007-11-01
HN1L03FU
Q1电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿
电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向传递
导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输
电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
测试条件
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
民
―
50
―
0.8
20
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
20
6.3
1.3
5.7
0.11
0.15
最大
1
―
1
2.5
―
50
―
―
―
―
―
单位
μA
V
μA
V
mS
pF
pF
pF
μs
μs
V
（ BR ） DSS
I
D
= 100μA ，V
GS
= 0
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
V
DS
= 50V, V
GS
= 0
V
DS
= 5V ，我
D
= 0.1毫安
V
DS
= 5V ，我
D
= 10毫安
I
D
= 10毫安，V
GS
= 4.0V
V
DS
= 5V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DD
= 5V ，我
D
= 10毫安，
V
GS
= 0~4.0V
V
DD
= 5V ，我
D
= 10毫安，
V
GS
= 0~4.0V
Q2电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿
电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
测试条件
V
GS
=
7V,
V
DS
= 0
民
―
20
―
0.5
15
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
20
10.4
2.8
8.4
0.15
0.13
最大
1
―
1
1.5
―
40
―
―
―
―
―
单位
μA
V
μA
V
mS
pF
pF
pF
μs
μs
V
（ BR ） DSS
I
D
=
100μA,
V
GS
= 0
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
V
DS
=
20V,
V
GS
= 0
V
DS
=
3V,
I
D
=
0.1mA
V
DS
=
3V,
I
D
=
10mA
I
D
=
10mA,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
3V,
V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
=
3V,
V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
=
3V,
V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DD
=
3V,
I
D
=
10mA,
V
GS
= 0~2.5V
V
DD
=
3V,
I
D
=
10mA,
V
GS
= 0~2.5V
2
2007-11-01
HN1L03FU
Q1
（ N沟道MOS FET ）
开关时间测试电路
3
2007-11-01
HN1L03FU
Q1
（ N沟道MOS FET ）
4
2007-11-01
HN1L03FU
Q2
（ P沟道MOS FET ）
开关时间测试电路
5
2007-11-01
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HN1L03FU_07
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