HN1K03FU
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型
HN1K03FU
高速开关应用
模拟开关应用
戒严输入阻抗
低栅极阈值电压: V
th
= 0.5V~1.5V
出色的开关时间
小型封装
增强型
: t
on
= 0.16μs (典型值)。
t
关闭
= 0.15μs (典型值)。
以毫米单位
( Q1 , Q2常见)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
*
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
200
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 6.8mg
―
―
2-2J1C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
*:
总评分
1
2007-11-01
HN1K03FU
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
测试条件
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
分钟。
―
20
―
0.5
25
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
50
8
8.5
3.3
9.3
0.16
0.15
马克斯。
1
―
1
1.5
―
12
―
―
―
―
―
单位
μA
V
μA
V
mS
pF
pF
pF
μs
μs
V
( BR ) DSS
I
D
= 100μA ,V
GS
= 0
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
DS
= 3V ,我
D
= 0.1毫安
V
DS
= 3V ,我
D
= 10毫安
I
D
= 10毫安,V
GS
= 2.5V
V
DS
= 3V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= 3V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= 3V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DD
= 3V ,我
D
= 10毫安,
V
GS
= 0~2.5V
V
DD
= 3V ,我
D
= 10毫安,
V
GS
= 0~2.5V
等效电路
( TOP VIEW )
记号
2
2007-11-01
HN1K03FU
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
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2007-11-01