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HN1K02FU
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型
HN1K02FU
高速开关应用
模拟开关应用
以毫米单位
2.5 V门极驱动。
低阈值电压: V
th
= 0.5V~1.5V
高速
增强型
小型封装
( Q1 , Q2常见)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
*
T
ch
T
英镑
等级
20
10
50
200
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 6.8mg
2-2J1C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
*
总评分
1
2007-11-01
HN1K02FU
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极漏电流
漏源击穿
电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
测试条件
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
分钟。
20
0.5
20
典型值。
20
5.5
1.6
6.5
0.14
0.14
马克斯。
1
1
1.5
40
单位
μA
V
μA
V
mS
pF
pF
pF
μs
μs
V
( BR ) DSS
I
D
= 100μA ,V
GS
= 0
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
DS
= 3V ,我
D
= 0.1毫安
V
DS
= 3V ,我
D
= 10毫安
I
D
= 10毫安,V
GS
= 2.5V
V
DS
= 3V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 3V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 3V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DD
= 3V ,我
D
= 10毫安,
V
GS
= 0~2.5V
V
DD
= 3V ,我
D
= 10毫安,
V
GS
= 0~2.5V
等效电路
( TOP VIEW )
记号
2
2007-11-01
HN1K02FU
( Q1 , Q2公用)
开关时间测试电路
3
2007-11-01
HN1K02FU
( Q1 , Q2公用)
4
2007-11-01
HN1K02FU
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
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联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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HN1K02FU
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联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
HN1K02FU
TOSHIBA/东芝
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联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
HN1K02FU
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只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
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