【HN1D03F东芝二极管硅外延平面型HN1D03F超高速开关应用l建于阳极公共和阴极常见。1号机组l】,IC型号HN1D03F,HN1D03F PDF资料,HN1D03F经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN1D03F

东芝二极管硅外延平面型

HN1D03F

超高速开关应用

建于阳极公共和阴极常见。

1号机组

低正向电压

小总电容

2号机组

低正向电压

小总电容

单位：mm

Q1 ， Q2 ： V

F (3)

= 0.90V （典型值）。

Q1 ， Q2 ：C

= 0.9pF （典型值）。

快速反向恢复时间Q1 ， Q2 ：吨

= 1.6ns （典型值）。

Q3 ， Q4 ： V

F (3)

= 0.92V （典型值）。

Q3 ， Q4 ：C

= 2.2pF （典型值）。

快速反向恢复时间Q3 ， Q4 ：吨

= 1.6ns （典型值）。

1号机组， 2号机组公用最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

最大（峰值）正向电流

平均正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

功耗

结温

存储温度范围

符号

FSM

英镑

等级

300 (*)

100 (*)

2 (*)

300

125

55~125

单位

°C

JEDEC

EIAJ

东芝

重量： 0.015克

―

SC-74

(*)

这是一个二极管（ Q1或Q2或Q3或Q4）的最大额定值。

在使用1号机组和2号机组分别或同时的情况下，每二极管的最大额定值为

75％的单个二极管之一。

记号

引脚分配

（ TOP VIEW ）

2001-06-07

HN1D03F

图1反向恢复时间

)

测试电路

1号机组电气特性

（ Q1 ， Q2 ，普通）（ TA = 25 ° C）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

R (1)

R (2)

TEST

电路

―

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 100毫安

= 30V

= 80V

= 0中，f = 1MHz的

= 10毫安（图1）

民

―

典型值。

0.60

0.72

0.90

―

0.9

1.6

最大

―

1.20

0.1

0.5

3.0

4.0

单位

2号机组电气特性

（ Q3 ， Q4 ，普通）（ TA = 25 ° C）

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

反向恢复时间

R (1)

R (2)

TEST

电路

―

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 100毫安

= 30V

= 80V

= 0中，f = 1MHz的

= 10毫安（图1）

民

―

典型值。

0.61

0.74

0.92

―

2.2

1.6

最大

―

1.20

0.1

0.5

4.0

单位

2001-06-07

HN1D03F

2001-06-07

HN1D03F

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2001-06-07

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原装正品钻石品质假一赔十

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原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

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