HN1D02F
东芝二极管硅外延平面型
HN1D02F
超高速开关应用
该HN1D02F是由两个（2）阴极公共单元。
低正向电压
小总电容
: V
F
(3)
= 0.90 V（典型值）。
: C
T
= 0.9 pF的（典型值）。
快速反向恢复时间：吨
rr
= 1.6纳秒（典型值）。
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
等级
85
80
300 (*)
100 (*)
2 (*)
300
125
55~125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
（ * ），这些都是绝对最大额定值为单个二极管（ Q1或Q2或Q3或Q4 ） 。如果单元1和单元2
单独或同时使用，每个二极管上的绝对最大额定值是那些单一的75 ％
二极管。
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
1-3K1B
重量：0.015克（典型值）。
电气特性
（ Q1 ， Q2 ， Q3 ， Q4常见，TA = 25 ° C）
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 30 V
V
R
= 80 V
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安（图1）的
民
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
0.60
0.72
0.90
―
―
0.9
1.6
最大
―
―
1.20
0.1
0.5
3.0
4.0
μA
pF
ns
V
单位
1
2007-11-01
HN1D02F
限制产品使用
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20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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2007-11-01
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