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HN1C01FE
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
HN1C01FE
音频通用放大器应用
小型封装(双型)
高电压和高电流
: V
首席执行官
= 50V ,我
C
= 150毫安(最大值)
FE
: h
FE
= 120~400
优秀
FE
线性
: h
FE
(I
C
= 0.1毫安) /小时
FE
(I
C
= 2毫安) = 0.95 (典型值)。
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
东芝
2-2N1G
温度/电流/电压和在显著变化
重量:为3.0mg (典型值)。
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
*总分
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE (注)
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 6V ,我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
120
80
典型值。
0.1
2
最大
0.1
0.1
400
0.25
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
注:H
FE
分类Y( Y) : 120 240 , GR ( G) : 200 400
( )标记符号
记号
型号名称
6
5
4
排名的hFE
等效电路
( TOP VIEW )
6
5
4
C1
1
2
3
Q1
Q2
1
2
3
1
2007-11-01
HN1C01FE
( Q1 , Q2公用)
P
C
*
- TA
( mW)的
集电极耗散功率P
C
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度
的Ta (℃)
*:总分
2
2007-11-01
HN1C01FE
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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