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HN1B01FU
东芝晶体管PNP硅外延型(厘进程) NPN硅外延式( PCT程序)
HN1B01FU
音频通用放大器应用
Q1:
高电压和高电流
: V
首席执行官
=
50V,
I
C
=
150mA
(最大)
FE
: h
FE
= 120~400
优秀
FE
线性
: h
FE
(I
C
=
0.1mA)
/ h
FE
(I
C
=
2mA)
= 0.95 (典型值)。
以毫米单位
Q2:
高电压和高电流
: V
首席执行官
= 50V ,我
C
= 150毫安(最大值)
FE
: h
FE
= 120~400
优秀
FE
线性
: h
FE
(I
C
= 0.1毫安) /小时
FE
(I
C
= 2毫安) = 0.95 (典型值)。
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 6.8毫克
2-2J1A
Q1绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
50
50
5
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
记号
1
2007-11-01
HN1B01FU
Q2绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
等级
60
50
5
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
等效电路
( TOP VIEW )
2
2007-11-01
HN1B01FU
Q1 , Q2常见绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
125
55~125
单位
mW
°C
°C
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
*总分
注意:
Q1
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE (注)
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
TEST
电路
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
CE
=
6V,
I
C
=
2mA
I
C
=
100mA,
I
B
=
10mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
1mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
120
典型值。
0.1
120
4
最大
0.1
0.1
400
0.3
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
Q2
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE (注)
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 6V ,我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
120
典型值。
0.1
150
2
最大
0.1
0.1
400
0.25
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
注:H
FE
分类Y( Y) : 120 240 , GR ( G) : 200 400
( )标记符号
3
2007-11-01
HN1B01FU
Q1
( PNP晶体管)
4
2007-11-01
HN1B01FU
Q2
( NPN晶体管)
5
2007-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HN1B01FU
    -
    -
    -
    -
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联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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