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HN1B01FDW1T1
互补双
通用
晶体管放大器
PNP和NPN表面贴装
http://onsemi.com
特点
高电压和高电流： V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 200毫安
高
FE
: h
FE
= 200X400
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
- 人体模型： 3A
- 机型号：C
无铅包装是否可用
(6)
(5)
(4)
Q
1
Q
2
(1)
(2)
(3)
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
价值
60
50
7.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
6
5
4
3
12
SC74
CASE 318F
方式3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
R9 M
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
380
150
-55到+150
单位
mW
°C
°C
R9 =器件代码
M =日期代码
订购信息
设备
HN1B01FDW1T1
HN1B01FDW1T1G
包
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
SC - 74 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年3月 - 第2版
出版订单号：
HN1B01FDW1T1/D
HN1B01FDW1T1
Q1 ： PNP
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0, T
A
= 80°C)
直流电流增益（注1 ）
(V
CE
= 6.0伏，我
C
= 2.0 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
200
V
CE （ SAT ）
0.15
400
0.3
VDC
0.1
2.0
1.0
民
50
60
7.0
最大
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
MADC
Q2 ： NPN
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0, T
A
= 80°C)
直流电流增益（注1 ）
(V
CE
= 6.0伏，我
C
= 2.0 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
特区
≤
2%.
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
200
0.15
0.1
2.0
1.0
400
0.25
民
50
60
7.0
最大
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
MADC
VDC
http://onsemi.com
2
HN1B01FDW1T1
典型电气特性： PNP晶体管
200
I
C
，集电极电流（毫安）
= 2.0毫安
160
= 1.5毫安
= 1.0毫安
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
1000
120
-0.5毫安
80
I
B
= -0.2毫安
40
T
A
= 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
25°C
100
25°C
10
1
V
CE
= 1.0 V
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.集电极饱和区
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（ V）
图2.直流电流增益
1000
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 100°C
25°C
0.1
25°C
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
25°C
100
25°C
10
1
V
CE
= 6.0 V
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
图4. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
基射极饱和
电压（V）的
10,000
共发射极
V
CE
= 6 V
I
B
，基极电流（毫安）
1000
25°C
T
A
= 100°C
25°C
100
1
10
T
A
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
10
100
1000
1
0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
BE
，基极发射极电压（V）的
1
0.1
1
I
C
，集电极电流（毫安）
图5. V
BE （ SAT ）
与我
C
图6.基射极电压
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3
HN1B01FDW1T1
典型电气特性： NPN晶体管
280
I
C
，集电极电流（毫安）
6.0毫安
5.0毫安
240
200
1.0毫安
160
120
80
I
B
- 0.2毫安
40
0
0
1
2
T
A
= 25°C
3
4
5
6
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
10
1
V
CE
= 1.0 V
10
100
1000
0.5毫安
3.0毫安
2.0毫安
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
25°C
25°C
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.集电极饱和电压
图8.直流电流增益
1000
T
A
= 100°C
25°C
25°C
100
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压
(V)
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
0.1
25°C
25°C
10
1
V
CE
= 6.0 V
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.直流电流增益
图10. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
基射极饱和
电压（V）的
10,000
共发射极
V
CE
= 6 V
I
B
，基极电流（毫安）
1000
25°C
100
T
A
= 100°C
25°C
1
10
T
A
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1
10
100
1000
1
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.1
I
C
，集电极电流（毫安）
V
BE
，基极发射极电压（V）的
图11. V
BE （ SAT ）
与我
C
图12.基射极电压
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4
HN1B01FDW1T1
包装尺寸
SC74
CASE 318F -05
ISSUE
A
L
6
5
1
2
4
S
3
B
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低
引线厚度是最小
厚度基体材料。
4. 318F -01 ， -02 ， -03过时。 NEW
标准318F -04 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
英寸
民
最大
0.1142 0.1220
0.0512 0.0669
0.0354 0.0433
0.0098 0.0197
0.0335 0.0413
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0649
0
_
10
_
0.0985 0.1181
MILLIMETERS
民
最大
2.90
3.10
1.30
1.70
0.90
1.10
0.25
0.50
0.85
1.05
0.013
0.100
0.10
0.26
0.20
0.60
1.25
1.65
0
_
10
_
2.50
3.00
D
G
M
0.05 (0.002)
H
C
K
J
方式3 ：
PIN 1体1
2. BASE 1
3.集热器2
4.发射器2
5. BASE 2
6.集热器1
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.074
0.7
0.028
0.95
0.037
0.95
0.037
1.0
0.039
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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HDSP-5557-EC000
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HZM5.1NB
HDSP-K213-GE000
HUL7251
HDSP-A901-NQ000
HDSP-A801-IQ000
HMC-ALH445
HMC239S8_06
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HN1B01FDW1T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
HN1B01FDW1T1G
ON
2019
79600
SOT23-6
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
HN1B01FDW1T1G
ＯＮ
25+
8450
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
HN1B01FDW1T1G
ON/安森美
21+
10000
SC-74
全新原装正品/质量有保证
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
HN1B01FDW1T1G
ON/安森美
2418+
4500
SC-74
正规报关原装现货系列订货技术支持
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
HN1B01FDW1T1G
ON/安森美
22+
12000
SC-74-3
原装现货超低价，可拆包
上海金庆电子科技京城市场部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
HN1B01FDW1T1G
ONS
20+
26000
全新原装 货期两周
深圳市晨豪科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1852346906 复制 点击这里给我发消息 QQ：1743149803 复制

电话：0755-82732291
联系人：罗先生/严小姐/叶先生/林先生
地址：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
HN1B01FDW1T1G
ON/安森美
23+
36592
SOT23-6
全新原装假一罚十诚信经营
深圳伟诚铭科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ：348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ：982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ：106368189 复制

电话：0755-66887761
联系人：陈
地址：宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
HN1B01FDW1T1G
ONSEMI/安森美
42
30000
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电话：0755-22655674/15099917285
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HN1B01FDW1T1G
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92000
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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