【240PIN DDR3 SDRAM DIMM注册DDR3 SDRAM DIMM注册基于1Gb的B-死】,IC型号HMT151R7BFR8C-G7,HMT151R7BFR8C-G7 PDF资料,HMT151R7BFR8C-G7经销商,ic,电子元器件-51电子网

240PIN DDR3 SDRAM DIMM注册

DDR3 SDRAM DIMM注册

基于1Gb的B-死

HMT112R7BFR8C

HMT125R7BFR8C

HMT125R7BFR4C

HMT151R7BFR8C

HMT151R7BFR4C

*海力士半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知

版本1.0 / 2009年12月

修订历史

版本号

0.01

0.02

0.03

0.1

0.2

0.3

1.0

历史

初始版本

反映实际测量中，非

物理变化（最大值thichness ）

新增IDD规格

更新IDD规格及删除

8GB （ 4Rx4 ） RDIMM阵容

增加了外佣的使用选项

新增环境参数

JEDEC更新

草案日期

2009年1月

2009年2月

FEV 。 2009年

2009年4月

五月。 2009年

2009年7月

2009年12月

备注

初步

版本1.0 / 2009年12月

描述

海力士DDR3注册的DIMM SDRAM （均录得双数据速率同步DRAM双列直插式

内存模块）是低功耗，高速使用海力士的DDR3 SDRAM运行内存模块

设备。当安装在系统中，这些注册的SDRAM DIMM的设计用于主存储器

如服务器和工作站。

特点

电源： VDD = 1.5V （ 1.425V至1.575V ）

VDDQ = 1.5V （ 1.425V至1.575V ）

向下兼容1.5V DDR3内存模块

VDDSPD = 3.0V至3.6V

功能和操作符合DDR3L SDRAM数据表

8个内部银行

数据传输速率： PC3L - 10600 ， PC3L -8500

双向差分数据选通

8位预取

突发长度（ BL）开关的即时BL8或BC4 （突发盖章）

支持ECC的纠错和检错

片上端接（ ODT ）

温度传感器集成SPD

*本产品符合RoHS指令。

订购信息

产品型号

HMT112R7BFR8C-G7/H9

HMT125R7BFR8C-G7/H9

HMT125R7BFR4C-G7/H9

HMT151R7BFR4C-G7/H9

HMT151R7BFR8C-G7

密度

1GB

2GB

4GB

组织

128Mx72

256Mx72

512Mx72

部件组成

128Mx8(H5TQ1G83BFR)*9

128Mx8(H5TQ1G83BFR)*18

256Mx4(H5TQ1G43BFR)*18

256Mx4(H5TQ1G43BFR)*36

128Mx8(H5TQ1G83BFR)*36

排名第

秩

外佣

*为了卸载外佣，请联系销售管理员

版本1.0 / 2009年12月

主要参数

MT / s的

DDR3-1066

DDR3-1333

GRADE

-G7

-H9

TCK

（纳秒）

1.875

1.5

CAS

潜伏期

（ TCK ）

tRCD的

（纳秒）

13.125

13.5

激进党

（纳秒）

13.125

13.5

tRAS的

（纳秒）

37.5

TRC

（纳秒）

50.625

49.5

CL- tRCD的-TRP

7-7-7

9-9-9

速度等级

频率〔MHz〕

GRADE

CL6

-G7

-H9

800

CL7

1066

CL8

1066

1333

CL9

CL10

备注

地址表

1GB(1Rx8)

刷新

法

行地址

COLUMN

地址

银行地址

PAGE SIZE

8K/64ms

A0-A13

A0-A9

BA0-BA2

1KB

2GB(2Rx8)

8K/64ms

A0-A13

A0-A9

BA0-BA2

1KB

2GB(1Rx4)

8K/64ms

A0-A13

A0-A9, A11

BA0-BA2

1KB

4GB(2Rx4)

8K/64ms

A0-A13

A0-A9,A11

BA0-BA2

1KB

4GB(4Rx8)

8K/64ms

A0-A13

A0-A9

BA0-BA2

1KB

版本1.0 / 2009年12月

引脚说明

引脚名称

CK0

CK1

CKE [1 ：0]的

RAS

描述

时钟输入，正极线

时钟输入，负线

时钟输入，正极线

时钟输入，负线

时钟使能

行地址选通

NUM

BER

引脚名称

ODT [1：0 ]

DQ [63： 0]

CB [7：0 ]

DQS [ 8：0]

DM [8：0 ] /

DQS [17： 9] ，

TDQS [17： 9]

DQS [17： 9] ，

TDQS [17： 9]

EVENT

TEST

RESET

REFDQ

REFCA

DDSPD

描述

片上终端输入

数据输入/输出

数据校验位输入/输出

数据选通信号

数据选通信号，负线

数据掩码/数据选通信号，

终止数据选通信号

数据选通信号，负线，

终止数据选通信号

保留的可选硬件

温度传感

内存总线测试工具（不CON-

连接并不能使用的DIMM上）

注册和SDRAM控制引脚

电源

地

参考电压DQ

参考电压CA

终止电压

SPD电源

NUM

BER

CAS

S[3:0]

A[9:0],A11,

A[15:13]

A10/AP

A12/BC

BA [ 2 ：0]的

SCL

SDA

SA [ 2 ：0]的

Par_In

Err_Out

列地址选通

写使能

芯片选择

地址输入

地址输入/ Autoprecharge

地址输入/连拍斩

SDRAM行地址

串行存在检测（ SPD ）

时钟输入

SPD数据输入/输出

SPD地址输入

奇偶校验位的地址和

控制总线

在奇偶校验错误发现

地址和控制总线

版本1.0 / 2009年12月