目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1产品特点
1.1.2订购信息
1.2主要参数
1.3速度等级
1.4地址表
2.引脚架构
2.1引脚定义
2.2输入/输出功能描述
2.3引脚分配
3.功能框图
3.1 1GB ， 128Mx72模块（ X8的1Rank ）
3.2 2GB ， 256Mx72模块（ X8的2Rank ）
3.3 2GB ， 256Mx72模块（ X4的1Rank ）
3.4 4GB ， 512Mx72模块（ X4的2Rank ）
3.5 4GB ， 512Mx72模块（ X8的4Rank ）
3.6 8GB ，
1Gx72模块（ X4的4Rank ）
4.环境参数
5.输入/输出电容&交流需要技术
6. IDD规格
7. DIMM大纲图
7.1 1GB ， 128Mx72模块（ X8的1Rank ）
7.2 2GB ， 256Mx72模块（ X8的2Rank ）
7.3 2GB ， 256Mx72模块（ X4的1Rank ）
7.4 4GB ， 512Mx72模块（ X4的2Rank ）
7.5 4GB ， 512Mx72模块（ X8的4Rank ）
7.6 8GB ，
1Gx72模块（ X4的4Rank ）
修订版0.4 / 2009年7月
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1.描述
这海力士DDR3 SDRAM注册双列直插内存模块（DIMM ）系列由1Gb的一代人的。这些
是打算用作在服务器和工作站系统的主存储器，提供了一个高性能的8字节间
面对行业标准133.35毫米宽度的外形。它适合于方便的交换和加法。
1.1产品特性&订购信息
1.1.1产品特点
VDD = VDDQ = 1.5V
VDDSPD = 3.3V至3.6V
全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和/ DQS过渡
CK转型
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入数据以外的数据
选通信号和数据掩码锁存的上升沿
时钟
可编程CAS延时5，6， 7，8， 9，10，和（11）
支持
可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2燮
移植
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
8银行
8K刷新周期/ 64ms的
DDR3 SDRAM封装： JEDEC标准78ball
FBGA （ X4 / X8 ） ， 96ball FBGA （ X16 ），支持球
选择EMRS驱动力
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
ZQ校准支持
TDQS （终止数据选通）支持（ X8设备
基于专用）
写Levelization支持
自动自刷新支持
8位预取
散热器安装4GB / 8GB
SPD与B类综合TS
*本产品符合RoHS指令的指令护壁。
1.1.2订购信息
排名第
DRAM的
9
18
18
36
36
72
排名第
秩
1
2
1
2
4
4
产品型号
HMT112R7AFP8C-G7/H9
HMT125R7AFP8C-G7/H9
HMT125R7AFP4C-G7/H9
HMT151R7AFP4C-G7/H9
HMT151R7AFP8C-G7/H9
HMT31GR7AMP4C-G7/H9
密度
1GB
2GB
2GB
4GB
4GB
8GB
组织
128Mx72
256Mx72
256Mx72
512Mx72
512Mx72
1Gx72
物料
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
外佣
X
X
X
O
O
O
*请联系当地的销售管理员零件号的详细信息
修订版0.4 / 2009年7月
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