HMT164S6BFR6C
HMT112S6BFR6C
HMT125S6BFR8C
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1产品特点
1.1.2订购信息
1.2速度等级&主要参数
1.3地址表
2.引脚架构
2.1引脚定义
2.2输入/输出功能描述
2.3引脚分配
3.功能框图
3.1 512MB ， 64Mx64模块（ X16的1Rank ）
3.2 1GB ， 128Mx64模块（ X16的2Rank ）
3.3 2GB ， 256Mx64模块（ X8的2Rank ）
4.绝对最大额定值
4.1绝对最大额定直流电压
4.2工作温度范围
5. AC &直流工作条件
5.1建议的直流工作条件
5.2直流&交流逻辑输入电平
5.2.1对于单端信号
5.2.2差分信号
5.2.3差分输入交叉点
5.3压摆率的定义
5.3.1对于端输入信号
5.3.2对于差分输入信号
5.4直流&交流输出缓冲水平
5.4.1单端DC &交流输出电平
5.4.2差分直流&交流输出电平
5.4.3单端输出压摆率
5.4.4差动端输出摆率
5.5过冲/下冲规格
5.5.1地址和控制过冲和下冲规格
5.5.2时钟，数据，选通和面具过冲和下冲规格
5.6输入/输出电容&交流需要技术
5.7 IDD规格&测量条件
6，电气特性和AC时序
6.1刷新参数由器件密度
6.2 DDR3标准箱的速度和AC段
7. DIMM大纲图
7.1 512MB ， 64Mx64模块（ X16的1Rank ）
7.2 1GB ， 128Mx64模块（ X16的2Rank ）
7.3 2GB ， 256Mx64模块（ X8的2Rank ）
修订版0.5 / 2009年9月
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HMT164S6BFR6C
HMT112S6BFR6C
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1.描述
这海力士缓冲小外形双列直插内存模块（ SODIMM ）系列包括1Gb的B版本。 DDR3
SDRAM芯片中的精细球栅阵列（ FBGA ）上的204针玻璃环氧基板封装。这DDR3无缓冲的SODIMM
基于1Gb的B版系列提供高性能8字节接口在工业67.60毫米宽度外形
标准。它适合于方便的交换和加法。
1.1设备特点&订购信息
1.1.1产品特点
VDD = VDDQ = 1.5V
VDDSPD = 3.0V至3.6V
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
差分数据选通（ DQS ， / DQS ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和/ DQS过渡
CK转型
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入数据以外的数据
选通信号和数据掩码锁存的上升沿
时钟
可编程CAS延时5，6， 7，8， 9，10，和（11）
支持
可编程添加剂延时0 ， CL - 1和CL - 2支持
移植
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
*本产品符合RoHS指令。
8银行
8K刷新周期/ 64ms的
DDR3 SDRAM封装： JEDEC标准78ball
FBGA （ X4 / X8 ） ， 96ball FBGA （ X16 ），支持球
选择EMRS驱动力
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
ZQ校准支持
TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
写Levelization支持
自动自刷新支持
8位预取
修订版0.5 / 2009年9月
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HMT164S6BFR6C
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1.1.2订购信息
排名第
DRAM的
4
8
16
排名第
秩
1
2
2
部件名称
HMT164S6BFR6C-G7/H9
HMT112S6BFR6C-G7/H9
HMT125S6BFR8C-G7/H9
密度
512MB
1GB
2GB
组织
64Mx64
128Mx64
256Mx64
物料
无卤
无卤
无卤
两种类型的，具有集成的温度传感器和与无热传感器，存在于每一个配置。
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