HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HSL200102
发行日期: 2001年11月1日
修订日期: 2001年11月22日
页页次: 1/12
HMSZ5223B
THRU
HMSZ5257B
热特性
齐纳二极管
SOD-323
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ° C,减免上述25℃
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ℃,减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
* FR- 5 - 1.0× 0.75 × 0.062 **在氧化铝 - 0.4 ×0.3 × 0.024 99.5 %的氧化铝。
符号
PD
PD
RΘJA
TJ , TSTG
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
( VF = 0.9V最大@ IF = 10毫安所有类型。 )
设备
HMSZ5223B
HMSZ5226B
HMSZ5227B
HMSZ5228B
HMSZ5229B
HMSZ5230B
HMSZ5231B
HMSZ5232B
HMSZ5233B
HMSZ5234B
HMSZ5235B
HMSZ5236B
HMSZ5237B
HMSZ5238B
HMSZ5239B
HMSZ5240B
HMSZ5241B
HMSZ5242B
HMSZ5243B
HMSZ52XXB系列
记号
CODE
23
26
27
28
29
30
31
32
33
34
25
36
37
38
39
40
41
42
43
TEST
当前
IZT (毫安)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
齐纳
电压
VZ (V)的
2.7
±5%
3.3
±5%
3.6
±5%
3.9
±5%
4.3
±5%
4.7
±5%
5.1
±5%
5.6
±5%
6.0
±5%
6.2
±5%
6.8
±5%
7.5
±5%
8.2
±5%
8.7
±5%
9.1
±5%
10
±5%
11
±5%
12
±5%
13
±5%
ZZK
IZ=0.25mA
μMAX
1300
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
ZZT
IZ = IZT
μMAX
30
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
马克斯。反向
当前
IR ( UA) @VR (V )
75
1.0
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
HSMC产品规格