HMPS - 282X系列
MINIPAK表面贴装射频肖特基势垒二极管
数据表
说明/应用
这些超小型产品代表的混合
安华高科技的成熟的半导体及最新
在无铅封装。这一系列的肖特基二极管的是
最稳定和最全面的设备可用，
并认为在混合，检测，切换应用程序，
取样，夹紧和波频率高达整形
到6 GHz 。该MINIPAK包提供了降低parasit-
相比传统含铅二极管芯片，并
更低的热阻。
二极管的HMPS - 282X系列提供了最全面的
对于大多数应用，具有低串联电阻的选择
tance ，在所有目前的水平和良好的低正向电压
RF特性。
需要注意的是Avago的制造技术保证
骰子在对和四边形发现是从相邻的拍摄
位点在晶片上，从而确保最大程度匹配的。
MINIPAK 1412是一种陶瓷基封装，而MINIPAK
QFN是一种基于引线框架封装。
特点
表面贴装封装MINIPAK
对于高功率更好的导热性
耗散
单路和双路版本
匹配二极管的一贯表现
低导通电压（低至0.34 V ，1毫安）
低FIT （在失败时）率*
六个西格玛质量水平
欲了解更多信息，请参阅表面贴装
肖特基可靠性数据表。
封装引线码识别（顶视图）
单身
3
2
#0
（ MINIPAK 1412 ）
4
1
3
2
#2
（ MINIPAK 1412 ）
反平行
3
2
#2
（ MINIPAK QFN ）
4
1
3
2
#5
（ MINIPAK QFN ）
反平行
4
1
3
2
#5
（ MINIPAK 1412 ）
并行
4
1
引脚连接和封装标识
3
AA
日期代码
4
2
1
产品编号
并行
4
1
注意事项：
1.包装标识规定的方向和识别。
2.请参见“电气规范”进行适当的包装标识。
HMPS - 282X系列绝对最大额定值
[1]
,
T
c
= 5°c
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
参数
正向电流（ 1微秒脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位
A
V
°C
°C
° C / W
MINIPAK 1412 /
MINIPAK QFN
1
15
150
-65到+150
150
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个可能导致器件的永久性损坏。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
是德音响定义为在所述封装引脚，其中接触是由所述电路板的温度。
MINIPAK 1412
电气连接特定的阳离子，
T
c
= + 5 ° C，单二极管
[4]
部分
包
号标记的铅
HMPS-码
CODE
2820
L
0
测试条件
最低
击穿
电压
配置V
BR
(V)
单身
15
I
R
= 100
μA
最大
前锋
电压
V
F
（毫伏）
340
I
F
= 1
mA
[1]
最大
前锋
电压
V
F
（ V） @我
F
（MA ）
0.5
10
最大
反向
泄漏
I
R
（ NA） @ V
R
(V)
100
1
典型
最大
动态
电容电阻
C
T
（PF ）
R
D
(Ω)
[4]
1.0
V
F
= 0 V
f=1
兆赫
[2]
12
I
F
= 5毫安
注意事项：
1. V
F
对于二极管对15 mV（最大值）为1 mA 。
2. C
TO
对于二极管对是0.2 pF的最大值。
3.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
4. R
D
= R
S
+ 5.2Ω ，在25℃和我
f
= 5毫安。
MINIPAK QFN
电气连接特定的阳离子，
T
c
= + 5 ° C，单二极管
[4]
部分
数
HMPS-
2822
2825
包
铅标记
CODE
CODE
3
2
2
5
最低
击穿
电压
配置V
BR
(V)
反平行
并行
15
I
R
= 100
μA
最大
前锋
电压
V
F
（毫伏）
340
I
F
= 1
mA
[1]
最大
前锋
电压
V
F
（ V） @我
F
（MA ）
0.5
10
最大
反向
泄漏
I
R
（ NA） @ V
R
(V)
100
1
典型
最大
动态
电容电阻
C
T
（PF ）
R
D
(Ω)
[4]
1.0
V
F
= 0 V
f=1
兆赫
[2]
12
I
F
= 5毫安
测试条件
注意事项：
1. V
F
对于二极管对15 mV（最大值）为1 mA 。
2. C
TO
对于二极管对是0.2 pF的最大值。
3.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
4. R
D
= R
S
+ 5.2Ω ，在25℃和我
f
= 5毫安。
ESD警告：
操作应采取预防措施，防止静电放电。
线性等效电路模型二极管芯片
R
j
R
S
SPICE参数
参数
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
V
单位
V
pF
eV
A
A
HMPS-282x
15
0.7
0.60
1E-4
2.2E-8
1.08
8.0
0.65
2
0.5
C
j
R
S
=串联电阻（见表的SPICE参数）
C
j
=结电容（见表的SPICE参数）
8.33 X 10
-5
nT
R
j
=
I
b
+ I
s
哪里
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
I
s
=饱和电流（见表格的SPICE参数）
T =温度，
°K
N =理想因子（见表的SPICE参数）
注意：
有效地模拟包装HSMS- 282X产品，请参阅
应用笔记AN1124 。
的二极管的封装MINIPAK 1412线性电路模型
20 fF
3
30 fF
2
1.1 nH的
4
30 fF
1
的二极管的封装MINIPAK QFN线性电路模型
19 fF
3
0.043 nH的
20 fF
0.045 nH的
0.328 nH的
0.328 nH的
2 fF
0.329 nH的
0.053 nH的
16 fF
0.053 nH的
4
2
20 fF
单二极管封装（ HMPx - x8x0 ）
0.329 nH的
1
18 fF
并联二极管封装（ HMPx - x8x5 ）
19 fF
3
0.043 nH的
20 fF
0.045 nH的
0.328 nH的
0.328 nH的
2 fF
0.329 nH的
0.053 nH的
16 fF
0.053 nH的
4
2
0.329 nH的
1
18 fF
反并联二极管封装（ HMPx - x8x2 ）
MINIPAK 1412 HMPS - 282X系列典型性能
T
c
= 25 ℃（除非另有说明） ，单二极管
100
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
T
A
= –25°C
100,000
10,000
1
0.8
I
F
- 正向电流（mA ）
I
R
- 反向电流（ NA）
C
T
- 电容（pF ）
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
0
5
10
15
V
R
- 反向电压（ V）
10
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压（ V）
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压（ V）
图1.正向电流与正向电压
在温度。
1000
图2.反向电流和反向电压
在温度。
30
30
图3.总电容与反向电压
在1MHz
100
1.0
ΔV
F
- 正向电压差（MV ）
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
ΔV
F
（右轴）
1
ΔV
F
（右轴）
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图4.动态电阻与正向
电流。
图5.典型Vf的比赛，系列双和四边形
在混频器偏置电平。
图6.典型Vf的比赛，系列在双
检测器偏置电平。
1
10
1
10
V
O
=输出电压（V）的
V
O
=输出电压（V）的
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
0.001
+25°C
转换损耗（dB ）
DC偏压= 3
μA
9
0.01
在RF
18 nH的
3.3 nH的
HSMS-282B
Vo
在RF
68
Ω
HSMS-282B
8
Vo
100 pF的
100 KΩ
0
0.0001
1E-005
-20
100 pF的
7
4.7 KΩ
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率（dBm ）
P
in
- 输入功率（dBm ）
本振功率（dBm ）
图7.典型输出电压与输入
动力方面，小信号检测器工作在850
兆赫。
图8.典型输出电压与输入
动力方面，大信号检测器工作在
915兆赫。
图9.典型变频损耗与L.O.驱动器，
2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
4
ΔV
F
- 正向电压差（MV ）
R
D
- 动态电阻（ Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
MINIPAK QFN HMPS - 2825系列典型性能
T
c
= 25 ℃（除非另有说明） ，单二极管
100
I
F
- 正向电流（mA ）
100000
1.0
0.8
C
T
- 电容（pF ）
15
0.6
0.4
0.2
0.0
I
R
- 反向电流（ NA）
10
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
T
A
= -25°C
10000
1000
100
10
1
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
0
5
10
1
0.1
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
2
4
6
8
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图10.正向电流与正向电压在
温度。
图11.反向电流和反向电压时
温度。
30
30
V
F
- 正向电压差（MV ）
图12.总电容与反向电压
在1MHz
100
1.0
V
F
- 正向电压差（MV ）
0.1
0.25
1000
RD - 动态电阻（欧姆）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
V
F
（右轴）
1
V
F
（右轴）
1
0.1
1.0
10.0
100.0
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图13.动态电阻与正向
电流。
图14.典型的Vf的比赛，系列和双
四边形的混频器偏置电平。
图15.典型的Vf的比赛，系列在双
检测器偏置电平。
10
转换损耗（dB ）
9
8
7
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率（dBm ）
图16.典型的变频损耗与L.O.驱动器，
2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
5
QQ：2881677436 复制
