【安捷伦HMPP - 389x系列MINIPAK表面贴装RF PIN二极管开关数据表特点表面贴装封装M】,IC型号HMPP-389T-TR2,HMPP-389T-TR2 PDF资料,HMPP-389T-TR2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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安捷伦HMPP - 389x系列

MINIPAK表面贴装

RF PIN二极管开关

数据表

特点

表面贴装封装MINIPAK

- 高度低，0.7毫米（ 0.028" ）最大。

- 占用空间小， 1.75毫米

2

（ 0.0028英寸

2

)

为更好的导热性

更高的功率耗散

说明/应用

这些超小型产品

代表安捷伦的混合

科技的成熟semiconduc-

器和最新的无铅

封装技术。

在HMPP - 389x系列进行了优化

用于切换应用

在低电流低电阻和

低电容是必需的。该

MINIPAK包提供了降低

时相比寄生

常规含铅二极管，和

更低的热阻。

低结电容

PIN二极管芯片，结合

超低封装寄生效应，是指

这些产品可用于

在频率上高

比conven-上限

tional PIN二极管。

需要注意的是安捷伦的制造业

技术保证骰子

包装在对从取

邻近的位置在晶片上，

保证了最高程度的

匹配。

在HMPP - 389T低电感

宽带分路开关远

适合于各种应用高达6GHz 。

单，双版本

匹配的二极管一致

性能

低电容

在低电流低电阻

低FIT （在失败时）率*

六个西格玛质量水平

*欲了解更多信息，请参阅面

装载肖特基可靠性数据表。

引脚连接和

包装标志

3

4

AA

2

1

产品编号

日期代码

封装引线码识别

（ TOP VIEW ）

单身

3

4

3

反平行

4

3

并行

4

3

分路开关

阴极

阳极

4

2

#0

1

2

#2

1

2

#5

1

2

阳极

1

T

阴极

注意事项：

1.包装标识规定的方向和

识别。

2.请参见“电气规范”

适当的包装标识。

HMPP - 389x系列绝对最大额定值

[1]

,

T

C

= 25°C

符号

I

f

P

IV

T

j

T

英镑

θ

jc

参数

正向电流（ 1

s

脉冲）

峰值反向电压

结温

储存温度

热阻

[2]

单位

AMP

V

°C

°C

° C / W

价值

1

100

150

-65到+150

150

ESD警告：

操作注意事项应该是

注意避免静电放电。

注意事项：

1.操作中过量的这些条件中的任何一个可能导致对永久损坏

装置。

2. T

C

= + 25 ° C，其中T

C

被定义为在所述封装引脚的温度下接触是

到电路板上制成。

电气连接特定的阳离子，

T

C

= + 25°C时，每个二极管

产品型号

HMPP-

3890

3892

3895

389T

测试条件

包

标识代码

D

C

B

T

前导码

0

2

5

T

CON组fi guration

单身

反平行

并行

分路开关

最小击穿

电压（V）的

100

最大系列

电阻（Ω ）

2.5

最大总

电容（pF）

0.30

V

R

= V

BR

衡量我

R

≤

10

A

I

F

= 5毫安

F = 100 MHz的

V

R

= 5V

F = 1 MHz的

典型参数，

T

C

= +25°C

产品型号

HMPP-

389x

测试条件

串联电阻

R

S

()

3.8

I

F

= 1毫安

F = 100 MHz的

载流子寿命

τ

（纳秒）

200

I

F

= 10毫安

I

R

= 6毫安

总电容

C

T

（PF ）

0.20 @ 5 V

2

HMPP - 389x系列的典型表现，

T

c

= 25℃时，每个二极管

0.50

0.45

120

二极管安装为

系列衰减器的

115

50欧姆微带和

经过测试，在123兆赫

110

105

100

95

90

85

1

10

I

F

- 正向偏置电流（毫安）

30

截取点

将更高

在高

频率

RF电阻（欧姆）

10

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

1 GHz的

0.15

0

4

8

12

16

20

1兆赫

1

0.1

1

10

100

I

F

- 正向偏置电流（毫安）

V

R

- 反向电压（ V）

图1总的射频电阻在25℃下与

正向偏置电流。

图2.电容与反向电压。

输入截点（ DBM）

0.8

1.0

1.2

3

4

1

总电容（ pF）的

图3.第2次谐波输入截取点

与正向偏置电流。

200

100

T

rr

- 反向恢复时间（纳秒）

160

V

R

= –2V

120

I

F

- 正向电流（mA ）

10

1

80

V

R

= –5V

40

V

R

= –10V

0

10

15

20

25

30

0.1

0.01

125°C 25°C –50°C

0

0.2

0.4

0.6

正向电流（mA ）

V

F

- 正向电压（ V）

图4.典型的反向恢复时间 -

反向电压。

图5.正向电流与正向电压。

典型应用

射频共

射频共

2

1

RF 1

3

4

RF 2

RF 1

2

2

1

3

4

RF 2

BIAS 1

BIAS 2

BIAS

图6.简单的单刀双掷开关仅使用正偏压。

图7.高隔离度SPDT开关采用双偏置。

3

射频共

4

3

RF 1

4

1

3

1

2

3

4

1

RF 2

2

2

BIAS

图8.非常高隔离度SPDT开关，双偏置。

应用信息

PIN二极管

在射频和微波网络，

机械式开关和衰减

器体积庞大，往往不可靠，

和难于制造。

开关IC ，同时方便

使用且成本低的小

量，贫困患

失真性能并

没有符合成本效益的PIN二极管

开关和衰减器中非常

大批量。在过去的30年里，

设计师们都把PIN码

二极管，用于高性能/低

成本的解决方案，它们的开关

和电平控制的需要。

在射频和微波范围内，

交换机提供了简单

目的是通过暗示其

名称;它的运作之一之间

两种模式下， ON或OFF。在接通

状态，开关被设计为

有尽可能少的损失。在

关断状态时，开关必须具有

非常高的损失（隔离）的

输入信号时，通常是从20到

60分贝。衰减器，但是，

提供更复杂的功能。

它提供了用于“软”或

在功率控制的变化

一个射频或微波信号的电平。

于，因为它衰减了相同的时间

输入信号到一些predeter-

开采价值，还必须出示

匹配输入阻抗（低

电压驻波比）的源。一切

它采用微波网络

PIN二极管（移相器，调制

器等）上的一个变型

这两个基本的电路。

人们可以看到，开关和

衰减器有很大的不同

在它们的功能，并且将there-

前往往需要不同的

特征在他们的PIN二极管。

这些性质是容易

通过该方式来控制

该PIN二极管被制成。

见图9 。

n +扩散

金属接触

体积

Ⅰ-层

二极管建设

安捷伦科技公司，两个基本

二极管的制造方法是

使用。在散装的二极管的情况下，一

很纯晶圆（内在）

硅重掺杂的顶部

面和底面，以形成磷和氮

地区。其结果是一个具有二极管

很厚，很纯粹的I区。

外延层（或EPI）二极管

开始为重掺杂的晶片

硅（在P或N层），到

其中一个薄的余层生长。

在外延生长后， diffu-

锡永用于添加一个重掺杂

（ N或P）的上外延的顶层，

创建一个二极管具有非常薄的我

填充层用比较

大量缺陷。

这两种不同的方法

设计结果两班

二极管具有明显不同

特性，如图

表1中。

正如我们将在下面看到

段中，散装二极管是

几乎总是使用衰减器

应用程序有时为

开关，而外延二极管（如

作为HMPP - 3890 ）一般是

用作开关元件。

二极管寿命及其启示

PIN二极管的电阻是

由导电性的控制（或

电阻率的I层）。这

电导率是由控制

载流子的云的密度

（电荷）的I层中（它是在

转，通过DC偏压控制）。

少数载流子寿命，表明

希腊符号

τ,

是

散装二极管衰减器

联系过

P +扩散

;

;

N +衬底

P +扩散

EPI

Ⅰ-层

外延开关二极管

图9. PIN二极管的建设。

表1.散装和EPI二极管特性。

特征

一生

失真

电流要求

我区厚度

EPI二极管

短

高

低

很瘦

散装二极管

长

低

高

厚

4

措施所花费的时间

电荷存储的I层在至

衰减，当正向偏压为

与反向偏置取代，一些

预定值。这一辈子

可以很短（35至200毫微秒。对于

外延二极管），或者它可以是

相对长的（400至3000毫微秒。

散装二极管）。一生有

过了一些强大的影响力

PIN二极管的参数，其中

这是失真和基本

二极管的行为。

研究对一生的影响

二极管的行为，我们首先定义一个

截止频率f

C

= 1 / τ 。对于短

一生二极管，这种截断频

昆西可高达30兆赫

而对于我们的寿命更长

二极管F

C

400千赫。在frequen-

CIES这是十倍F

C

（或

更多）， PIN二极管确实如此

就像一个电流控制法

可变电阻器。频率

这为F的十分之一（或更少）

C

,

PIN二极管的作用就像一个普通的

PN结二极管。最后，在

0.1f

C

≤

f

≤

10f

C

，的行为

二极管是很复杂的。就够了

提，在此频率

范围时，二极管可以显示出很

强大的容性或感性

电抗 - 它不会表现在

都喜欢一个电阻。然而，在零

偏置或在重正向偏压，

所有PIN二极管表现出非常

高或非常低的阻抗

（分别）不管是什么

它们的寿命。

二极管电阻与正向偏置

如果我们看一下的典型曲线

电阻与正向电流

本体和外延二极管（见图

10 ），我们可以看到，他们都非常

不同。当然，这些曲线

只适用于频率> 10架F

C

.

人们可以看到，曲线

电阻与偏置电流的

体效应二极管远远高于

对于外延（开关）二极管。

因此，对于一个给定的电流和

结电容，外延

二极管将始终具有一个较低的

电阻比体二极管。

薄外延二极管，其

体积小I区，可以

容易地饱和（带到

点的最小阻力）与

相比非常小的电流

更大的体效应二极管。而一个

外延二极管以及在饱和

约10 mA时，大部分电流

二极管可能需要向上

在100mA以上。此外，外延

二极管可以实现合理

阻力位的电流值

1 mA或更低，非常适合

对于电池供电的应用。

具有比较的两个基本

类型PIN二极管，所以现在

专注于HMPP - 3890外延

二极管。

定的薄外延I区，所述

二极管设计者可以权衡的

器件的总电阻（R

S

+ R

j

)

和结电容（C

j

）通过

不同的直径

接触，我区。该

HMPP - 3890的设计与

930兆赫蜂窝和RFID的

1.8GHz的PCS和2.45 GHz的RFID

市场的初衷。结合

在图10中所示的低电阻

用的一种典型的总电容

0.27 pF的，它形成的基础的高

高性能，低成本的开关

网络。

1000

HSMP- 3880散装PIN二极管

线性等效电路

为了预测perfor-

在HMPP - 3890作为的曼斯

开关，有必要构建

然后可以使用一个模型

所述多个线性分析之一

目前市场上的计划。

这样的模型是在图11中，

其中R

S

+ R

j

给出了在图1中

和C

j

在图2中被提供。

图11的仔细的检查

将揭示的事实，即

封装寄生效应（电感

和电容）要低得多

为MINIPAK比它们对于

引脚塑料封装，如

采用SOT -23 ， SOT- 323或他人。

这将允许HMPP - 389x

频率较高时要使用的家庭

quencies比传统的

含铅同行。

20 fF

3

30 fF

1.1 nH的

2

1

4

30 fF

20 fF

单二极管封装（ HMPP - 3890 ）

20 fF

0.05 nH的

3

30 fF

0.05 nH的

2

12 fF

0.5 nH的

0.5 nH的

30 fF

0.05 nH的

1

0.5 nH的

0.5 nH的

0.05 nH的

4

20 fF

反并联二极管封装（ HMPP - 3892 ）

20 fF

0.05 nH的

3

30 fF

0.05 nH的

2

12 fF

0.5 nH的

0.5 nH的

30 fF

0.05 nH的

1

0.5 nH的

0.5 nH的

0.05 nH的

4

电阻（Ω ）

100

20 fF

并联二极管封装（ HMPP - 3895 ）

10

HMPP-389x

外延PIN二极管

的图11.线性等效电路

MINIPAK PIN二极管。

1

0.01

0.1

1

10

偏置电流（mA ）

100

图10.电阻与，正向偏压。

5

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