韩光
HMNP16MM
非易失性SRAM模块16兆字节（ 4,096K X 32位） ， PCI接口， （ SMM ） 5V
产品型号
HMNP16MM
概述
该HMNP16MM非易失SRAM是由16位组织为8,388,608字16777216字节静态RAM 。
该HMNP16MM具有自包含的锂电池提供可靠的非挥发性加上
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个5V无限的写入周期
供应超差的情况。当这种情况发生时，锂能量源是
自动开启，以维持内存中，直到V后
CC
返回有效的写保护
无条件使能，防止乱码数据。
此外， SRAM是无条件写保护，以防止意外的写入操作。此时
整体能量源通维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该HMNP16MM采用极低的待机电流的CMOS SRAM的，再加上小纽扣锂电池，以
提供非挥发性不长写周期时间，并与EEPROM相关的写周期的限制。
特点
w
访问时间： 70 ， 85和100纳秒
w
高密度设计： 16兆字节的设计
w
电池内部隔离，直到通电
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电周期自动写保护
w
数据掉电时自动保护
w
工业温度操作
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
100纳秒
记号
- 70
- 85
-100
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修订版0.0 （ 2002年4月）
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韩光电器有限公司
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功能说明
HMNP16MM
该HMNP16MM执行一个读周期时/ WE为无效（高）和/ CE为有效（低电平） 。地址
由地址输入指定的（A
0
-A
19
）定义其中的16777216个字节的数据进行访问。有效数据
将提供给内吨八个数据输出驱动器
加
（访问时间）后的最后一个地址输入信号是
稳定。
当功率是有效的，则HMNP16MM用作标准CMOS SRAM中。在掉电和供电
向上循环后， HMNP16MM用作非易失性存储器时，自动保护和保存存储器
目录。
该HMNP16MM处于写模式时的/ WE和/ CE信号在之后的有效（低电平）状态
地址输入是稳定的。 / CE后期出现下降沿或/ WE将决定写入的开始
周期。写周期是由/ CE和/ WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。 /我们必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
）前
另一个周期可以被发起。在/ OE控制信号应当在写周期，以避免保持非活动状态（高）
总线争用。但是，如果启用了输出总线（ / CE和/ OE激活），则/我们将关闭
在科技产出
ODW
从它的下降沿。
该HMNP16MM提供全功能能力的Vcc大于4.5 V和写保护由4.37 V
标称。掉电/上电控制电路持续监测Vcc电源的电源失效检测
阈值V
PFD
。当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有
输入到RAM中成为
“别
关心“，所有输出为高阻抗。正如下面的Vcc下降约
3伏时，功率开关电路将锂电池到RAM保存数据。在上电期间，
当Vcc以上上升到大约3.0伏时，电源切换电路连接外部Vcc提供给RAM的
并断开锂电池的能量来源。正常RAM操作就可以恢复Vcc超过4.5伏之后。
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真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
HMNP16MM
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
输入电压，V
CC
VCC
Pd
T
英镑
Ta
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
32
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
K6T4016C3C-B
K6T4016C3C-F
备注
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于本详细介绍了建议的直流工作条件
数据表。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5V
0
2.2
-0.5
( T
A
= T
OPR
)
典型
5.0V
0
-
-
最大
5.5V
0
V
CC
+0.5V
0.8V
注意：
典型值指示器件的工作在T
A
= 25℃
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