韩光
HMN4M8DV(N)
非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 3.3V
产品型号HMN4M8DV （N ）
概述
该HMN4M8DV非易失SRAM是由8位， 4,194,304字节的33554432位静态RAM 。
该HMN4M8DV具有自含锂的能量源提供可靠的非-volatility再加上无限的写
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个3.3V电源是否超出OF-周期
宽容的条件。当这种情况发生时，锂电池便自动打开，以维持
内存中，直到经过V
CC
返回有效的，写保护将无条件使能，防止乱码数据。此外，该
SRAM是无条件写保护，以防止意外的写入操作。此时的积分能量源
处于开机状态，以维持T他内存中，直到经过V
CC
返回有效。
该HMN4M8DV采用极低的待机电流的CMOS SRAM的，再加上小钮扣锂电池，提供非 -
波动不长写周期时间，并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间： 55为70ns
w
高密度设计： 32兆
设计
w
电池内部隔离，直到
电源施加
w
业界标准的40引脚4,096K
×8引脚排列
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有
V
CC
w
5年来最低的数据保留
在断电情况下
w
在自动写保护
上电/掉电周期
w
数据被自动保护
断电时
引脚分配
A
21
A
20
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
V
CC
A
19
NC
A
15
A
17
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/ OE
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
NC
A
21
A
20
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
V
CC
A
19
NC
A
15
A
17
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/ OE
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
NC
36引脚密封封装
w
封装选项
- HMN4M8DV
- HMN4M8DVN
- 36引脚DIP封装
- 40引脚DIP封装
40引脚封装的封装
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
1
韩光电器有限公司
韩光
功能说明
HMN4M8DV(N)
该HMN4M8DV执行一个读周期时/ WE为无效（高）和/ CE为有效（低电平） 。由指定的地址
地址输入（A
0
-A19 ）定义其中的4,194,304字节的数据进行访问。有效的数据将是一个vailable到
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号后是稳定的。
当功率是有效的，则HMN4M8DV用作标准CMOS SRAM中。在电源下移和上电周期，
该HMN4M8DV作为非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器中的内容。
该HMN4M8DV处于写模式时的/ WE和/ CE信号处于激活（低电平）状态后的地址输入端
是稳定的。 / CE或后期出现下降沿/我们将 etermine写周期的开始。写周期
由/ CE或/ WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须保持有效的在整个写周期。 WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在/ OE控制
信号应保持无效（高）在写周期，以避免总线竞争。然而，如果输出总线被启用
（ / CE和/ OE激活），则/我们将禁用T中的输出
ODW
从它的下降沿。
该HMN4M8DV为V CC大于4.5 V和写保护由4.37 V标称全功能的能力。
掉电/上电控制电路持续监视V CC电源的电源故障检测阈值V
PFD
。当
V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，自动地写入SRAM中 - 保护的数据。所有输入到RAM中成为
“别
关心“，所有输出为高阻抗。为V cc的下方约3伏下降时，电源开关电路连接
锂电池的能量索里到RAM保留 ATA 。在上电期间，当Vcc以上升高大约3.0伏的电源
开关电路连接外部V CC的RAM和断开锂电池的能量来源。正常RAM操作
可以恢复Vcc超过4.5伏之后。
框图
引脚说明
A
0
-A
19
/ OE
/ WE
动力
/ CE
A
20
-A
21
动力
–
失败
控制
锂
CELL
（ 1M ×8 ）× 4
SRAM
CE2座
/CE1
/ CE
CON
V
CC
DQ
0
-DQ
7
A
0
-A
21
：地址输入
/ CE ：芯片使能
V
SS
：地面
DQ
0
-DQ
7
：数据输入/输出
/ WE ：写使能
/ OE ：输出使能
V
CC
：电源（ + 5V ）
NC ：无连接
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
2
韩光电器有限公司
韩光
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
CE2
X
H
H
H
/ WE
X
H
H
L
HMN4M8DV(N)
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对的
到V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
注意：
符号
V
CC
V
T
等级
-0.5V到V
CC
+0.2V
-0.2V至4.6V
0至70℃
-40到85°C
-65 ℃150 ℃的
-40 ° C至85°C
260°C
10秒
广告
产业
条件
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件（T
A
= T
OPR
)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
注意：
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0V
0
2.2
-0.2
2)
典型
3.3V
0
-
-
最大
3.6V
0
V
CC
+0.3V
0.6V
1)
1.过冲： VCC + 2.0V的情况下，脉冲宽度
≤20ns.
3.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
2.冲： -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
3
韩光电器有限公司
韩光
读周期
(T
A
= T
OPR
, V
CCmin
V
CC
≤
V
CCmax
)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
加
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
输出负载A
输出负载A
输出负载A
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载A
条件
-70
民
70
-
-
-
5
5
0
0
10
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
民
85
-
-
-
5
0
0
0
10
-85
最大
-
85
85
45
-
-
35
25
-
HMN4M8DV(N)
-120
民
120
-
-
-
5
0
0
0
10
最大
-
120
120
60
-
-
45
35
-
-150
民
150
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
150
150
70
-
-
60
50
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(T
A
= T
OPR
, V
CCmin
V
cc
≤
V
CCmax
)
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间（写周期1 ）
写恢复时间（写周期2 ）
数据有效到写结束
数据保持时间（写周期1 ）
数据保持时间（写周期2 ）
写使能输出高阻
输出写入结束活动
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
DW
t
DH1
t
DH2
t
WZ
t
OW
注4
注4
注5
注5
注1
注2
注1
注1
注3
注3
条件
-70
民
70
65
0
65
55
5
15
30
0
10
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
民
85
75
0
75
65
5
15
35
0
10
0
0
-85
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-120
民
120
100
0
100
85
5
15
45
0
10
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-150
民
150
100
0
90
90
5
15
50
0
0
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
UNI
T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
在/ CE的早期过渡1.写结束持续高/我们要高。
2.允许/ CE和低/ WE的重叠期间，写操作。一开始写在t / CE的他后来转型
变低和/ WE变低。
3.无论吨
WR1
或T
WR2
必须得到满足。
4.要么吨
DH1
或T
DH2
必须得到满足。
5.如果/ CE同时变为低配/ WE变低或之后/我们要低， outpu TS留在高
阻抗状态。
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
5
韩光电器有限公司
QQ：2881677436 复制
