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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第5页 > HMMC-3104
安捷伦HMMC - 3104
DC- 16 GHz的包装分频-4-
预分频器
HMMC - 3104 - TR1 - 7 “直径卷筒每个/ 500
HMMC - 3104 - BLK - 泡泡胶/ 10各
数据表
描述
该HMMC - 3104封装
砷化镓HBT MMIC预分频器
它提供了从直流到16 GHz的
频率转换为使用
通信和电子战
系统集成高
频PLL的振荡器电路
和信号路径下
转换应用。该
预分频器提供了大量的输入
电源灵敏度窗口
低相位噪声。
封装类型: SOIC - 8塑料
封装尺寸: 4.9× 3.9毫米(典型值)
封装厚度: 1.55毫米(典型值)
引脚间距为1.25mm NOM
引脚宽度: 0.42毫米NOM
绝对最大额定值
1
( @ T = 25 ℃,除非另有说明)
A
特点
宽的频率范围:
0.2-16千兆赫
高输入功率灵敏度:
片上之前和之后的安培
-20到+10 dBm的(1-10千兆赫)
-15至+10 dBm的( 10-12千兆赫)
-10至+5 dBm的( 12-15千兆赫)
P
OUT
: +6 dBm的( 0.99 V
p-p
)将推动
ECL
低相位噪声:
-153 dBc的/赫兹@ 100 kHz偏置
( + )或( - )单电源偏压
范围广:
4.5 6.5 V
差分I / 0芯片
50W匹配
W
最大
+7
-7
+7
V
CC
- 1.5
V
CC
-1.2
+10
V
CC
±0.5
-40
-65
+85
+165
310
符号
V
CC
V
EE
|V
CC
- V
EE
|
V
逻辑
P
在(CW)
V
RFIN
T
BS2
T
st
T
最大
参数/条件
偏置电源电压
偏置电源电压
偏置电源台达
逻辑阈值电压
CW RF输入功率
直流输入电压( @ RFIN或RF
in
PORTS )
背面操作温度
储存温度
大会的最大温度(60秒以内)
单位
DBM
°C
°C
°C
注意事项:
1.操作超出任何参数限制(除了牛逼
BS
)可能会造成永久性损坏设备。
2. MTTF >1 ×10
6
小时@ T
BS
<85 ℃。运行超过最高工作温度(T
BS
)会降低平均无故障时间。
DC规格/物理性能
(T
A
= +25 ° C,V
CC
- V
EE
= 5.0伏时,除非另有列出)
符号
V
CC
- V
EE
|I
CC
|和| I
EE
|
V
RFIN ( Q)
V
RFOUT ( Q)
V
逻辑
参数/条件
工作偏置电源的区别
1
偏置电源电流
静态直流电压出现在所有RF端口
4.5
68
典型值
5.0
80
V
CC
最大
6.5
92
单位
mA
标称ECL逻辑电平
(V
逻辑
接触的自偏压,在片上产生)
V
CC
-1.45
V
CC
-1.35
V
CC
-1.25
注意事项:
1.预分频器工作在满规定的电源电压范围。 V
CC
或V
EE
不超过绝对最大额定值部分限制特定网络版。
2
RF连接特定的阳离子
(T
A
= +25 ° C,Z
0
= 50
W,
V
CC
- V
EE
= 5.0伏)
符号
IN (MAX)
IN(分钟)
SEL -OSC 。
P
in
参数/条件
操作的最大输入频率
操作的最小输入频率
1
(P
in
= -10 dBm的)
输出自激振荡频率
2
@ DC , (方波输入)
@
in
= 500兆赫(正弦波输入)
in
= 1至8 GHz
in
= 8至10 GHz的
in
= 10到12 GHz
16
典型值
18
0.2
3.4
最大
单位
GHz的
0.5
GHz的
GHz的
-15
-15
-15
-10
-4
>-25
>-20
>-25
>-15
>-10
15
30
-153
+10
+10
+10
+10
+4
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dBc的/赫兹
RL
S
12
j
N
小信号输入/输出回波损耗( @
in
<10千兆赫)
小信号反向隔离( @
in
<10千兆赫)
SSB相位噪声( @ P
in
= 0 dBm时, 100千赫从偏移
ou
t =
1.2 GHz的载波)
输入信号随时间的变化@过零(
in
= 10 GHz时, P
in
=
为-10 dBm )
输出转换时间(10%至90%的上升/下降时间)
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.0 GHz的
4
3.5
0
抖动
1
ps
T
r
或T
f
P
out3
70
6
5.5
2.0
0.99
0.94
0.63
-40
ps
DBM
DBM
DBM
DBM
|V
OUT (P- P)的
|
4
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.0 GHz的
P
Spitback
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
OUT
(@
in
10 GHz时,
未使用的RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
OUT
(@
in
10千兆赫,这两个
RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
-47
DBM
P
FEEDTHRU
H
2
的功率电平
in
出现在RF
OUT
或RF
OUT
(@
in
= 12千兆赫,
引脚= 0 dBm时,简称P
in
(
in
))
二次谐波失真输出电平( @
OUT
= 3.0千兆赫,
简称P
OUT
(
OUT
))
-23
dBc的
-25
dBc的
注意事项:
1.对于正弦波输入信号。预分频器将向下运行至直流,方波输入信号。分钟。分频的频率受输入转换率。
2.预分频器可以在没有RF输入信号的偏压下呈现出该输出信号。该条件可以通过使用输入的直流的消除偏移
技术说明第4页。
3.基本的输出方波的傅里叶级数。
从P 4,方波的幅度来计算
OUT
.
3
应用
该HMMC - 3104被设计为
在高频率使用
通信,微波
仪器仪表,电子战和雷达
系统中的低相位噪声
PLL控制电路或基础广泛
波段频率转换为
所需。
手术
该设备被设计为
当与驱动两种操作
单端或差分
正弦输入信号超过一
200 MHz至16 GHz的带宽。
低于200 MHz的预分频器
输入“转换率”的限制,
要求快速上升和下降
边沿速度正常分裂。
该设备将在工作
频率下降到DC时
驱动用方波。
由于偏移量有关的存在
片内RF-旁路电容
包(连接到
V
CC
联系设备上) ,并且
该设备的独特设计
本身,该组件可以是
从任一单偏置
正或负的单
提供偏置。的背面
包是不是DC连接
在设备上的任何直流偏置点。
对于正电源供电,
V
CC
销名义上偏置
在+4.5至+6.5任何电压
(伏范围引脚8 V
EE
)
接地。对于负偏压
操作V
CC
引脚通常
接地和负电压
-4.5至-6.5伏之间,
适用于引脚8 (V
EE
).
交流耦合和隔直流
所有RF端口连接DC
片上,以在V
CC
联系
通过片上50W电阻。
在任何偏见条件下
V
CC
没有直流接地的RF
港口应通过交流耦合
串联电容器安装在
在PC机主板在每个RF端口。
只有在偏置条件
其中,V
CC
是直流接地(这是
典型的负偏置电源
操作)可以在RF端口是
直接耦合到邻近
电路或在某些情况下,如
作为电平转换到后续
阶段。在后一种情况下
封装散热片可
“浮动”和偏置应用的
V之间的区别
CC
和V
EE
.
输入直流偏置
如果有足够的RF信号
信噪比是存在于
射频输入线,预分频器
将操作并提供一个
分割输出等于输入
频率除以分频
模量。在一定的“理想”
条件,其中输入是
良好匹配,在右侧输入
频率,该组件可
“自振荡” ,尤其是在
小信号输入功率或
只有噪声存在于
输入。这种“自激振荡”将
产生不期望的输出
信号也被称为假
触发。为了防止误触发
或自振荡的条件下,
适用于20至100 mV的直流偏置
在RFIN之间的电压
RFIN端口。这可以防止噪音
或杂散低电平信号
从触发分频器。
添加之间的10KW电阻
未使用的RF输入到一个接触
点在VEE潜力
导致的 25mV的偏移
之间的RF输入。注意,
然而,该输入
灵敏度将降低
略由于存在
这个偏移量。
V
CC
6
V
CC
4
V
CC
2
150p
VCC
By
POSS
VCC
VCC
50
50
OUT
50
50
IN
IN
5
7
IN
÷
IN
VEE
VPWR
SEL
3
OUT
OUT
OUT
销1
SOIC8 W /背面GND
8
V
EE
图1.简化的原理图
4
装置说明
独立的偏压施加
到包,背侧
包装应始终
同时连接到一个良好的RF
接地平面和良好的
热热量下沉区
在PC板,以优化
性能。对于单端
输出操作中未使用的RF
输出导线应
终止为50W到联系人
点在V
CC
电位或
通过隔直RF接地
电容。
最小的射频和热PC
板的接触面积等于或
大于2.67× 1.65毫米
( 0.105" X 0.065" )与八
直径0.020"镀墙
散热孔建议。
MMIC的ESD防范措施,
操作注意事项,死
重视和粘接方法
在成功的关键因素
砷化镓MMIC性能和
可靠性。
安捷伦应用笔记# 54 ,
“砷化镓MMIC ESD,芯片粘接
和粘接指引“
提供的基本信息
这些科目。
其他参考:
PN # 18 , “ HBT预分频器
评估板。 “
注意事项:
- 以毫米为单位所有尺寸。
- 参考JEDEC外形MS- 012的
额外的公差。
符号
A
A1
B
C
D
E
e
H
L
a
-
图2.包装尺寸&
-
1.35
0.0
0.33
0.19
4.80
3.80
最大
1.75
.25
0.51
.025
5.00
4.00
1.27 BSC
5.80
0.40
6.20
1.27
在PKG底部露出散热片面积=
2.67 x 1.65
在封装底部暴露的散热器必须
被焊接到印刷电路板的RF接地平面。
V CC ( +4 0.5 6 0.5 VO LTS )
1 μ F周一○B锁
apacito
从负电源供电组件,每个地
VCCconnection和供给VEE用负电压( - 4.5
到 - 6.5V )旁路至地用 1米电容。
f
HMMC-3104
9618
RFIN
VCC
RFIN
VEE
VCC
RFOUT
VCC
RFOUT
RFOUT应在50Ω端接至地。 ( DC阻塞
所需电容的正偏压的配置。 )
在封装底部暴露散热器
必须焊接到PCB的RF接地。
图3.装配图
(单电源,显示出积极的偏置配置)
5
安捷伦HMMC - 3104
DC- 16 GHz的包装分频-4-
预分频器
HMMC - 3104 - TR1 - 7 “直径卷筒每个/ 500
HMMC - 3104 - BLK - 泡泡胶/ 10各
数据表
描述
该HMMC - 3104封装
砷化镓HBT MMIC预分频器
它提供了从直流到16 GHz的
频率转换为使用
通信和电子战
系统集成高
频PLL的振荡器电路
和信号路径下
转换应用。该
预分频器提供了大量的输入
电源灵敏度窗口
低相位噪声。
封装类型: SOIC - 8塑料
封装尺寸: 4.9× 3.9毫米(典型值)
封装厚度: 1.55毫米(典型值)
引脚间距为1.25mm NOM
引脚宽度: 0.42毫米NOM
绝对最大额定值
1
( @ T = 25 ℃,除非另有说明)
A
特点
宽的频率范围:
0.2-16千兆赫
高输入功率灵敏度:
片上之前和之后的安培
-20到+10 dBm的(1-10千兆赫)
-15至+10 dBm的( 10-12千兆赫)
-10至+5 dBm的( 12-15千兆赫)
P
OUT
: +6 dBm的( 0.99 V
p-p
)将推动
ECL
低相位噪声:
-153 dBc的/赫兹@ 100 kHz偏置
( + )或( - )单电源偏压
范围广:
4.5 6.5 V
差分I / 0芯片
50W匹配
W
最大
+7
-7
+7
V
CC
- 1.5
V
CC
-1.2
+10
V
CC
±0.5
-40
-65
+85
+165
310
符号
V
CC
V
EE
|V
CC
- V
EE
|
V
逻辑
P
在(CW)
V
RFIN
T
BS2
T
st
T
最大
参数/条件
偏置电源电压
偏置电源电压
偏置电源台达
逻辑阈值电压
CW RF输入功率
直流输入电压( @ RFIN或RF
in
PORTS )
背面操作温度
储存温度
大会的最大温度(60秒以内)
单位
DBM
°C
°C
°C
注意事项:
1.操作超出任何参数限制(除了牛逼
BS
)可能会造成永久性损坏设备。
2. MTTF >1 ×10
6
小时@ T
BS
<85 ℃。运行超过最高工作温度(T
BS
)会降低平均无故障时间。
DC规格/物理性能
(T
A
= +25 ° C,V
CC
- V
EE
= 5.0伏时,除非另有列出)
符号
V
CC
- V
EE
|I
CC
|和| I
EE
|
V
RFIN ( Q)
V
RFOUT ( Q)
V
逻辑
参数/条件
工作偏置电源的区别
1
偏置电源电流
静态直流电压出现在所有RF端口
4.5
68
典型值
5.0
80
V
CC
最大
6.5
92
单位
mA
标称ECL逻辑电平
(V
逻辑
接触的自偏压,在片上产生)
V
CC
-1.45
V
CC
-1.35
V
CC
-1.25
注意事项:
1.预分频器工作在满规定的电源电压范围。 V
CC
或V
EE
不超过绝对最大额定值部分限制特定网络版。
2
RF连接特定的阳离子
(T
A
= +25 ° C,Z
0
= 50
W,
V
CC
- V
EE
= 5.0伏)
符号
IN (MAX)
IN(分钟)
SEL -OSC 。
P
in
参数/条件
操作的最大输入频率
操作的最小输入频率
1
(P
in
= -10 dBm的)
输出自激振荡频率
2
@ DC , (方波输入)
@
in
= 500兆赫(正弦波输入)
in
= 1至8 GHz
in
= 8至10 GHz的
in
= 10到12 GHz
16
典型值
18
0.2
3.4
最大
单位
GHz的
0.5
GHz的
GHz的
-15
-15
-15
-10
-4
>-25
>-20
>-25
>-15
>-10
15
30
-153
+10
+10
+10
+10
+4
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dBc的/赫兹
RL
S
12
j
N
小信号输入/输出回波损耗( @
in
<10千兆赫)
小信号反向隔离( @
in
<10千兆赫)
SSB相位噪声( @ P
in
= 0 dBm时, 100千赫从偏移
ou
t =
1.2 GHz的载波)
输入信号随时间的变化@过零(
in
= 10 GHz时, P
in
=
为-10 dBm )
输出转换时间(10%至90%的上升/下降时间)
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.0 GHz的
4
3.5
0
抖动
1
ps
T
r
或T
f
P
out3
70
6
5.5
2.0
0.99
0.94
0.63
-40
ps
DBM
DBM
DBM
DBM
|V
OUT (P- P)的
|
4
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.0 GHz的
P
Spitback
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
OUT
(@
in
10 GHz时,
未使用的RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
OUT
(@
in
10千兆赫,这两个
RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
-47
DBM
P
FEEDTHRU
H
2
的功率电平
in
出现在RF
OUT
或RF
OUT
(@
in
= 12千兆赫,
引脚= 0 dBm时,简称P
in
(
in
))
二次谐波失真输出电平( @
OUT
= 3.0千兆赫,
简称P
OUT
(
OUT
))
-23
dBc的
-25
dBc的
注意事项:
1.对于正弦波输入信号。预分频器将向下运行至直流,方波输入信号。分钟。分频的频率受输入转换率。
2.预分频器可以在没有RF输入信号的偏压下呈现出该输出信号。该条件可以通过使用输入的直流的消除偏移
技术说明第4页。
3.基本的输出方波的傅里叶级数。
从P 4,方波的幅度来计算
OUT
.
3
应用
该HMMC - 3104被设计为
在高频率使用
通信,微波
仪器仪表,电子战和雷达
系统中的低相位噪声
PLL控制电路或基础广泛
波段频率转换为
所需。
手术
该设备被设计为
当与驱动两种操作
单端或差分
正弦输入信号超过一
200 MHz至16 GHz的带宽。
低于200 MHz的预分频器
输入“转换率”的限制,
要求快速上升和下降
边沿速度正常分裂。
该设备将在工作
频率下降到DC时
驱动用方波。
由于偏移量有关的存在
片内RF-旁路电容
包(连接到
V
CC
联系设备上) ,并且
该设备的独特设计
本身,该组件可以是
从任一单偏置
正或负的单
提供偏置。的背面
包是不是DC连接
在设备上的任何直流偏置点。
对于正电源供电,
V
CC
销名义上偏置
在+4.5至+6.5任何电压
(伏范围引脚8 V
EE
)
接地。对于负偏压
操作V
CC
引脚通常
接地和负电压
之间 - 4.5 - 6.5伏
适用于引脚8 (V
EE
).
交流耦合和隔直流
所有RF端口连接DC
片上,以在V
CC
联系
通过片上50W电阻。
在任何偏见条件下
V
C C
没有直流接地的RF
港口应通过交流耦合
串联电容器安装在
在PC机主板在每个RF端口。
只有在偏置条件
其中,V
CC
是直流接地(这是
典型的负偏置电源
操作)可以在RF端口是
直接耦合到邻近
电路或在某些情况下,如
作为电平转换到后续
阶段。在后一种情况下
封装散热片可
“浮动”和偏置应用的
V之间的区别
CC
和V
EE
.
输入直流偏置
如果有足够的RF信号
信噪比是存在于
射频输入线,预分频器
将操作并提供一个
分割输出等于输入
频率除以分频
模量。在一定的“理想”
条件,其中输入是
良好匹配,在右侧输入
频率,该组件可
“自振荡” ,尤其是在
小信号输入功率或
只有噪声存在于
输入。这种“自激振荡”将
产生不期望的输出
信号也被称为假
触发。为了防止误触发
或自振荡的条件下,
适用于20至100 mV的直流偏置
该RFI n和之间的电压
RFI n个端口。这可以防止噪音
或杂散低电平信号
从触发分频器。
添加之间的10KW电阻
未使用的RF输入到一个接触
点在VEE潜力
导致的 25mV的偏移
之间的RF输入。注意,
然而,该输入
灵敏度将降低
略由于存在
这个偏移量。
V
CC
6
V
CC
4
V
CC
2
150p
VCC
By
POSS
VCC
VCC
50
50
OUT
50
50
IN
IN
5
7
IN
÷
IN
VEE
VPWR
SEL
3
OUT
OUT
OUT
销1
SOIC8 W /背面GND
8
V
EE
图1.简化的原理图
4
装置说明
独立的偏压施加
到包,背侧
包装应始终
同时连接到一个良好的RF
接地平面和良好的
热热量下沉区
在PC板,以优化
性能。对于单端
输出操作中未使用的RF
输出导线应
终止为50W到联系人
点在V
CC
电位或
通过隔直RF接地
电容。
最小的射频和热PC
板的接触面积等于或
大于2.67× 1.65毫米
( 0.105" X 0.065" )与八
直径0.020"镀墙
散热孔建议。
MMIC的ESD防范措施,
操作注意事项,死
重视和粘接方法
在成功的关键因素
砷化镓MMIC性能和
可靠性。
安捷伦应用笔记# 54 ,
“砷化镓MMIC ESD,芯片粘接
和粘接指引“
提供的基本信息
这些科目。
湿气敏感度
分类: 1类,每
JESD22-A112-A.
其他参考:
PN # 18 , “ HBT预分频器
评估板。 “
注意事项:
- 以毫米为单位所有尺寸。
- 参考JEDEC外形MS- 012的
额外的公差。
符号
A
A1
B
C
D
E
e
H
1.35
0.0
0.33
0.19
4.80
3.80
最大
1.75
.25
0.51
.025
5.00
4.00
1.27 BSC
5.80
0.40
6.20
1.27
图2.包装尺寸&
L
a
V CC ( +4 0.5 6 0.5 VO LTS )
在PKG底部露出散热片面积=
2.67 x 1.65
1 μ F周一○B锁
- 在包装袋底部裸露散热器必须
apacito
被焊接到印刷电路板的RF接地平面。
从负电源供电组件,每个地
VCCconnection和供给VEE用负电压( - 4.5
到 - 6.5V )旁路至地用 1米电容。
f
-
VCC
RFIN
VEE
HMMC-3104
9618
RFIN
VCC
RFOUT
VCC
RFOUT
RFOUT应在50Ω端接至地。 ( DC阻塞
所需电容的正偏压的配置。 )
在封装底部暴露散热器
必须焊接到PCB的RF接地。
图3.装配图
(单电源,显示出积极的偏置配置)
5
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