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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1024页 > HMMC-3004
安捷伦HMMC -3004
DC - 16 GHz的砷化镓HBT MMIC
除以4分频器
数据表
特点
宽的频率范围:
0.2 - 16 GHz的
高输入功率灵敏度:
片上之前和之后的安培
-20到+10 dBm的( 1-10千兆赫)
-15至+10 dBm的( 10 - 12千兆赫)
-10至+5 dBm的( 12 - 15千兆赫)
双模式P
OUT
(芯片形式)
+6.0 dBm的( 0.99 V
p-p
) @ 80毫安
芯片尺寸:
芯片尺寸公差:
切屑厚度:
垫尺寸:
1330 x 440
m
( 52.4 X 17.3密耳)
±
10
m
( ± 0.4密耳)
127
±
15
m
(5.0
±
0.6密耳)
70 x 70
m
( 2.8× 2.8密耳)
为0 dBm ( 0.5 V
p-p
) @ 60毫安
低相位噪声:
-153 dBc的/赫兹@ 100 kHz偏置
( + )或( - )单电源偏置
手术
宽偏置电源电压范围:
4.5到6.5伏特的工作范围
高差I / O和片上50Ω
匹配
描述
该HMMC - 3004的GaAs HBT
MMIC预分频器提供DC到
16 GHz的频率转换为
在通信和电子战用
系统集成高
频PLL的振荡器电路
和信号路径下变频
应用程序。该预分频器
提供了一个大的输入功率
敏感窗口和低
相位噪声。除了
该设备上面列出的功能
提供了一个输入禁止接触
垫,以消除任何自振荡
化条件。
绝对最大额定值
[1]
(@ T
A
= 25℃ ,除非另有说明)
符号
V
CC
V
EE
[V
CC
-V
EE
]
V
关闭
V
逻辑
P
在(CW)
V
RFIN
T
BS[2]
T
英镑
T
最大
参数/条件
偏置电源电压
偏置电源电压
偏置电源台达
前置放大器禁用电压
逻辑阈值电压
CW RF输入功率
直流输入电压( @ RF
in
或RF
in
PORTS )
背面操作温度
储存温度
马克斯。大会温度。 (60秒以内)。
单位
V
V
V
V
V
DBM
V
°C
°C
°C
分钟。
马克斯。
+7
-7
+7
V
EE
V
CC
–1.5
V
CC
V
CC
–1.2
+10
V
CC
±
0.5
-40
-65
+85
+165
310
注意事项:
1.操作超出任何参数限制(除了牛逼
BS
) ,可能会导致该永久性损坏
装置。
2. MTTF >1 X10
6
小时@ T
BS
85°C 。运行超过最高工作温度
(T
BS
)会降低平均无故障时间。
HMMC - 3004直流规格/物理性能
(@ T
A
= 25 ° C,V
CC
- V
EE
= 5.0伏时,除非另有说明)
符号
V
CC
- V
EE
|I
CC
|和| I
EE
|
V
RFIN ( Q)
V
RFOUT ( Q)
V
逻辑
参数和测试条件
工作偏置电源的区别
[1]
偏置电源电流(最高输出功率配置
[2]
: V
PWRSEL
= V
EE
)
偏置电源电流(低输出功率配置: V
PWRSEL
=开)
静态直流电压出现在所有RF端口
标称ECL逻辑电平
(V
逻辑
接触的自偏压,在片上产生)
单位
V
mA
mA
V
V
分钟。
4.5
68
51
典型值。
5.0
80
60
V
CC
马克斯。
6.5
92
69
V
CC
- 1.45
V
CC
- 1.35
V
CC
- 1.25
注意事项:
1.预分频器工作在满规定的电源电压范围。 V
CC
或V
EE
不超过绝对最大额定值部分限制特定网络版。
2.高输出功率CON组fi guration :P
OUT
= +6.0 dBm的(V
OUT
= 0.99 V
p-p
) ,低输出功率的配置:P
OUT
= 0 dBm的(V
OUT
= 0.5 V
p-p
)
RF规格,
(T
A
= 25 ° C,Z
0
= 50, V
CC
- V
EE
= 5.0伏)
符号
IN (MAX)
IN(分钟)
自振荡器。
参数和测试条件
操作的最大输入频率
操作的最小输入频率
[1]
(P
in
= -10 dBm的)
输出自激振荡频率
[2]
@ DC , (方波输入)
@
in
= 500兆赫(正弦波输入)
in
= 1至10GHz
in
= 10到12 GHz
in
= 12 15 GHz的
小信号输入/输出回波损耗
(@
in
< 12千兆赫)
小信号反向隔离
(@
in
<12千兆赫)
SSB相位噪声( @ P
in
= 0 dBm时, 100 kHz偏置
OUT
= 1.2 GHz的载波)
输入信号随时间的变化@零交叉
(
in
= 10 GHz时, P
in
= -10 dBm的)
输出边缘速率( 10 %至90%的上升/下降时间)
单位
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dBc的/赫兹
ps
ps
分钟。
16
典型值。
18
0.2
3.4
马克斯。
0.5
P
in
-15
-15
-15
-10
-4
>-25
>-20
>-25
>-15
>-10
15
30
-153
1
70
+10
+10
+10
+10
+4
RL
S
12
N
抖动
Τ
r
or
Τ
f
注意事项:
1.对于正弦波输入信号。预分频器将向下运行至DC的方波输入信号。最小分频的频率受输入转换率。
2.预分频器可以在没有RF输入信号的偏压下呈现出该输出信号。该条件可以通过使用预放大器停用的被淘汰
(V
关闭
)功能,或高差输入去偏置技术。
2
HMMC - 3004射频技术指标,
持续
高输出功率工作模式
[1]
(T
A
= 25 ° C,Z
O
= 50, V
CC
- V
EE
= 5.0V)
符号
P
OUT
参数和测试条件
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.5 GHz的
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.5 GHz的
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
in
(@
in
= 12 GHz时,未使用的RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
in
(@
in
= 12 GHz的,两个RF
OUT
& RF
OUT
终止)
的功率电平
in
出现在RF
OUT
或RF
OUT
(@
in
= 12千兆赫,P
in
= 0 dBm时,简称P
in
(
in
))
二次谐波失真输出电平
(@
OUT
= 3.0千兆赫,简称P
OUT
(
OUT
))
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
分钟。
4.0
4.0
3.0
0.79
0.79
0.70
典型值。
6.0
6.0
5.0
0.99
0.99
0.88
-48
-68
-30
-25
马克斯。
|V
OUT (P- P)的
|
P
Spitback
P
FEEDTHRU
H
2
低输出功率操作模式
[2]
P
OUT
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.5 GHz的
@
OUT
& LT ; 1 GHz的
@
OUT
= 2.5 GHz的
@
OUT
= 3.5 GHz的
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
in
(@
in
= 12 GHz时,未使用的RF
OUT
或RF
OUT
未结束)
OUT
出现在RF功率电平
in
或RF
in
(@
in
= 12 GHz的,两个RF
OUT
& RF
OUT
终止)
的功率电平
in
出现在RF
OUT
或RF
OUT
(@
in
= 12千兆赫,P
in
= 0 dBm时,简称P
in
(
in
))
二次谐波失真输出电平
(@
OUT
= 3.0千兆赫,简称P
OUT
(
OUT
))
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
-2.0
-2.0
-3.0
0.39
0.39
0.35
0
0
-1.0
0.5
0.5
0.44
-57
-77
-30
-30
|V
OUT (P- P)的
|
P
Spitback
P
FEEDTHRU
H
2
注意事项:
1. V
PWRSEL
= V
EE
.
2. V
PWRSEL
=开路。
输入前置放大器阶段
V
CC
帖子放大级
V
CC
50
RF
in
50
50
50
RFOUT
RFOUT
RF
in
÷
4
18/36毫安
除法单元
V
EE
V
EE
V
关闭
V
PWRSEL
图1. HMMC - 3004原理示意图。
3
应用
该HMMC -3004被设计为
在高频使用通讯
阳离子,微波炉instrumenta-
化,以及电子战雷达系统
其中,低相位噪声PLL
控制电路和宽带
频率转换是必需的。
手术
本设备被设计来操作
当使用其中任一单驱动
端或差分正弦
输入信号超过200兆赫至
16 GHz带宽。下面
200 MHz的预分频器输入
“转换率”的限制,需要快速
上升沿和下降沿的速度来
正确划分。该设备将
频率下工作,直流
当用方波驱动。
该装置可从偏压
是单一的正或单
负电源偏差。后台
该装置的一侧是没有直流
连接到任何DC偏置点
上的设备。
对于正电源供电V
CC
名义上被偏置在任何
电压在4.5至6.5伏的
范围V
EE
(或V
EE
&放大器; V
PWRSEL
)
接地。对于负偏压
操作V
CC
通常
接地和负电压
-4.5至-6.5伏之间,
适用于V
EE
(或V
EE
&放大器; V
PWRSEL
).
几个功能设计
这个预分频器:
1 )双输出功率特性
贴合V
EE
和V
PWRSEL
垫至地(正
偏压模式)或负电源
(负偏置模式) ,将提供
0 dBm的[平0.5Vp - P]在射频
同时提请输出端口
40毫安电源电流。 Eliminat-
荷兰国际集团的V
PWRSEL
连接结果
在降低输出功率和
电压摆幅, -6.0 dBm的
[ 0.25VP - 对〕但在降低的
30毫安由此产生的电流消耗
在较少的总功耗。
4
(注: V
EE
必须始终
保税和V
PWRSEL
万勿
偏向任何潜在的其他
比V
EE
或开路)。
2) V
逻辑
ECL接触焊盘
在正常情况下不
连接或外部偏置
需要这种垫,这是自
偏压到片上ECL逻辑
阈值电压(V
CC
–1.35V).
用户可以提供一个外部
偏压至该垫(1.5到1.2伏
小于V
CC
)来强制
预分频器在系统运行
产生的逻辑阈值电压。
3 )输入禁用功能
如果有足够的RF信号
信噪比是存在于
RF输入,预分频器将
操作并提供一个分割
输出等于输入频率
昆西的鸿沟划分
模量。在一定的“理想”
条件,其中输入是
良好匹配,在右侧输入
频率,该装置可“自
振荡“ ,尤其是在小
信号输入功率或只
噪声存在于输入端。这
“自振荡”将产生一个
不需要的输出信号也
已知为假触发。通过
施加外部偏压到
输入禁止接触焊盘(更
比V正
CC
-1.35v ),则
输入前置放大器阶段被锁定
入任一逻辑“高”或逻辑
“低”防止频率
分工和任何自激振荡
频率可存在。
4 )输入直流偏置
用于防止另一种方法
错误触发或自激振荡
条件是,施加一个20至
100 mV的直流偏置电压BE-
补间的RF
in
和RF
in
端口。
这可以防止噪声或杂散
从触发低电平信号
分频器。
添加之间的10kΩ电阻
未使用的RF输入到一个接触
点在V
EE
潜力
导致的偏移
≈25mV
之间的RF输入。记
然而,该输入灵敏度
性将略有由于减少
此存在偏移。
组装技术
图3显示了芯片组件
图中为单端I / O
到12 GHz的操作
无论是正或负的偏压
电源工作。在任一情况下
供应接触到芯片
必须进行电容旁路到
提供良好的输入灵敏度
低输入功率馈
通过。独立偏置的
施加到器件上时,背景
芯片的一侧始终应
同时连接到一个良好的RF
接地平面,并且具有良好的热
在散热区域
安装表面。
所有RF端口连接DC
片上,以在V
CC
联系
通过片上50Ω电阻。
在任何偏见条件下
V
CC
没有直流接地,所述射频
港口应通过交流耦合
串联电容器安装在
在每个射频薄膜基板
端口。只有在偏置条件
其中,V
CC
是直流接地(这是
典型的负偏置电源
操作)可以在RF端口是
直接耦合到邻近税务局局长
cuitry或在某些情况下,如
电平转换到后来的stag-
ES 。在后一种情况下,装置
背面可以是“浮动的”,并
偏压施加作为差
V之间
CC
和V
EE
.
设备之间的所有键
该旁路电容要
尽可能地短,以限制
电感。对于工作在
低于1千兆赫的频率,一个大
电容值必须加
提供适当的射频旁路。
由于片上50Ω匹配
电阻在所有四个RF端口,无
外部终端是必需的
任何未使用的RF端口。不过,
改进的“ Spitback ” perfor-
曼斯(约20 dB)的输入敏感
tivity可以通过termi-实现
内廷未使用的RFOUT端口
V
CC
通过50Ω (正
供应),或通过一个50Ω到地
终止(负电源
操作)。
砷化镓MMIC的是ESD敏感。
ESD预防措施必须
在各方面被采用
存储,处理和组装。
MMIC的ESD防范措施,处理
的考虑,芯片粘接和
粘接方法是关键
因素在成功的GaAs MMIC
性能和可靠性。
安捷伦应用笔记# 54 ,
“砷化镓MMIC ESD,芯片粘接
和粘接指引“亲
国际志愿组织对这些基本信息
科目。
可选直流运行值/逻辑电平
(T
A
= 25°C)
功能
符号
条件
分钟。
(伏特/毫安)
V
CC
– 1.5
V
逻辑
+ 0.25
V
EE
V
D
& GT ; V
EE
+ 3
V
D
& LT ; V
EE
+ 3
注意:
从外部施加1时可接受的电压范围。
(V
关闭
– V
EE
– 3)/500
0
(V
关闭
– V
EE
– 3)/500
0
典型
(伏特/毫安)
V
CC
– 1.35
V
逻辑
马克斯。
(伏特/毫安)
V
CC
– 1.2
V
CC
V
逻辑
– 0.25
(V
关闭
– V
EE
– 3)/500
0
逻辑阈值
[1]
V
逻辑
V
禁用(高)
[关闭]
输入禁用
V
禁用(低)
[启用]
I
关闭
V
CC
V
CC
RFIN
V
CC
RFIN
RFOUT
V
CC
RFOUT
无连接
V
CCBypass
V
逻辑
V
关闭
V
EE
V
PWRSEL
230
440
370
220
70
0
70
0
350
500
650
800
900
260
注意事项:
在微米所有尺寸。
所有垫暗淡: 70× 70
m
(除非另有说明)
公差:
±10 m
芯片厚度: 127
±
15
m
950
1090
1260
1330
图2.焊盘位置和芯片尺寸。
5
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