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DC - 50 GHz的可变衰减器

技术参数

HMMC-1002

特点

指定的频率范围：

DC -26.5 GHz的

回波损耗：

10分贝

最小衰减：

2.0分贝

最大衰减：

30.0分贝

描述

该HMMC -1002是单片，

可变电压，砷化镓IC衰减

器，工作于DC到

50千兆赫。它是使用制造

MWTC的MMICB过程，

酒店设有一个MBE外延层，

擦屁股接地过孔，和场效应管

约栅极长度

0.4mm之间。可变电阻

该HMMC -1002的元素是

两台750毫米宽系列场效应管

和四个宽度为200mm分流

场效应管。的分布式拓扑

该HMMC -1002最小化

它的串联寄生效应和

分流的FET ，允许

HMMC -1002表现出宽

在其整个动态范围

带宽。片上DC

参考电路可用于

保持最佳的电压驻波比任何

衰减设置或改善

衰减与电压

线性衰减器电路的。

芯片尺寸：

芯片尺寸公差：

切屑厚度：

RF垫尺寸：

DC垫尺寸：

1470 x 610

m

（ 57.9 X 24.0密耳）

±

10

m

（ ± 0.4密耳）

127

±

15

m

(5.0

±

0.6密耳）

60 x 70

m

（ 2.4× 2.8密耳），或更大的

75 x 75

m

（ 3.0× 3.0密耳），或更大的

绝对最大额定值

[1]

符号

V

DC- RF

V

1

V

2

V

DC

P

in

T

MINA

T

MAXA

T

英镑

T

最大

参数/条件

直流电压为RF端口

V

1

控制电压

V

1

控制电压

在DC / DC输出

RF输入功率

最低环境

工作温度

最高环境

工作温度

储存温度

大会的最大温度。

单位

V

V

V

V

DBM

°C

°C

°C

°C

-65

-55

+125

+165

+300

分钟。

-0.6

-5.0

-5.0

-0.6

马克斯。

+1.6

+0.5

+0.5

+1.0

17

注意：

1.操作超出这些条件可能导致永久性的任一项

损坏该设备。

5965-5452E

7-12

DC规格/物理性能，

T

A

= 25°C

符号

I

V1

I

V2

V

p

参数和测试条件

V

1

控制电流，（V

1

= -4V)

V

2

控制电流，（V

2

= -4V)

夹断电压（V

2

与V

1

= 0 V)

四200

m

宽分流场效应管，V

DD

= 1 V @ RF

in

,

I

DD

= 5毫安

单位

mA

mA

V

分钟。

5.3

5.3

-0.6

典型值。

9.3

9.3

-1.3

马克斯。

12

12

-2.5

电气规格

[1]

,

T

A

= 25 ° C，Z

O

= 50

参数和测试条件

单位

频率。

（千兆赫）

1.5

8.0

最小衰减， | S

21

|

V

1

= 0 V, V

2

= -4 V

dB

20.00

26.5

50.0

输入/输出回波损耗@敏。衰减设置，

V

1

= 0 V, V

2

= -4 V

dB

<26.5

<50.0

1.5

8.0

最大衰减， | S

21

|

V

1

= -4 V, V

2

= 0 V

dB

20.0

26.5

50.0

输入/输出回波损耗@最大。衰减设置，

V

1

= -4 V, V

2

= 0 V

DC功耗

（不包括输入信号）

V

1

= -5 V, V

2

= -5 V

mW

dB

<26.5

<50.0

8

27

27

27

27

10

分钟。

典型值。

1.0

1.4

1.7

2.0

3.9

16

8

30

38

38

40

35

10

10

152

马克斯。

2.4

2.4

2.4

2.4

7-13

应用

该HMMC -1002被设计为

用作增益控制块

在AGC组件。由于

它的宽动态范围和

回波损耗性能，该

HMMC -1002也可被用作

宽带脉冲调制器或

单刀单掷，非

反射式开关。

手术

的衰减

HMMC - 1002是通过调整

施加负电压V1

和V2 。 V1的控制漏 -

该系列的源极电阻

而V2控制FET的漏极

分流到源极电阻

场效应管。对于任何HMMC - 1002

V1的值可以被调整，使得

该装置衰减与

电压单调为V1

和V2 ;然而，这会稍微

降低输入和输出

回波损耗。

的衰减

HMMC -1002还可CON组

仅使用一个单一的输入受控

电压通过利用片上

直流参考电路和

在图4所示的驱动电路。

该电路优化的VSWR

任何衰减设置。因为

工艺变化，其值的

V的

REF

, R

REF

和R

L

不同

对于每个晶片如果最佳

性能是必需的。典型

对于这些元素的值有

给出。电阻的比率

R1和R2确定的灵敏

衰减与中tivity

的电压性能

衰减器。欲了解更多信息

上的表现

HMMC -1002和驱动

前面提到的电路见

MWTC的应用笔记＃ 37 ，

“ HMMC - 1002衰减器：衰减

化控制。“更多

S参数的信息，请参见

MWTC的应用笔记＃ 44 ，

“ HMMC - 1002衰减器：

S参数。 “

组装技术

焊锡芯片粘接用金锡

预成型焊片是时建议

修补的组装方法的

然而，环氧芯片粘接

使用ABLEBOND方法

71-1LM1或ABLEBOND

36-2

也可以采用。金

用热超声楔焊

0.7密耳线推荐

法粘结到设备。

工具用力要

22克

±

1克，阶段温度

TURE 150

±

2

°C,

和超声

功率和持续时间64

±

1分贝

和76

±

8毫秒，分别。

顶部和底部的金属化

是金。

更多详细信息

请参阅HP应用笔记＃ 999

“砷化镓MMIC大会和

操作准则“。

砷化镓MMIC的是ESD敏感。

适当的预防措施，应使用

当处理这些设备。

RF

IN

RF

OUT

直流参考电路

DC

IN

V

1

DC

OUT

V

2

图1. HMMC - 1002示意图。

7-14

610

233

RF

IN

RF

OUT

233

0

1410

1470

0

476

584

887

994

注意事项：

1.在微米的所有尺寸和显示出焊接区的中心。

2.直流

in

时，V1 ，直流

OUT

和V

2

键合焊盘是75× 75微米。

3. RF输入和输出焊垫是60× 70微米。

4.芯片厚度： 127

±

15

m.

图2. HMMC -1002结合区的位置。

2.0密耳

NOM 。差距

RF

IN

TC721A

RF

OUT

4线使用债券

0.7密耳直径。黄金债券网

（长并不重要）

DC

IN

V

1

DC

OUT

V

2

图3. HMMC -1002装配图。

7-15

To

DC

OUT

To

DC

IN

To

V

1

To

V

2

R

L

(400

– 500

)

500

V

REF

（ -0.4V至-1.0V ）

500

运算。放大器

–

V

IN

+

（ 0V至-4.0V ）

R

REF

(350

– 500

)

图4.衰减器驱动。

HMMC -1002典型性能

0

10

插入损耗（dB ）

0

10

回波损耗（分贝）

最大

衰减

20

30

40

50

60

1.5 4.0

20

30

40

50

60

1.5 4.0

最低

衰减

8.0

12.0

16.0

20.0

24.0 26.5

8.0

12.0

16.0

20.0

24.0 26.5

频率（GHz ）

频率（GHz ）

图5.衰减与频率的关系

[1]

.

图6.输出回波损耗与

频率

[1]

.

注意：

从晶圆上测量获得1.数据。牛逼

夹头

= 25°C.

7-16

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