高动态范围FET混频器
HMJ2
通信EDGE
产品特点
+37 dBm的IIP3
无需外部匹配元件
产品说明
该HMJ2是一种高动态范围,砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
的+37 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ2来
在一个低成本, J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频,
调制和解调的接收机和
在PCS系统中使用的发射机。
工作原理图
18 17 16 15 14 13 12 11 10
需要
RF一八五零年至1990年兆赫
LO 1700至1940年兆赫
IF 50-150兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置(25 mA)的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
10
IF
2
LO
11
地
3-7
地面12-16
+ 3V直流
8
RF
17
地
9
地
18
特定网络阳离子
参数
频率范围:
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离:
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗:
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
1850
1700
50
9.0
10.5
17
22
32
32
29
15
37
12
10
14
23
17
25
典型
最大
1990
1940
150
10.3
条件
RF = 1900兆赫(为0dBm )
35
试验条件除非另有说明: RF = 1900兆赫( -10 dBm的) , LO = 1800兆赫( 17 dBm的) , IF = 100 MHz和25℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ2
HMJ2-PCB
描述
高动态范围FET混频器
(可在磁带和卷轴)
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
HMJ2
性能图表
IIP3主场迎战RF频率
50
输入截点( DBM)
转换损耗与频率的射频
5.0
转换损耗(dB )
45
7.5
IF = 50 MHz的
10.0
IF = 100 MHz的
40
IF = 100 MHz的
IF = 50 MHz的
IF = 150 MHz的
35
IF = 150 MHz的
12.5
30
1850
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
15.0
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
隔离与LO频率
50
40
隔离度(dB )
30
20
10
0
1700
0
1850
隔离度(dB )
L-1
L-R
20
30
隔离与RF频率
R-Ⅰ
10
1730
1760
1790 1820 1850 1880
LO频率(MHz)
1910
1940
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
RF回波损耗与频率的射频
0
0
LO回波损耗与LO频率
0
如果返回损耗与IF频率
RF回波损耗( DBM)
LO回波损耗(分贝)
10
10
如果返回损耗(dB )
5
5
5
10
15
15
15
20
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
20
1700
20
1730
1760
1790 1820 1850
LO频率(MHz)
1880
1910
1940
50
70
90
110
IF频率(MHz )
130
150
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
HMJ2
外形绘图
土地模式
安装配置
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
注意!
ESD敏感器件。
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
高动态范围FET混频器
HMJ2
通信EDGE
产品特点
+37 dBm的IIP3
无需外部匹配元件
产品说明
该HMJ2是一种高动态范围,砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
的+37 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ2来
在一个低成本, J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频,
调制和解调的接收机和
在PCS系统中使用的发射机。
工作原理图
18 17 16 15 14 13 12 11 10
需要
RF一八五零年至1990年兆赫
LO 1700至1940年兆赫
IF 50-150兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置(25 mA)的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
10
IF
2
LO
11
地
3-7
地面12-16
+ 3V直流
8
RF
17
地
9
地
18
特定网络阳离子
参数
频率范围:
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离:
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗:
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
1850
1700
50
9.0
10.5
17
22
32
32
29
15
37
12
10
14
23
17
25
典型
最大
1990
1940
150
10.3
条件
RF = 1900兆赫(为0dBm )
35
试验条件除非另有说明: RF = 1900兆赫( -10 dBm的) , LO = 1800兆赫( 17 dBm的) , IF = 100 MHz和25℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ2
HMJ2-PCB
描述
高动态范围FET混频器
(可在磁带和卷轴)
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
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电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
HMJ2
性能图表
IIP3主场迎战RF频率
50
输入截点( DBM)
转换损耗与频率的射频
5.0
转换损耗(dB )
45
7.5
IF = 50 MHz的
10.0
IF = 100 MHz的
40
IF = 100 MHz的
IF = 50 MHz的
IF = 150 MHz的
35
IF = 150 MHz的
12.5
30
1850
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
15.0
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
隔离与LO频率
50
40
隔离度(dB )
30
20
10
0
1700
0
1850
隔离度(dB )
L-1
L-R
20
30
隔离与RF频率
R-Ⅰ
10
1730
1760
1790 1820 1850 1880
LO频率(MHz)
1910
1940
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
RF回波损耗与频率的射频
0
0
LO回波损耗与LO频率
0
如果返回损耗与IF频率
RF回波损耗( DBM)
LO回波损耗(分贝)
10
10
如果返回损耗(dB )
5
5
5
10
15
15
15
20
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
20
1700
20
1730
1760
1790 1820 1850
LO频率(MHz)
1880
1910
1940
50
70
90
110
IF频率(MHz )
130
150
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
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外形绘图
土地模式
安装配置
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
注意!
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高动态范围FET混频器
HMJ2
通信EDGE
产品特点
+37 dBm的IIP3
无需外部匹配元件
产品说明
该HMJ2是一种高动态范围,砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
的+37 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ2来
在一个低成本, J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频,
调制和解调的接收机和
在PCS系统中使用的发射机。
工作原理图
18 17 16 15 14 13 12 11 10
需要
RF一八五零年至1990年兆赫
LO 1700至1940年兆赫
IF 50-150兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置(25 mA)的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
10
IF
2
LO
11
地
3-7
地面12-16
+ 3V直流
8
RF
17
地
9
地
18
特定网络阳离子
参数
频率范围:
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离:
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗:
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
1850
1700
50
9.0
10.5
17
22
32
32
29
15
37
12
10
14
23
17
25
典型
最大
1990
1940
150
10.3
条件
RF = 1900兆赫(为0dBm )
35
试验条件除非另有说明: RF = 1900兆赫( -10 dBm的) , LO = 1800兆赫( 17 dBm的) , IF = 100 MHz和25℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ2
HMJ2-PCB
描述
高动态范围FET混频器
(可在磁带和卷轴)
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
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2000年9月
HMJ2
性能图表
IIP3主场迎战RF频率
50
输入截点( DBM)
转换损耗与频率的射频
5.0
转换损耗(dB )
45
7.5
IF = 50 MHz的
10.0
IF = 100 MHz的
40
IF = 100 MHz的
IF = 50 MHz的
IF = 150 MHz的
35
IF = 150 MHz的
12.5
30
1850
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
15.0
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
隔离与LO频率
50
40
隔离度(dB )
30
20
10
0
1700
0
1850
隔离度(dB )
L-1
L-R
20
30
隔离与RF频率
R-Ⅰ
10
1730
1760
1790 1820 1850 1880
LO频率(MHz)
1910
1940
1900
1950
射频频率( MHz)的
1990
RF回波损耗与频率的射频
0
0
LO回波损耗与LO频率
0
如果返回损耗与IF频率
RF回波损耗( DBM)
LO回波损耗(分贝)
10
10
如果返回损耗(dB )
5
5
5
10
15
15
15
20
1850
1870
1890
1910
1930
1950
射频频率( MHz)的
1970
1990
20
1700
20
1730
1760
1790 1820 1850
LO频率(MHz)
1880
1910
1940
50
70
90
110
IF频率(MHz )
130
150
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
HMJ2
外形绘图
土地模式
安装配置
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
注意!
ESD敏感器件。
WJ通讯公司
电话: 1-800 - WJ1-4401 传真: 408-433-5649 电子邮件: sales@wj.com网站: www.wj.com
2000年9月
WJ通讯公司
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