韩光
HMD8M36M18G
32Mbyte （ 8Mx36 ） 72针FP带奇偶校验模式2K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD8M36M18 ， HMD8M36M18G
概述
该HMD8M36M18G是8M X 36bit的动态RAM的高密度内存模块。该模块由16
CMOS 4M X 4位DRAM采用24引脚SOJ封装和两个CMOS 4MX 4位四CAS DRAM的28PIN封装SOJ
安装在一个72针，双面， FR- 4印刷电路板。
一个0.1或0.22uF的去耦电容安装在
印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块采用边缘连接的单列直插式内存模块
并且是用于在安装到72针的边缘连接器插槽中。所有模块的组件可以由一个单一的电
5V直流电源和所有输入和输出为TTL兼容。
引脚分配
特点
w
部分鉴定
HMD8M36M18 ---- 2048周期/ 32ms的参考。焊料中的铅
HMD8M36M18G-- 2048周期/ 32ms的参考。金铅
w
访问次数： 50 ， 60ns的
w
高密度32MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准PDpin和引脚
w
快速页与校验工作模式
w
/ CAS先接后/ RAS刷新功能
重量/ RAS-只
和隐藏刷新功能
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-5
-6
M
14
15
16
17
18
符号
VSS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
针
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
NC
DQ26
DQ8
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
Symbo
L
DQ17
DQ35
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
/RAS1
NC
/ WE
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
针
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
存在检测引脚
（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
NC
VSS
VSS
VSS
60ns
NC
VSS
NC
NC
SIMM
顶视图
性能范围
速度
5
6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
注意： A11仅用于4K价。
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REV.1.0 （ August.2002 ）
-1-
韩光电器有限公司。
韩光
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
HMD8M36M18G
等级
-1V至7.0V
-1V至7.0V
18W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
50mA
w
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
（电压参考V
SS
， TA = 0 70 ℃）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
符号
I
CC1
-6
I
CC2
I
CC3
-6
-5
I
CC4
-6
I
CC5
I
CC6
-6
I
l(L)
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC1
：工作电流* （ / RAS ， / CAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ / RAS = / CAS = V
IH
)
I
CC3
： / RAS只刷新当前* （ / CAS = V
IH
， / RAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
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速度
-5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-90
-10
2.4
-
最大
1008
918
36
1008
918
828
738
18
1008
918
90
10
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
不关心
-5
不关心
-5
-3-
韩光电器有限公司。
韩光
I
CC4
：快页模式电流* （ / RAS = V
IL
， / CAS ，地址单车@t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ /RAS=/CAS=Vcc-0.2V ）
I
CC6
： / CAS先接后/ RAS刷新电流* （ / RAS和/ CAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
IL
：输入漏电流（任何输入0V
≤
V
IN
≤
6.5V ，所有其它引脚不被测= 0V ）
I
OL
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
HMD8M36M18G
*
注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与所获得的
输出开路。我
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址CAD来改变最大的一次，
而/ RAS = V
IL
。在我
CC4
，地址可以一次在一个页面模式周期改变最大。
o
电容
( T
A
= 25℃ ， VCC = 5V ， F = 1MZ ）
描述
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ1
民
-
-
-
-
-
最大
110
130
80
40
25
单位
pF
pF
pF
pF
pF
输入电容[ A0 -A11 （ A10 ）
输入电容（ / W）
输入电容（ / RAS0 ）
输入电容（ / CAS0- / CAS3 ）
输入/输出电容（ DQ0-31 ）
AC特性
( 0 C
≤
T
A
≤
70℃ ， VCC = 5V ±10 ％ ，见注释1,2 ）。
-5
-6
单位
民
最大
民
110
50
13
25
3
3
2
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
10K
37
25
10K
13
50
3
3
2
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
10K
45
30
10K
13
50
60
15
30
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
韩光电器有限公司。
o
标准工作
随机读或写周期时间
访问时间从/ RAS
从/ CAS访问时间
从列地址访问时间
/ CAS输出在低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
/ RAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS脉冲宽度
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
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符号
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
90
-4-
韩光
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到/ RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考/ CAS命令保持
阅读参考/ RAS命令保持
写命令保持时间
写参考/ RAS命令保持
WRITE命令的脉冲宽度
写命令/ RAS交货时间
写命令/ CAS交货时间
数据中设置时间
数据保持时间
刷新周期
写命令设置时间
/ CAS建立时间（C -B -R刷新）
/ CAS保持时间（C -B -R刷新）
/ RAS预充电到/ CAS保持时间
从/ CAS预充电时间访问
/ CAS预充电时间（快速页面）
/ RAS的脉冲宽度（快速页）
/ W到/ RAS预充电时间（C -B -R刷新）
/ W到/ RAS保持时间（C -B -R刷新）
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
CP
t
RASP
t
WRP
t
WRH
10
50
10
10
200K
0
5
10
5
30
0
10
25
0
0
0
10
50
10
13
13
0
10
64
0
5
0
HMD8M36M18G
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
64
ns
ns
ns
ns
ns
35
10
60
10
10
200K
ns
ns
ns
ns
ns
10
30
0
0
0
10
55
10
15
15
0
15
10
5
笔记
1.
需要为200ps的初始暂停后跟任意8 /电后， RAS或只/ CAS先接后/ RAS刷新周期
前器件正常工作的实现。
2.
V
IH（ MIN）的
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。转换时间的测量
V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
并假定为5ns的所有输入。
3.
测量相当于1TTL负荷和100pF电容负载
4.
内的T操作
RCD （最大）
限制保证了吨
RAC的（最大）
可以得到满足。吨
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定吨
RCD （最大）
限，则访问时间专门用t控制
CAC
.
5.
假设吨
RCD
≥
t
RCD （最大）
6. t
AR
, t
WCR
, t
DHR
是参照吨
RAD （最大值）
7，本参数定义了在其输出达到开路状态，不参考V的时间
OH
或V
OL
.
8. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
非限制性操作参数。
它们被包括在数据表中作为唯一的电特性。如果T
WCS
≥
TWCS （分钟）
该循环是一个早期写入
周期和数据输出引脚将保持高阻抗的周期的持续时间。
9.无论吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
10.这些参数是参照/ CAS前缘在早期的写周期，并在读的/ W的前缘
写周期。
内的11吨操作
RAD （最大值）
限制保证了吨
RAC的（最大）
可以得到满足。吨
RAD （最大值）
被指定为参考
只有一点。如果T
拉德
大于指定吨
RAD （最大值）
极限。然后访问时间为t控制
AA
.
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REV.1.0 （ August.2002 ）
-5-
韩光电器有限公司。
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