韩光
HMD8M32M16
32Mbyte （ 8Mx32 ） 72针F / P模式2K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD8M32M16 ， HMD8M32M16G
概述
该HMD8M32M16是8M ×32位的动态RAM的高密度内存模块。该模块由16 CMOS
安装在一个72针，双面， FR- 4印刷电路板中的24引脚SOJ封装大4M x 4位的DRAM 。
A 0.1或
0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块是一个单
直插式内存模块采用边缘连接，适用于在安装到72针边缘连接器插座。所有
模块组件可以从一个单一的5V直流电源供电，所有输入和输出为TTL兼容。
特点
w
部分鉴定
HMD8M32M16--2048周期/ 32ms的参考文献，焊接
HMD8M32M16G - 2048周期/ 32ms的参考文献，黄金
w
访问次数： 50 ， 60ns的
w
高密度32MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准引脚
w
FP （快速页）模式操作
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
针
符号
针
引脚分配
符号
针
符号
针
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC(A11)
VCC
A8
A9
/RAS1
/RAS0
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
NC
NC
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
/RAS1
NC
/W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-5
-6
M
11
12
13
14
15
16
17
18
性能范围
速度
-5
-6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
TPC
35ns
40ns
SIMM TOP VIEW
注意： A11不用于HMD8M32M16
引脚名称
引脚名称
A0-A10
A0-A11
DQ0-DQ31
/W
功能
地址输入（ 2K参考）
地址输入（ 4K REF）
IN / OUT数据
读/写输入
引脚名称
/ RAS0 ， / RAS1
/ CAS0 - / CAS3
PD1 - PD4
功能
行地址选通
列地址选通
设备检测
引脚名称
VSS
NC
VCC
功能
地
无连接
Power(+5V)
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1
韩光电器有限公司。
韩光
功能框图
/CAS0
HMD8M32M16
/RAS0
/ CAS
DQ1
/ RAS
DQ2
U0
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U8
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
/RAS1
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
/ RAS
DQ2
U1
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
/CAS1
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U9
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
U2
/ RAS
DQ2
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U10
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
/ RAS
DQ2
U3
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
/CAS2
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U11
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
U4
/ RAS
DQ2
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U12
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
/ RAS
DQ2
U5
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
/CAS3
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U13
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
U6
/ RAS
DQ2
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
U14
/ CAS
/ RAS
/ OE
/W
A0-A10(A11)
/ CAS
DQ1
U7
/ RAS
DQ2
/ OE
DQ3
/ W A0 - A10 （ A11 ） 。 DQ4
/W
A0-A10
(A11)
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
/ CAS
/ RAS
/ OE
A0 - A10 （ A11 ） / W
U15
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韩光
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
HMD8M32M16
等级
-1V至7.0V
-1V至7.0V
16W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
50mA
w
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
（电压参考V
SS
， TA = 0 70 ℃）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
符号
I
CC1
-6
I
CC2
-5
I
CC3
-6
-5
I
CC4
-6
I
CC5
-5
I
CC6
-6
I
l(L)
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC2
：待机电流（ / RAS = / CAS = V
IH
)
I
CC3
： / RAS只刷新当前* （ / CAS = V
IH
， / RAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
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速度
-5
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-80
-80
2.4
-
最大
1760
1600
32
1760
1600
1440
1280
16
1760
1600
80
80
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
I
CC1
：工作电流* （ / RAS ， / CAS ，地址单车@t
RC
=分钟）
3
韩光
I
CC4
：快页模式电流* （ / RAS = V
IL
， / CAS ，地址单车@t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ /RAS=/CAS=Vcc-0.2V ）
I
CC6
： / CAS先接后/ RAS刷新电流* （ / RAS和/ CAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
IL
：输入漏电流（任何输入0V
≤
V
IN
≤
6.5V ，所有其它引脚不被测= 0V ）
I
OL
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
5.5V
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
HMD8M32M16
*注：我
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与所获得的
输出开路。我
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址CAD来改变最大的一次，
而/ RAS = V
IL
。在我
CC4
，地址可以一次在一个页面模式周期改变最大。
电容
( T
A
= 25℃ ， VCC = 5V ， F = 1MZ ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ1
民
-
-
-
-
-
最大
80
112
112
112
112
单位
pF
pF
pF
pF
pF
o
描述
输入电容（ A0 - A10 ）
输入电容（ / W）
输入电容（ / RAS0 ）
输入电容（ / CAS0- / CAS3 ）
输入/输出电容（ DQ0-31 ）
AC特性
( 0 C
≤
T
A
≤
70℃ ， VCC = 5V ±10 ％ ，见注释1,2 ）。
-5
-6
单位
民
最大
民
110
50
13
25
3
3
2
30
50
13
60
15
20
15
5
10K
45
30
10K
13
50
3
3
2
30
60
15
70
20
20
15
5
10K
50
35
10K
15
50
60
15
30
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
o
参数
随机读或写周期时间
访问时间从/ RAS
从/ CAS访问时间
从列地址访问时间
/ CAS输出在低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
/ RAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS脉冲宽度
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
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符号
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
4
韩光电器有限公司。
韩光
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址保持参考/ RAS
列地址到/ RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考/ CAS命令保持
阅读参考/ RAS命令保持
写命令保持时间
写参考/ RAS命令保持
WRITE命令的脉冲宽度
写命令/ RAS交货时间
写命令/ CAS交货时间
数据中设置时间
数据保持时间
数据保持在参考/ RAS
刷新周期
写命令设置时间
/ CAS建立时间（C -B -R刷新）
/ CAS保持时间（C -B -R刷新）
/ RAS预充电到/ CAS保持时间
从/ CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
/ CAS预充电时间（快速页面）
/ RAS的脉冲宽度（快速页）
/ W到/ RAS预充电时间（C -B -R刷新）
/ W到/ RAS保持时间（C -B -R刷新）
/ CAS预充电（C -B -R计数器测试）
笔记
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
REF
t
WCS
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
CP
t
RASP
t
WRP
t
WRH
t
CPT
40
10
60
10
10
20
100K
0
10
15
5
35
0
10
0
15
50
30
0
0
0
15
50
15
15
15
0
15
50
16
HMD8M32M16
0
10
0
15
55
35
0
0
0
15
55
15
20
20
0
15
55
16
0
10
15
5
40
45
10
70
10
10
30
100K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.
需要为200ps的初始暂停后跟任意8 /电后， RAS或只/ CAS先接后/ RAS刷新周期
前器件正常工作的实现。
2.
V
IH（ MIN）的
和V
白细胞介素（最大）
是参考电平，用于测量输入信号的定时。转换时间的测量
V
IH（分钟）
和V
白细胞介素（最大）
并假定为5ns的所有输入。
3.
测量相当于1TTL负荷和100pF电容负载
4.
内的T操作
RCD （最大）
限制保证了吨
RAC的（最大）
可以得到满足。吨
RCD （最大）
被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定吨
RCD （最大）
限，则访问时间专门用t控制
CAC
.
5.
假设吨
RCD
≥
t
RCD （最大）
6. t
AR
, t
WCR
, t
DHR
是参照吨
RAD （最大值）
7，本参数定义了在其输出达到开路状态，不参考V的时间
OH
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