韩光
HMD4M1Z1
为4Mbit （ 4Mx1bit ）快速页面模式， 1K刷新， 20针ZIP， 5V设计
产品型号
HMD4M1Z1
描述
该HMD4M1Z1是4M ×1位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了高速随机存取
存储单元
在同一行中。电源电压（+ 5V） ，访问时间（ -5，-6 ），功耗（普通或低功率） ，并包
型（ ZIP ）
此模块的可选功能。该HMD4M1Z1有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏
刷新功能。
该HMD4M1Z1针对应用进行优化的系统，该系统是必需的高密度，大容量的诸如主
存储器，用于主帧和微型计算机，个人计算机和高性能微处理器的系统。
该HMD4M1Z1提供了常见的数据和输出。
特点
w
快速页模式操作
w
CAS先于RAS的刷新功能
w
RAS-只和隐藏刷新功能
w
快速的并行测试模式功能
w
TTL （ 5V ）兼容输入和输出
w
早期写或输出使能控制的写
w
提供20PIN ZIP包
w
单+ 5V ± 10 ％电源
w
1024刷新周期/ 16ms的
w
性能范围
速度
HMD4M1Z1-5
HMD4M1Z1-6
t
RAC
50
60
t
CAC
15
15
t
RC
90
110
t
PC
35
40
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
引脚分配
符号
A9
/ CAS
DOUT
V
SS
DIN
/ WE
/ RAS
NC
NC
A9NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A4
A5
A6
A7
A8
引脚说明
针
A0
–
A9
DQ0
–
DQ3
/ RAS
/ CAS
功能
地址输入
数据
输入/输出
行地址
频闪
COLUMN
地址选通
针
/ WE
VCC
VSS
NC
功能
读/写
启用
动力
(+5V)
地
No
连接
14
15
16
17
18
19
20
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1
韩光电器有限公司。
韩光
绝对最大额定值*
符号
TA
TSTG
VIN / VOUT
VCC
IOUT
PD
参数
在偏置环境温度
存储温度（塑料）
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 150
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
50
600
HMD4M1Z1
单位
C
C
V
V
mA
mW
*注意：
1.应力大于上述绝对最大额定值？
可能对器件造成永久性损坏。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*注意：
引用到Vcc所有电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
符号
V
OH
V
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
参数
输出高电平电压（ IOUT = -5mA ）
输出低电平电压（ IOUT = 4.2毫安）
工作电流
（ / RAS ， / CAS ，自行车地址：
TRC
=
TRC
分）
待机电流（ / RAS ， / CAS = V
IH
)
/ RAS只刷新当前
（ / RAS骑自行车， / CAS = V
IH
,:
TRC
=
TRC
分）
快页模式电流
I
CC4
I
CC5
I
CC6
（ / RAS = V
IL
， / CAS ，地址自行车： TPC = TPC分钟）
待机电流（ / RAS ， / CAS > = VCC
–
0.2V)
-5
/ CAS前/ RAS刷新电流（TRC =
TRC
分）
-6
自刷新电流
I
CCS
（ / RAS = / = UCAS / LCAS = V
白细胞介素，
/ WE = / OE = A0 A9 = VCC
–
0.2V或0.2V ，
DQ0 DQ31 = VCC
–
0.2V ， 0.2V或打开）
输入漏电流
I
I（L）
I
O（ L）
-5
（任何输入（ 0V< = V
IN
< = V
IN
+ 0.5V ，所有其他引脚不在测试= 0V ）
输出漏电流（ DOUT为Disabled ， 0V< = V
OUT
< = VCC）
-5
5
uA
5
uA
-
-
uA
75
mA
-5
-6
-5
-6
-5
-6
-
民
2.4
0
0.4
85
mA
75
2
85
mA
75
65
55
1
85
mA
mA
mA
mA
最大
单位
V
V
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韩光
HMD4M1Z1
注：1，电流Icc依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
icc的（最大）被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而/ RAS = V
IL 。
3.地址可以一次或更少的改变，而/ CAS = V
IH
电容
( T
A
= 25℃ ， VCC = 5V +/- 10 ％ ， F = 1MHz的）
符号
C
I1
C
I2
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
记
1
1,2
o
描述
输入电容（ A0 -A9 ）
输入电容（ / WE ， / RAS ， / CAS0-
/CAS3,/OE)
输入/输出电容（ DQ0-31 ）
C
DQ1
-
7
pF
1,2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2 / CAS = VIH禁用DOUT 。
AC特性
符号
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
aa
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
( 0 C
≤
T
A
≤
70℃ ， VCC = 5V ±10 ％ ，V
IH
/V
IL
= 2.4/0.8V, V
OH
/V
OL
= 2.4 / 0.4V ，见注释1,2 ）
-5
-6
单位
民
最大
民
110
130
50
15
25
0
3
30
50
15
50
15
20
15
5
0
10
0
10
25
0
10K
35
25
10K
12
50
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
10K
45
30
10K
60
15
30
12
50
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
韩光电器有限公司。
o
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
访问时间从/ RAS
从/ CAS访问时间
从列地址访问时间
输出缓冲器关断时间
转换时间（上升和下降）
/ RAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS脉冲宽度
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址到/ RAS交货时间
READ命令设置时间
90
110
记
3,4,10
3,4,5
3,10
6
2
4
10
11
11
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韩光
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
企业社会责任
读命令保持时间/ CAS
读命令保持时间/ RAS
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令/ RAS交货时间
写命令/ CAS交货时间
数据的建立时间
数据保持时间
刷新周期（ 1024周期）
写命令设置时间
/ CAS到/ WE延时
/ RAS到/ WE延时
列地址为/ WE延时
/ CAS预充电到/ WE延时
/ CAS建立时间
10
（ / CAS先接后/ RAS刷新周期）
/ CAS保持时间
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
RASS
t
PRS
t
CHS
注意：
周期
前器件正常工作的实现。
10
（ / CAS先接后/ RAS刷新周期）
/ RAS预充电到/ CAS保持时间
从/ CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
快速页模式/ RAS预充电时间
快速页模式/ CAS脉冲时间
/ RAS持有/ CAS时间时间
30
预充电
/ RAS脉冲宽度（ CBR自刷新）
/ RAS预充电时间（ CBR自刷新）
/ CAS保持时间（ CBR自刷新）
100
90
-50
100
110
-50
35
35
10
50
200K
5
30
40
10
60
200K
5
35
10
10
0
15
50
25
30
0
0
10
10
15
13
0
10
16
0
15
60
30
35
0
0
10
10
15
15
0
10
16
HMD4M1Z1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
7
7,13
7
7
7
15
9
9
8
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
16
3
12
1. 200us的初始暂停后开机后的任何8 /需要RAS只刷新或/ CAS先接后/ RAS刷新
2.输入电压等级为V
IH
/ V
IL 。
V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。
此外，过渡时间之间测量
.
V
IH
和V
IL
被假定为5ns的所有输入。
3.测量与负载电路等效于2TTL载荷和100pF电容。
4.操作与
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足，
t
RCD
（最大）被指定为参考点仅
if
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）的限度，则存取时间完全由控制
t
CAC
.
5.假设条件
t
RCD
＆ LT ;?
t
RCD
（最大值）。
6.该参数定义在该输出达到开路状态，不参考V的时间
OH
/
V
OL 。
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HMD4M1Z1
7. T
WCS ，
T
RWD ，
T
CWD ，
T
CPWD
非限制性操作参数。它们被包括在数据表中作为电
特征
只。如果
t
WCS
＆ GT ; `
t
WCS
（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期，数据出引脚将保持开路（高阻抗）
始终
整个循环。如果
t
CWD
＆ GT ; `
t
CWD
（ MIN）
t
RWD
＆ GT ; `
t
RWD
（分钟） ，T
CPWD
＆ GT ; = T
CPWD
（分钟），则周期是一个读 - 修改 - 写
周期和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件是
满意，对数据进行的条件是不确定的。
8.无论是
传输信道
or
tRRH
必须满足一个读周期。
9，这些参数是参照/ CAS下降沿早期写周期和/ OE为/ WE下降沿控制
写周期和读 - 修改 - 写周期。
10.操作与
t
拉德
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足，
t
拉德
（最大）被指定为参考点仅
if
t
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）的限度，则存取时间完全由控制
t
AA
.
11.
t
ASC ，
t
CAH
被参照的是早先/ CAS的下降沿。
12.
t
CP
被从后面/ CAS上升沿指明在先前周期到下一个周期的早期/ CAS的下降沿。
13.
t
CWD
被引用的购买/ CAS下降沿字读 - 修改 - 写周期。
14.
t
CWL
从指定的/ WE的下降沿到早期/ CAS上升沿。
15.
t
企业社会责任
是参照前面的/ CAS下降沿之前/ RAS的过渡低边。
16.
t
CHR
被引用到后/ RAS的过渡低的购买/ CAS上升沿。
包装信息
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