韩光
HMD1M32M2GL
4Mbyte （ 1Mx32 ）快速页面模式， 1K刷新， 72PIN SIMM ， 5V
设计
产品型号HMD1M32M2GL
描述
该HMD1M32M2GL是一个1M ×32位，组装2张1米x 16位的DRAM在42引脚动态RAM模块
SOJ封装在单侧面与去耦电容的印刷电路板。该HMD1M32M2GL的优化
应用到系统，这需要高密度，大容量的诸如计算机的主存储器和一个
图象存储器系统，以及其他的，这是，要求紧凑的尺寸。
该HMD1M32M2GL提供了常见的数据和输出。
特点
引脚分配
w
72引脚单列直插封装
w
快页模式功能
w
单+ 5V ± 0.5V电源
w
快速访问时间&循环时间
TRAC
HMD1M32M2G-5
HMD1M32M2G-6
w
低功耗
w
/ RAS只刷新， / CAS前/ RAS刷新，
隐藏刷新功能
w
所有输入和输出TTL兼容
w
1024刷新周期/ 16ms的
50
60
大隘社
15
15
TRC
90
110
TPC
35
40
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
/ WEO
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
Symbo
L
DQ22
DQ7
DQ23
A8
NC(A10)
VCC
/WE2
NC
VCC
/ RAS
VCC
NC
NC
/ OE
VSS
/ CAS
VCC
NC
NC
NC
A9
NC(A11)
/WE1
VCC
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
/WE3
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
VCC
NC
NC
VSS
NC
VSS
VSS
引脚说明
针
A0
–
A9
DQ0
–
DQ31
/ RAS
/ CAS
/ OE
功能
地址输入
数据
输入/输出
行地址
频闪
COLUMN
地址选通
数据输出
启用
针
/ WE
VCC
VSS
NC
功能
读/写
启用
电源（+ 5V）的
地
No
连接
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
1
韩光科贸有限公司
韩光
绝对最大额定值*
符号
TA
TSTG
VIN / VOUT
VCC
IOUT
PD
参数
在偏置环境温度
存储温度（塑料）
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压
短路输出电流
功耗
等级
0 ~ 70
-55 ~ 150
-1.0 ~ 7.0
-1.0 ~ 7.0
100
2
HMD1M32M2GL
单位
C
C
V
V
mA
W
*注意：
1.应力大于上述绝对最大额定值？
可能对器件造成永久性损坏。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70C)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*注意：
引用到Vcc所有电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
符号
VOH
VOL
ICC1
（ / RAS ， / CAS ，自行车地址：
TRC
=
TRC
分）
ICC2
ICC3
（ / RAS骑自行车， / CAS = V
IH
,:
TRC
=
TRC
分）
快页模式电流
ICC4
（ / RAS = V
IL
， / CAS ，地址自行车： TPC = TPC分钟）
ICC5
ICC6
待机电流（ / RAS ， / CAS > = VCC
–
0.2V)
-5
/ CAS前/ RAS刷新电流（TRC =
TRC
分）
-6
自刷新电流
ICCS
（ / RAS = / = UCAS / LCAS = V
白细胞介素，
/ WE = / OE = A0 A9 = VCC
–
0.2V或0.2V ，
DQ0 DQ31 = VCC
–
0.2V ， 0.2V或打开）
输入漏电流
I
I（L）
I
O（ L）
-10
（任何输入（ 0V< = V
IN
< = V
IN
+ 0.5V ，所有其他引脚不在测试= 0V ）
输出漏电流（ DOUT为Disabled ， 0V< = V
OUT
< = VCC）
-10
10
uA
10
uA
-
400
uA
260
mA
-6
160
2
280
mA
mA
-6
-5
260
180
mA
待机电流（ / RAS ， / CAS = V
IH
)
/ RAS只刷新当前
-5
-6
-
260
4
280
mA
mA
参数
输出高电平电压（ IOUT = -5mA ）
输出低电平电压（ IOUT = 4.2毫安）
工作电流
-5
民
2.4
0
0.4
280
mA
最大
单位
V
V
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
3
韩光科贸有限公司
韩光
注：1，电流Icc依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
icc的（最大）被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而/ RAS = V
IL 。
3.地址可以一次或更少的改变，而/ CAS = V
IH
HMD1M32M2GL
电容
( T
A
= 25℃ ， VCC = 5V +/- 10 ％ ， F = 1MHz的）
符号
C
I1
C
I2
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
记
1
1,2
o
描述
输入电容（ A0 -A9 ）
输入电容（ / WE ， / RAS ， / CAS0-
/CAS3,/OE)
输入/输出电容（ DQ0-31 ）
C
DQ1
-
7
pF
1,2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2 / CAS = VIH禁用DOUT 。
AC特性
( 0
符号
t
RC
t
RWC
TRAC
大隘社
TAA
花花公子
t
T
激进党
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
二尖瓣
储税券
传输信道
o
C
≤
T
A
≤
70℃ ， VCC = 5V ±10 ％ ，V
IH
/V
IL
= 2.4/0.8V, V
OH
/V
OL
= 2.4 / 0.4V ，见注释1,2 ）
-5
-6
单位
民
最大
民
110
155
50
15
25
0
3
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
10K
37
25
10K
13
50
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
10K
45
30
10K
60
15
30
15
50
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
11
11
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
6
2
90
133
记
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
访问时间从/ RAS
从/ CAS访问时间
从列地址访问时间
输出缓冲器关断时间
转换时间（上升和下降）
/ RAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS脉冲宽度
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址到/ RAS交货时间
READ命令设置时间
读命令保持时间/ CAS
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
4
韩光科贸有限公司
韩光
tRRH
TwCh
TWP
tRWL
Tcwl
TDS
TDH
t
REF
TWCS
TCWD
tRWD
tAWD
tCPWD
TCSR
（ / CAS先接后/ RAS刷新周期）
/ CAS保持时间
tCHR
（ / CAS先接后/ RAS刷新周期）
TRPC
TCPA
TPC
TCP
tRASP
tRHCP
预充电
tOEA
趾
tOEZ
TOEH
桁架
t
PRS
/ OE访问时间
/ OE数据延迟
输出缓冲器关闭延迟时间/ OE
/ OE命令保持时间
/ RAS脉冲宽度（ CBR自刷新）
/ RAS预充电时间（ CBR自刷新）
13
0
13
100
90
13
13
15
0
15
100
110
/ RAS预充电到/ CAS保持时间
从/ CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
快速页模式/ RAS预充电时间
快速页模式/ CAS脉冲时间
/ RAS
HOLD
时间
时间
从
/ CAS
30
35
35
10
50
200K
5
30
40
10
60
5
10
10
读命令保持时间/ RAS
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令/ RAS交货时间
写命令/ CAS交货时间
数据的建立时间
数据保持时间
刷新周期（ 1024周期）
写命令设置时间
/ CAS到/ WE延时
/ RAS到/ WE延时
列地址为/ WE延时
/ CAS预充电到/ WE延时
/ CAS建立时间
5
5
0
36
73
48
53
0
10
10
13
13
0
10
16
0
40
85
55
60
0
10
10
15
15
0
10
HMD1M32M2GL
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
7
7,13
7
7
7
15
9
9
8
ns
ns
35
ns
ns
ns
200K
ns
ns
15
ns
ns
15
ns
ns
us
ns
16
3
12
3
/ CAS保持时间（ CBR自刷新）
-50
-50
ns
TCHS
注意：
1. 200us的初始暂停要求后跟任意8 /电后， RAS只刷新或/ CAS先接后/ RAS
刷新周期设备运行达到之前。
2.输入电压等级为V
IH
/ V
IL 。
V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。
此外，过渡时间之间测量
.
V
IH
和V
IL
被假定为5ns的所有输入。
3.测量与负载电路等效于2TTL载荷和100pF电容。
4.操作与
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大值）可以得到满足，
t
RCD
（最大）被指定为参考点仅
if
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）的限度，则存取时间完全由控制
t
CAC
.
5.假设条件
t
RCD
＆ LT ;?
t
RCD
（最大值）。
6.该参数定义在该输出达到开路状态，不参考V的时间
OH
/
V
OL 。
7. T
WCS ，
T
RWD ，
T
CWD ，
T
CPWD
非限制性操作参数。它们被包括在数据表中作为电
特征
只。如果
t
WCS
＆ GT ; `
t
WCS
（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期，数据出引脚将保持开路（高阻抗）
始终
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
5
韩光科贸有限公司
QQ：800888908 复制
